過去50多年里,，半導體產業(yè)一直沿著摩爾定律向前發(fā)展,，芯片工藝節(jié)點先后跨越了90nm,、45nm,、28nm、14nm,，如今7nm和5nm已經實現量產,，3nm和2nm是現在業(yè)界努力的方向，在這個不斷演進的過程中,，以光刻為基礎的圖形化工藝在其中扮演著至關重要的角色,。光刻是芯片制造過程中最重要、最復雜,、最昂貴的工藝,。其精密度決定了芯片的制程，以及器件性能,。
目前實現14nm工藝節(jié)點中的關鍵結構最常用的工藝是193nm沉浸式光刻結合自對準雙圖形（SADP）技術,，但對于7nm及以下節(jié)點SADP技術已無法滿足要求，必須采用四重甚至八重圖形技術,，這將導致成本大幅增加,，而且掩膜版之間的套刻精度也難以控制。為此,，學術界和工業(yè)界開始探索下一代光刻技術的解決方案,。2020年國際器件與系統路線圖（IRDS）將EUV光刻、定向自組裝（DSA）和納米壓印光刻（NIL）列為下一代光刻技術的主要候選方案。EUV光刻我們都有所了解或者比較熟悉些,，本文我們將探討下半導體工藝技術中的另一個研發(fā)熱點DSA,。
DSA先進光刻技術重回歷史舞臺？
定向自組裝（DSA）并不是一項新技術,，早在2007年它就作為潛在的光刻解決方案登上了舊的國際半導體技術路線圖 （ITRS）,。2010年左右，業(yè)界開始對自下而上圖案化方法定向自組裝（DSA）技術產生興趣,，甚至還引起了一番研究熱潮,。世界知名的代工廠如臺積電、三星,、英特爾,、GlobalFoundries等都在自家實驗室探索DSA，因為它有望解決先進光刻技術中的許多成本和復雜性問題,。
但好景不長,，隨著業(yè)界的不斷探索，他們發(fā)現這些材料容易出現缺陷,。DSA材料的貼裝精度也很難控制,。因此，考慮到這些問題,，芯片制造商便轉向在晶圓廠中采用更熟悉的多重圖案化技術,，例如自對準雙/四圖案化 （SADP/SAQP）。而事實證明,，沒有一種光刻技術可以滿足當前和未來的所有需求,，SADP/SAQP也逐漸受到了挑戰(zhàn)。因此,，隨著3nm到5nm光刻設備的討論,，DSA作為補充技術或將占有一席之地。
多位業(yè)內消息人士稱,，英特爾繼續(xù)對DSA抱有濃厚的興趣,，而其他芯片制造商正在重新審視該技術。此外,，一年一度的SPIE先進光刻會議,，自2012年起就為嵌段共聚物DSA光刻技術設立了分論壇，供來自世界一流的企業(yè),、研究機構以及高校的相關研究者在一起進行分享,、交流和討論DSA光刻技術最新的進展與未來發(fā)展方向。由此可見,，工業(yè)界對該技術高度重視并寄予厚望,。
需要知道的是,，DSA本身并不是一種工具技術，這是一種互補的圖案化方法,，可使用嵌段共聚物實現精細間距和預定義的圖案,。它是一種“自下而上”的光刻技術，而EUV光刻是“自上而下”,。DSA能夠突破傳統光學光刻的衍射極限,。
5nm之后，工具和技術的結合或將是產業(yè)關注的一個方向,。將DSA光刻與傳統的“自上而下”的EUV光刻相結合,，可以提高現有光刻工藝（例如自對準四重圖案化或 SAQP）的分辨率、修復圖形缺陷和改善關鍵結構的特征尺寸均勻性,，從而產生更高密度的半導體器件,。此外，DSA光刻還有望能將芯片制程推進到3nm甚至更小的技術節(jié)點,。
DSA的研究進展 #Human Progress
現在DSA正在取得顯著進展,，包括英特爾、IBM,、三星等國際知名半導體企業(yè)以及IMEC,、CEA-Leti 等研究機構以及開始針對DSA光刻技術開展了系統性的研究和產業(yè)化嘗試，他們在工藝開發(fā),、整合,、器件應用等方面為之努力。多個研究機構都建立了300mm晶圓DSA先導線,，已經有大量的研究結果顯示DSA光刻在300mm晶圓先導線上展示了優(yōu)異的性能,，這也為DSA光刻技術走向工業(yè)化生產邁出了重要的一步,。
DSA光刻技術能夠取得快速的進步與嵌段共聚物材料的發(fā)展密切相關,。目前，嵌段共聚物PS-b-PMMA已成為DSA領域的“黃金標準”,，PS是非極性聚合物,，而PMMA屬于極性聚合物。它的最小周期為22nm,，用于分子自組裝的機理探究以及工藝摸索,，PS-b-PMMA為DSA進入工業(yè)化生產提供了強有力的理論支持與技術指導。
2016年,，臺積電研究團隊以柱狀相PS-b-PMMA為材料,，采用物理外延法DSA光刻技術制備了接觸孔，并對接觸孔的缺陷進行了深入研究,。2019年,，imec基于PS-b-PMMA嵌段共聚物的DSA,，生成具有低且穩(wěn)定的缺陷率（即橋和位錯）的28 nm節(jié)距線/空間圖案。
