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索尼全球首發(fā),,雙層堆疊CMOS圖像傳感器

2021-12-17
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 索尼 半導(dǎo)體 傳感器

  索尼半導(dǎo)體部門宣布,,他們成功開發(fā)了世界上第一個(gè)具有兩層晶體管像素的堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù),可將光收集能力提高一倍,。

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  索尼解釋說,,典型的圖像傳感器將光電二極管和像素晶體管放置在同一基板上,但在這種新設(shè)計(jì)中,,它能夠?qū)⑺鼈兎珠_到不同的基板層上,。結(jié)果是傳感器的飽和信號(hào)電平大約翻了一番——基本上是它的聚光能力——這顯著提高了動(dòng)態(tài)范圍并降低了噪聲。

  飽和信號(hào)電平并不直接影響傳感器的聚光能力,,而是影響傳感器在昏暗環(huán)境中解釋光信息的準(zhǔn)確度的主要選通因素,。為了基本解釋,雙倍的聚光能力是這種進(jìn)步的最終結(jié)果,。

  典型的堆疊式 CMOS 傳感器使用像素芯片的結(jié)構(gòu),,該結(jié)構(gòu)由堆疊在邏輯芯片頂部的背照式像素組成,在邏輯芯片上形成信號(hào)處理電路,。在每個(gè)芯片內(nèi),,將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電二極管和控制信號(hào)的像素晶體管在同一層上彼此相鄰。

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  索尼的新架構(gòu)是堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù)的進(jìn)步,,該技術(shù)將光電二極管和像素晶體管分離到單獨(dú)的基板上,,這些基板彼此堆疊,而不是并排,。索尼表示,,新的堆疊技術(shù)可以采用允許光電二極管和像素晶體管層各自優(yōu)化的架構(gòu),從而使飽和信號(hào)水平相對(duì)于傳統(tǒng)圖像傳感器增加大約一倍,,進(jìn)而擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍,。

  “此外,因?yàn)槌齻鬏旈T (TRG) 以外的像素晶體管,,包括復(fù)位晶體管 (RST),、選擇晶體管 (SEL) 和放大器晶體管 (AMP),都占據(jù)無光電二極管層,,放大器晶體管的尺寸可以增加,,”索尼說?!巴ㄟ^增加放大器晶體管尺寸,,索尼成功地大幅降低了夜間和其他暗處圖像容易產(chǎn)生的噪聲?!?/p>

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  攝影的結(jié)果意味著更寬的動(dòng)態(tài)范圍(在惡劣的逆光或昏暗環(huán)境中的照片曝光更好)和在黑暗環(huán)境中拍攝的照片中的噪點(diǎn)更低,。索尼特別指出,在智能手機(jī)攝影的情況下,這項(xiàng)技術(shù)將使成像質(zhì)量越來越高,。新技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)將使像素不僅在當(dāng)前而且在更小的像素尺寸下都能保持或改善其現(xiàn)有特性,。

  最后一點(diǎn)特別重要,因?yàn)樗砻魉髂嵯嘈潘呀?jīng)找到了一種顯著提高智能手機(jī)傳感器照片質(zhì)量的方法,。簡(jiǎn)而言之,,由于這一突破,手機(jī)攝影的質(zhì)量很可能會(huì)出現(xiàn)性能的巨大飛躍,。

  索尼沒有具體說明何時(shí)計(jì)劃使用這項(xiàng)技術(shù)大規(guī)模制造傳感器,,但表示將繼續(xù)迭代設(shè)計(jì),以進(jìn)一步提高大小傳感器的圖像質(zhì)量,。




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