12月23日消息,，近日，證監(jiān)會(huì)發(fā)布公告稱,，我會(huì)按法定程序同意蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊(cè),，將與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件,。

東微經(jīng)營(yíng)狀態(tài)良好,，凈利潤(rùn)增長(zhǎng)幅度高達(dá)504．34％

據(jù)了解，蘇州東微半導(dǎo)體最早在2021年11月19日提交了招股說(shuō)明書（注冊(cè)稿）,，注冊(cè)申請(qǐng)科創(chuàng)板IPO上市,。

根據(jù)招股說(shuō)明書內(nèi)容，東微半導(dǎo)體擁有逾 900 種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品型號(hào),，特別適用于直流大功率新能源汽車充電樁,、新能源汽車車載充電器、5G 通信電源,、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,、PC電源、適配器,、TV 電源板,、手機(jī)快速充電器等領(lǐng)域。

并且東微半導(dǎo)體的主要經(jīng)營(yíng)銷售的產(chǎn)品為 MOSFET 產(chǎn)品,，包括高壓超級(jí)結(jié)MOSFET 及中低壓屏蔽柵 MOSFET 等,。在未來(lái)幾年里,，東微半導(dǎo)體將繼續(xù)投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技術(shù)開發(fā),。

截止2021年9月30日,，東微半導(dǎo)體資產(chǎn)總額為56364．37萬(wàn)元,，同比增長(zhǎng)28．79％,，其2021年前三季度的總營(yíng)收為為55919．47萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)183．11％,，增長(zhǎng)速度迅猛,，凈利潤(rùn)為9276．86萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)504．34％,，東微半導(dǎo)體表示,，公司的營(yíng)收和凈利潤(rùn)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)，主要受益于于新能源汽車充電樁,、通信電源,、5G基站電源等終端市場(chǎng)需求快速提升，客戶對(duì)公司的采購(gòu)規(guī)模得到大幅度增長(zhǎng),。

（圖源東微招股說(shuō)明書）

本次上市成功后,，東微半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將募集到的資金在金扣除發(fā)行費(fèi)用后，繼續(xù)加碼公司主營(yíng)產(chǎn)品超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件,，并用于科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金項(xiàng)目中,，具體情況如下：

MOSFET市場(chǎng)前景良好，東微獲華為哈勃,、聚源聚芯增資

據(jù)Omdia統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,，2020 年度全球高壓超級(jí)結(jié) MOSFET 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模為 9．4 億美元，并將于 2024 年達(dá)到 10 億美元,。采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓 MOSFET 相對(duì)于普通高壓MOSFET 具有更高的成長(zhǎng)性,，預(yù)計(jì)在高壓 MOSFET 市場(chǎng)的占比將持續(xù)提升。

目前,，東微半導(dǎo)體司在高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域擁有包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù),、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專利技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了與國(guó)際領(lǐng)先廠商可比的水平,。在中低壓領(lǐng)域,，公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對(duì)準(zhǔn)加工等核心技術(shù),，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平,。

受益于MOSFET產(chǎn)品良好的市場(chǎng)前景以及東微半導(dǎo)體 MOSFET 功率器件的良好表現(xiàn)，中芯國(guó)際控股子公司持股的聚源聚芯及華為哈勃紛紛加碼東微半導(dǎo)體,。

在2017 年 3 月 20 日,，聚源聚芯與東微有限簽署《蘇州東微半導(dǎo)體有限公司投資協(xié)議》,，約定由聚源聚芯向東微有限投資 2000萬(wàn)元，成為東微半導(dǎo)體第四大股東,，占股11．3636％,。

2020 年 4 月 29 日，哈勃投資與東微有限股東簽署《增資協(xié)議》,，約定哈勃投資向東微有限投資 7530萬(wàn)元,，自此華為哈勃成為東微半導(dǎo)體的第6大股東，占股7％,。

在經(jīng)歷了多次增資之后,，東微半導(dǎo)體的前10股東與股本結(jié)構(gòu)如下所示：

新興產(chǎn)業(yè)助力MOSFET器件迅猛發(fā)展

據(jù)了解，東微半導(dǎo)體是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè),，其超級(jí)結(jié) MOSFET產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于熱門領(lǐng)域如新能源汽車直流充電樁,、5G 基站電源及通信電源等領(lǐng)域。

新能源汽車充電樁

近年來(lái),，國(guó)內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)持續(xù)火熱,，在2020年，新能源汽車充電樁更是被列入國(guó)家七大“新基建”領(lǐng)域之一,。2020 年 5 月兩會(huì)期間,，《政府工作報(bào)告》中強(qiáng)調(diào)“建設(shè)充電樁，推廣新能源汽車,，激發(fā)新消費(fèi)需求,、助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)”。