然而,，PS-b-PMMA的χ值較?。é譃閮煞N聚合物之間的弗洛里—哈金斯相互作用參數），無法滿足當前集成電路制造中10nm及以下特征尺寸的需求,。所以為了解決工藝節(jié)點的不斷發(fā)展,，如更先進的7nm/5nm/3nm等，學術界也聚焦于合成高χ值的嵌段共聚物,，如PS-b-PPC,、PS-b-P2VP、PS-b-P4VP,、PS-b-PAA等,。這些高χ值材料經微相分離后形成的圖形特征尺寸均在10nm以下，可以很好地滿足目前集成電路制造的需求,。
在2021年的SPIE高級光刻會議上,，imec 首次展示了定向自組裝 （DSA） 的能力，使用高χ值嵌段共聚物材料制備了周期為18nm的線條光柵陣列結構,，他們與TEL切合作開發(fā)的定制干法蝕刻化學物質允許將18 nm線/空間圖案成功轉移到足夠深的 SiN 層中,，以進行后續(xù)缺陷檢查，而不會出現明顯的線擺動或線塌陷,。這些結果證實了DSA有潛力補充用于亞 2 納米技術節(jié)點的工業(yè)制造的傳統自上而下圖案化,。
在高χDSA 和隨后蝕刻到目標 SiN 層后，18nm 線/空間圖案的自上而下（左）和橫截面（右）SEM 圖像,。來源：IMEC
“近年來,，DSA 吸引了大量的工業(yè)興趣，已經發(fā)展成為一個由大學,、計量學家,、材料和設備供應商組成的寶貴生態(tài)系統。我們的 DSA 生態(tài)系統是我們迄今為止取得的成果的關鍵,，”imec的高級圖案化工藝和材料副總裁Steven Scheer說,。imec的DSA材料的合作伙伴包括德國的Merck、美國的Brewer Science,、東京電子等等,。
更重要的是，2021年TEL研究團隊報道了基于嵌段共聚物DSA光刻技術對化學圖案上的缺陷具有一定的修復能力,。嵌段共聚物為有機材料,，它具有一定的柔性與可壓縮性，因此對化學圖案上的缺陷存在一定的容忍度,。
德國的默克在2015年就已經開始試產電子級純度的DSA材料,，為 DSA光刻技術從實驗室走向工業(yè)化制造不懈努力,。“這項革命性技術有望徹底改變半導體制造工藝,，并將加快下一代構圖應用的引入,。”默克半導體解決方案全球負責人Anand Nambiar表示,。2020年9月,，默克在德國正式開設了新的電子應用研究中心，將致力于下一代顯示和半導體材料的研發(fā)活動,，其中半導體材料包括光刻膠材料,、電介質和DSA材料。2021年4月,，默克宣布投資2000萬歐元將擴大其在日本的研發(fā)和制造基地,，將建設新的基礎設施，以推動和加速電子材料的創(chuàng)新,，這個工廠所開發(fā)和制造的就包括DSA材料,。
許多研究機構已經意識到DSA的優(yōu)勢，并希望將其應用于微電子制造中,。目前,，基于嵌段共聚物的DSA光刻技術已經被用于制造各種半導體器件，如鰭式場效應晶體管（FinFET）,、存儲器,、位元圖案介質和光子器件等。在SPIE上發(fā)表的一篇論文中,，也指出了DSA應用于DRAM的可能性,。
DSA工業(yè)化面臨的挑戰(zhàn)
DSA光刻技術應用于工業(yè)化主要分大兩步，首先是采用“自上而下”的光刻工藝制備引導圖形,。然后,，嵌段共聚物分子在制備的引導圖形上進行自組裝。目前進行自組裝的研究已經頗多,，此前一直困擾DSA光刻的缺陷問題也逐漸控制到半導體行業(yè)所能接受的范圍,。并已經在300mm晶圓DSA先導線上進行了實踐,，證明了其進入工業(yè)化的可行性,。
問題主要在引導圖形上，目前關于DSA圖形化工藝的計算光刻以及EDA研究非常少,，這是DSA光刻工業(yè)化中所面臨的最大挑戰(zhàn),。因為在實際芯片制造中，其版圖非常復雜,，并不是簡單的規(guī)則圖形,。IBM研究團隊提出在芯片制造中融入DSA工藝,，開發(fā)一套計算光刻工具，實現設計工藝協同優(yōu)化,，形成材料,、設備、工藝,、計算光刻,、仿真模擬和EDA的完整產業(yè)鏈，推動DSA光刻技術真正進入工業(yè)化生產,。
當然,，嵌段共聚物DSA光刻技術進入工業(yè)生產，還需對DSA工藝,、材料以及與現有半導體產線的兼容性問題進行全面了解,。工藝方面，需要選擇合適的設備,，優(yōu)化工藝條件,，以實現高通量制造；材料方面,，要保證嵌段共聚物的批量化生產,、電子級純度以及穩(wěn)定性。此外,，還需采用先進的設備對缺陷進行檢測和分析,。
任何新技術在工業(yè)化的道路上都是漫長且崎嶇的，EUV光刻技術也是經歷幾十多年的發(fā)展,，DSA這項光刻技術無疑也將面臨一些波折,。不過DSA這項革新的自下而上的圖形形成方法以及在成本上的節(jié)約，將繼續(xù)支撐DSA研究者們的熱情,。