《電子技術(shù)應(yīng)用》
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替代IGBT的碳化硅還面臨著哪些挑戰(zhàn),?

2021-12-22
來源:電子發(fā)燒友
關(guān)鍵詞: 半導體 IGBT 碳化硅

  隨著汽車電動化趨勢的崛起,2021年新賣出的車輛中,,電動汽車已經(jīng)占據(jù)了5%的份額,。據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)預(yù)估,到2030年電動汽車的份額將超過30%,,上路的電動汽車數(shù)量將達到1500萬輛,。

  在汽車電氣化的牽引系統(tǒng)中,主逆變器中的功率模塊也多出了不少需求,。首先自然是更大的功率,,大功率意味著更大的扭矩。接著是更高的效率,,在電池容量有限的情況下,,更高的效率意味著更少的損失,等于更長的里程,。

  還有就是更高的電壓,,目前400V的電池已經(jīng)成為了主流標配,但800V的系統(tǒng)已經(jīng)開始冒頭,,比如保時捷Taycan和現(xiàn)代IONIQ5等,。隨著快充需求的激增,800V的快充方案和800V的電池也即將普及,,逆變器也必須要能夠經(jīng)受住這樣的高壓。

  其次是更低的重量,,重量的減少也讓整車重量變輕,,降低了電機負載,進而提升續(xù)航,。最后是更小的體積,,以便塞進車軸里,提供更大的車內(nèi)空間,。針對以上需求,,業(yè)界普遍將碳化硅視為了替代IGBT的下一代方案,。

  汽車牽引系統(tǒng)中的碳化硅

  那么在當下汽車的動力系統(tǒng)中,碳化硅靠什么優(yōu)勢來替代IGBT呢,?碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導體作為開關(guān)的功率模塊,,在汽車逆變器中用于高效地轉(zhuǎn)換電能。首先與硅材料相比,,碳化硅的硬度更高,,所以更適合燒結(jié)工藝,機械完整性更好,。

  碳化硅的另一大特質(zhì)就是高擊穿電壓,,在400V朝800V的過渡下,擊穿電壓也必須要加倍,。碳化硅的擊穿場強為2500kV/cm,,而硅材料只有300kV/cm,這意味碳化硅可以在更低的厚度下實現(xiàn)更高的擊穿電壓,。

  接著就是眾所周知的散熱能力,,碳化硅的導熱系數(shù)是硅的四倍以上,所以在散熱上更快,,進而減少電動汽車在散熱上的成本,。當然最重要的屬性自然是其禁帶寬度了,碳化硅3.23eV的禁帶寬度帶來了更高的電子遷移率和更低的損失,,開關(guān)速度也更快,。

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  VE-Trac Direct SiC / 安森美

  為了進一步擴展碳化硅在汽車牽引逆變器的應(yīng)用,安森美推出了全新的900V碳化硅功率模塊VE-Trac Direct SiC,,該模塊采用了six-pack的封裝,,分為1.7 mΩ和2.2 mΩ 導通電阻的版本。市面上做到如此低電阻的并不多,,大概也只有Wolfspeed的CAB760M12HM3之類的功率模塊才能與之對比了,,其導通電阻做到了1.33 mΩ。

  在測試仿真中,,安森美將VE-Trac Direct SiC與VE-Trac Direct IGBT 820A進行了對比,,在使用同樣電池的情況下,碳化硅功率模塊可以提高5%的效率,,意味著續(xù)航可以提升5%,。這樣的效率提升也用來降低成本,如果里程為固定目標的話,,使用碳化硅功率模塊可以減小電池的容量,,進而減少5%的電池成本。最后,,如果使用1.7 mΩ這樣的低阻碳化硅功率模塊的話,,與820A IGBT相比,,可以將功率提升29%。

  在其碳化硅產(chǎn)品的線上會議中,,安森美產(chǎn)品線經(jīng)理Jonathan Liao對未來碳化硅的產(chǎn)品以及800V電池帶來的優(yōu)勢發(fā)表了自己的見解,。首先碳化硅更高的擊穿電壓將進一步促進800V電池的普及,以更低的電流做到同樣的功率,,從而減少發(fā)熱,,而更高電壓的電池將提高車載逆變器的功率密度。

  在汽車層面上,,碳化硅實現(xiàn)了更高的電壓,、更低的電流和更少的橫截面電纜和連接器,進一步降低汽車重量,。此外,,碳化硅實現(xiàn)的更高充電功率,比如35kW以上,,可以實現(xiàn)在20分鐘內(nèi)充夠80%的電量,。Jonathan Liao也提到,雖然800V的趨勢已經(jīng)開始顯現(xiàn),,但未來還是高性能的車型會率先采用800V的架構(gòu),。

  不僅如此,除了凝膠6-pack的模塊外,,未來安森美也準備推出轉(zhuǎn)移模塑的碳化硅模塊,。利用先進的互聯(lián)技術(shù)進一步提升功率密度,甚至可以做到200攝氏度以上的工作溫度,,擴展碳化硅模塊的使用場景,。

  碳化硅普及的障礙

  那么有了這些優(yōu)勢,為什么如今汽車逆變器方案中為何沒有普及碳化硅的使用呢,? Jonathan Liao給出了5大原因以及碳化硅的現(xiàn)狀,。首先就是成本,相信不少了解碳化硅的人都知道碳化硅的價格要高于硅基IGBT,,然而Jonathan Liao表示,,目前碳化硅的成本固然要更高,但這主要體現(xiàn)在模塊成本上,,然而若考慮整車成本,,碳化硅的方案成本反而要更低一些。正如上文中提到的,,碳化硅可以減少電池上的成本,而整車方案中往往成本最高的部分就是電池,。

  接著是供應(yīng)問題,,目前碳化硅材料只有少數(shù)幾家廠商提供,,比如Wolfspeed、昭和電工和GT Advanced Technologies(GTAT)等,。目前不少半導體公司的碳化硅產(chǎn)品,,仍是靠與這些供應(yīng)商的合約來供應(yīng)。隨著安森美于今年收購GTAT后,,安森美有了自己生產(chǎn)碳化硅襯底和外延的能力,,其晶圓廠也開始準備從150mm朝200mm轉(zhuǎn)移。

  其次是技術(shù)成熟度,,Jonathan Liao指出與IGBT相比,,碳化硅確實技術(shù)成熟度比不上后者。但從該技術(shù)的發(fā)展速度,、研發(fā)投入和實際應(yīng)用來看,,無論是碳化硅半導體廠商還是汽車廠商,都認為碳化硅技術(shù)已經(jīng)可以用于汽車牽引系統(tǒng),。

  還有就是實現(xiàn)難度,,因為這是一個快速開關(guān)裝置,所以必須對原先的設(shè)計做出一些挑戰(zhàn),。最后是封裝問題,,目前碳化硅方案為了普及采用了與IGBT相近的封裝方案,隨著后續(xù)發(fā)展,,也會慢慢轉(zhuǎn)向更加先進的封裝方案,,提高壽命、散熱乃至性能上的表現(xiàn),。

  小結(jié)

  固然碳化硅替代IGBT還面臨著不少挑戰(zhàn),,但從半導體巨頭堅定投入的決心來看,這一寬禁帶半導體很快就會迎來在汽車市場的普及,。ST,、Wolfspeed、英飛凌,、羅姆和安森美等國外廠商的激烈競爭下,,國內(nèi)的碳化硅企業(yè)要想冒頭也并非一件易事。


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