簡(jiǎn)介

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、片上系統(tǒng)(SoC)和微處理器等數(shù)據(jù)處理IC不斷擴(kuò)大在電信,、網(wǎng)絡(luò),、工業(yè),、汽車,、航空電子和國(guó)防系統(tǒng)領(lǐng)域的應(yīng)用,。這些系統(tǒng)的一個(gè)共同點(diǎn)是處理能力不斷提高，導(dǎo)致原始功率需求相應(yīng)增加,。設(shè)計(jì)人員很清楚高功率處理器的熱管理問題,，但可能不會(huì)考慮電源的熱管理問題。與晶體管封裝處理器本身類似,，當(dāng)?shù)蛢?nèi)核電壓需要高電流時(shí),，熱問題在最差情況下不可避免——這是所有數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的總體電源趨勢(shì)。

DC-DC轉(zhuǎn)換器需求概述：EMI,、轉(zhuǎn)換比率,、大小和散熱考慮

通常，F(xiàn)PGA/SoC/微處理器需要多個(gè)電源軌,，包括用于外圍和輔助電源的5 V、3.3 V和1.8 V，用于DDR4和LPDDR4的1.2 V和1.1 V,，以及用于處理核心的0.8 V,。產(chǎn)生這些電源軌的DC-DC轉(zhuǎn)換器通常從電池或中間直流母線獲取12 V或5 V輸入電壓。為了將這些電源直流電壓降至處理器所需的更低的電壓,，自然會(huì)選用開關(guān)模式降壓轉(zhuǎn)換器,，因?yàn)樗鼈冊(cè)诖蠼祲罕葧r(shí)效率高。開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器有數(shù)百種類型,，但很多都可分為控制器（外部MOSFET）或單片穩(wěn)壓器（內(nèi)部MOSFET）,。我們先來看看前者。

傳統(tǒng)控制器解決方案可能不符合要求

傳統(tǒng)開關(guān)模式控制器IC驅(qū)動(dòng)外部MOSFET,，具有外部反饋控制環(huán)路補(bǔ)償元件,。由此產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換器效率很高且功能多樣，同時(shí)提供高功率,，但所需的分立元件的數(shù)量使得設(shè)計(jì)相對(duì)復(fù)雜且難以優(yōu)化,。外部開關(guān)也會(huì)限制開關(guān)速度，在空間寶貴的情況下這是一個(gè)問題,，比如在汽車或航空電子設(shè)備環(huán)境中,，因?yàn)檩^低的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致整個(gè)元件體積更大。

另一方面,，單片穩(wěn)壓器則可以極大地簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),。本文深入討論整體解決方案，首先介紹“減小尺寸,，同時(shí)改善EMI”部分,。

不要忽視最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間

另一個(gè)重要考慮因素是轉(zhuǎn)換器的最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，或其在足以從輸入電壓降至輸出電壓的占空比下運(yùn)行的能力,。降壓比越大,，所需最小導(dǎo)通時(shí)間越低（也取決于頻率）。同樣地,，最小關(guān)斷時(shí)間對(duì)應(yīng)于壓差：在輸出電壓不再受支持之前輸入電壓能降到多低,。雖然增加開關(guān)頻率的好處是整體解決方案更小，但最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間會(huì)設(shè)置工作頻率的上限,?？傊@些值越低,，在設(shè)計(jì)小尺寸和高功率密度時(shí)就有越多的余地,。

注意真實(shí)的EMI性能

其他噪聲敏感器件要安全運(yùn)行，還需要具備出色的EMI性能,。在工業(yè),、電信或汽車應(yīng)用中,，電源設(shè)計(jì)的一個(gè)重點(diǎn)是最大限度地減少EMI。為了使復(fù)雜的電子系統(tǒng)能夠協(xié)同工作,，不因EMI重疊而產(chǎn)生問題,，采用了嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)，如CISPR 25和CISPR 32輻射EMI規(guī)范,。為了滿足這些要求,，傳統(tǒng)電源方法通過減慢開關(guān)邊緣和降低開關(guān)頻率來減少EMI——前者降低了效率，提高了散熱,，而后者降低了功率密度,。

降低的開關(guān)頻率還可能違背CISPR 25標(biāo)準(zhǔn)中的530 kHz至1.8 MHz AM頻段EMI要求?？梢圆捎脵C(jī)械減緩技術(shù)來降低噪聲水平,，包括復(fù)雜、大尺寸的EMI濾波器或金屬屏蔽,，但這些技術(shù)不但增加了大量成本,，而且使電路板空間、元件數(shù)量和裝配復(fù)雜性增加,，并進(jìn)一步使熱管理和測(cè)試復(fù)雜化,。這些策略都不能滿足小尺寸、高效率和低EMI的要求,。