近幾年來(lái),，國(guó)內(nèi)充電站保有量已由 2015 年 1069 座增加到 2019 年的 35849 座,，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 140．64％。

而充電站所需要用到的功率器件主要以高壓MOSFET 為主,。超級(jí)結(jié) MOSFET 因其更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應(yīng)用產(chǎn)品,。

5G基站

目前全球范圍內(nèi)正火熱興起的5G基站建設(shè)同樣需要用到MOSFET功率器件,。

2019年中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議提出要加快5G商用步伐；2020年3月中央政治局常委會(huì)會(huì)議突出強(qiáng)調(diào),，要加快5G網(wǎng)絡(luò),、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度；

到了今年的12月20日,，全國(guó)工業(yè)和信息化工作會(huì)議在北京召開,。會(huì)議介紹，今年以來(lái),，我國(guó)已建成開通5G基站超過(guò)130萬(wàn)個(gè),，5G終端用戶達(dá)到4．97億戶,，居于全球第一。

因?yàn)?G基站的功率要求較高,，且建設(shè)密度密集,，需要大量的電源供應(yīng)需求及性能強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件，所以5G基站事業(yè)的發(fā)展,，將進(jìn)一步拉動(dòng)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。

據(jù)了解，4G 基站所需功率為 6．877kW,，而 5G 基站所需功率為 11．577kW,，提升幅度達(dá)到 68％,。對(duì)于多通道基站,，功率要求甚至可能達(dá)到 20kW。更高的覆蓋密度,、更大的功率需求對(duì) MOSFET 等功率器件產(chǎn)生了更大的需求,。

其中，東微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品超結(jié)級(jí)MOSFET功率器件使用了電荷平衡理論,，能夠顯著降低高電壓下 MOSFET 單位面積的導(dǎo)通電阻,，并且超級(jí)結(jié) MOSFET 擁有極低的 FOM 值，可實(shí)現(xiàn)極低的開關(guān)能量損耗和驅(qū)動(dòng)能量損耗,，這就使超級(jí)結(jié) MOSFET 可以很好地滿足 5G 基站建設(shè)需求,。

新能源汽車

同樣的，隨著現(xiàn)在汽車行業(yè)正逐步向著智能化方向推進(jìn),，新能源汽車的發(fā)展勢(shì)頭不止,，而相較于傳統(tǒng)燃油車，新能源汽車對(duì)于車規(guī)級(jí)功率器件的需求量更大,。

根據(jù)2020 年 11 月國(guó)務(wù)院印發(fā)的《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021－2035 年）》數(shù)據(jù)顯示,，2025年新能源汽車新車銷售量達(dá)到汽車新車銷售總量的20％左右，年總銷量將達(dá)到500－600 萬(wàn)輛,。以2025年年總銷量600萬(wàn)輛測(cè)算,，未來(lái)5年新能源汽車新車銷售復(fù)合年均增長(zhǎng)率為 34％左右。

新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,，代表著汽車行業(yè)對(duì)于半導(dǎo)體芯片的需求增加,，根據(jù)Strategy Analytics 提供的數(shù)據(jù)分析，傳統(tǒng)燃料汽車中功率半導(dǎo)體芯片的占比僅為 21．0％,，而新能源汽車中功率半導(dǎo)體芯片的占比高達(dá) 55％,。而IGBT、MOSFET等多項(xiàng)功率半導(dǎo)體是源汽車價(jià)值量提升最多的部分,。

綜上所述,，新能源汽車,、5G 通信基站建設(shè)、充電樁等行業(yè)的迅猛發(fā)展,，將帶來(lái)巨大的功率半導(dǎo)體旗艦需求,。

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)潛力巨大

眾所周知，近幾年來(lái),，全球的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展勢(shì)頭良好,，半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)普遍處于供不應(yīng)求狀態(tài)，多家半導(dǎo)體廠商受益于此,，營(yíng)收大增,。根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)顯示，2019 年全球功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模約為 160 億美元,。MOSFET器件是功率分立器件領(lǐng)域中占比最大的產(chǎn)品,，全球市場(chǎng)份額達(dá)到 52．51％；

目前,，國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還在持續(xù)發(fā)展,，市場(chǎng)規(guī)模龐大，是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),，2019 年國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 177 億美元,，增速為－3．3％，占全球市場(chǎng)比例高達(dá) 38％,。預(yù)計(jì)未來(lái)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長(zhǎng),，2024 年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 206 億美元，

如今,，東微半導(dǎo)體即將上市,，將募集到大量資金，再加上其自有的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù),，將為其帶來(lái)強(qiáng)勁的核心競(jìng)爭(zhēng)力,，在全球及國(guó)內(nèi)的功率器件市場(chǎng)里占據(jù)一席之地。