IBM和三星聲稱他們已經(jīng)在半導(dǎo)體設(shè)計方面取得了突破,。在舊金山舉行的IEDM會議的第一天，這兩家公司公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設(shè)計。在目前的處理器和SoC中,，晶體管平放在硅的表面，然后電流從一側(cè)流向另一側(cè),。相比之下,，垂直傳輸場效應(yīng)晶體管（VTFET）彼此垂直放置，電流垂直流動,。

　　根據(jù)IBM和三星的說法,，這種設(shè)計有兩個優(yōu)點。首先,，它將使他們能夠繞過許多性能限制,，使摩爾定律超越IBM目前的納米片技術(shù)。更重要的是,，由于更大的電流流動,，這種設(shè)計導(dǎo)致了更少的能量浪費。他們估計,，VTFET將使處理器的速度比使用FinFET晶體管設(shè)計的芯片快一倍,，或減少85%的功率。IBM和三星聲稱,，該工藝有朝一日可能允許手機(jī)在一次充電的情況下使用一整個星期,。他們說，這也可以使某些能源密集型的任務(wù),，包括加密工作,，更加省電，從而減少對環(huán)境的影響,。

　　IBM和三星還沒有說他們計劃何時將該設(shè)計商業(yè)化,。他們并不是唯一試圖超越1納米障礙的公司。今年7月,，英特爾表示,，它的目標(biāo)是在2024年之前最終完成亞微米級芯片的設(shè)計。該公司計劃利用其新的"英特爾20A"節(jié)點和RibbonFET晶體管完成這一壯舉,。

　　在外媒報道刊出后,，IBM隨后澄清，VTFET將幫助它擴(kuò)展到其現(xiàn)有的芯片技術(shù)之外,，而不一定精選與擴(kuò)展制程到1納米以下,，同時公司還指出，性能或電池壽命方面可以看到長足進(jìn)步,，但如果要同時進(jìn)行則會有難度,。