IBM和三星聲稱他們已經(jīng)在半導體設計方面取得了突破。在舊金山舉行的IEDM會議的第一天,，這兩家公司公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設計,。在目前的處理器和SoC中，晶體管平放在硅的表面,，然后電流從一側流向另一側,。相比之下，垂直傳輸場效應晶體管（VTFET）彼此垂直放置,，電流垂直流動,。

　　根據(jù)IBM和三星的說法，這種設計有兩個優(yōu)點。首先,，它將使他們能夠繞過許多性能限制,，使摩爾定律超越IBM目前的納米片技術。更重要的是,，由于更大的電流流動,，這種設計導致了更少的能量浪費。他們估計,，VTFET將使處理器的速度比使用FinFET晶體管設計的芯片快一倍,，或減少85%的功率。IBM和三星聲稱,，該工藝有朝一日可能允許手機在一次充電的情況下使用一整個星期,。他們說，這也可以使某些能源密集型的任務,，包括加密工作,，更加省電，從而減少對環(huán)境的影響,。

　　IBM和三星還沒有說他們計劃何時將該設計商業(yè)化,。他們并不是唯一試圖超越1納米障礙的公司。今年7月,，英特爾表示,，它的目標是在2024年之前最終完成亞微米級芯片的設計。該公司計劃利用其新的"英特爾20A"節(jié)點和RibbonFET晶體管完成這一壯舉,。

　　在外媒報道刊出后,，IBM隨后澄清，VTFET將幫助它擴展到其現(xiàn)有的芯片技術之外,，而不一定精選與擴展制程到1納米以下,，同時公司還指出，性能或電池壽命方面可以看到長足進步,，但如果要同時進行則會有難度,。