減小尺寸,，同時(shí)改善EMI、熱性能和效率

很明顯,，電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)已變得十分復(fù)雜,，這給系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了沉重的負(fù)擔(dān)。為了減輕這種負(fù)擔(dān),，一個(gè)好的策略是尋找具有同時(shí)解決許多問題功能的電源IC解決方案：降低電路板的復(fù)雜性,，高效率地工作，最大限度地減少散熱,，并產(chǎn)生低EMI,。可支持多個(gè)輸出通道的功率IC可進(jìn)一步簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和生產(chǎn),。

開關(guān)集成在封裝中的單片電源IC可實(shí)現(xiàn)其中多個(gè)目標(biāo),。例如，圖1所示為完整的雙路輸出解決方案板,，說明了單片穩(wěn)壓器的緊湊簡(jiǎn)單,。此處使用的IC中的集成MOSFET和內(nèi)置補(bǔ)償電路只需要幾個(gè)外部元件。此解決方案的總核心尺寸僅為22 mm × 18 mm,，部分通過相對(duì)較高的2 MHz開關(guān)頻率實(shí)現(xiàn),。

雙路輸出,、單片穩(wěn)壓器的性能

圖3顯示了圖1所示解決方案的測(cè)量效率。對(duì)于單通道操作,，使用該解決方案,，在輸入電壓為12 V時(shí)，3.3 V電源軌的峰值效率達(dá)到94%,，1.2 V電源軌的峰值效率達(dá)到87%。對(duì)于雙通道操作,，LT8652S在12 V輸入電壓時(shí)每個(gè)通道達(dá)到90%的峰值效率,，在8.5 A負(fù)載電流時(shí)每個(gè)通道達(dá)到86%的全負(fù)載效率。由于關(guān)斷時(shí)間跳過功能,，LT8652S的延長(zhǎng)占空比接近100%,，使用最低輸入電壓范圍調(diào)節(jié)輸出電壓。20 ns典型最小導(dǎo)通時(shí)間甚至使其可在高開關(guān)頻率下操作穩(wěn)壓器,，直接從12 V電池或直流母線生成小于1 V的輸出電壓——最終減少整體解決方案大小和成本,，同時(shí)避免了AM頻段。具有集成旁路電容的Silent Switcher? 2技術(shù)可防止可能出現(xiàn)的布局或生產(chǎn)問題,，從而避免影響出色的臺(tái)式EMI和效率性能,。

高電流負(fù)載的差分電壓檢測(cè)

對(duì)于高電流應(yīng)用，每一英寸PCB線路都會(huì)導(dǎo)致大幅壓降,。對(duì)于現(xiàn)代核心電路中需要極窄電壓范圍的典型低電壓,、高電流負(fù)載，壓降會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的問題,。LT8652S提供差分輸出電壓檢測(cè)功能,，允許客戶創(chuàng)建開爾文連接，以實(shí)現(xiàn)輸出電壓檢測(cè)和直接從輸出電容進(jìn)行反饋,。它可以校正最高±300 mV的輸出接地線路電位,。圖4顯示LT8652S利用差分檢測(cè)功能對(duì)兩個(gè)通道進(jìn)行負(fù)載調(diào)整。

監(jiān)控輸出電流

在一些高電流應(yīng)用中,，必須收集輸出電流信息來進(jìn)行遙測(cè)和診斷,。此外，根據(jù)工作溫度限制最大輸出電流或降低輸出電流可防止損壞負(fù)載,。因此,，需要進(jìn)行恒壓、恒流操作以精確調(diào)節(jié)輸出電流,。LT8652S使用IMON引腳監(jiān)控并減少負(fù)載的有效調(diào)節(jié)電流,。

當(dāng)IMON對(duì)負(fù)載設(shè)置調(diào)節(jié)電流時(shí)，可根據(jù)IMON和GND之間的電阻來配置IMON以減小此調(diào)節(jié)電流,。負(fù)載/電路板溫度降額可使用正溫度系數(shù)熱敏電阻來設(shè)置,。當(dāng)電路板/負(fù)載溫度上升時(shí),，IMON電壓增加。為了減小調(diào)節(jié)電流,，將IMON電壓與內(nèi)部1 V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較以調(diào)節(jié)占空比,。IMON電壓可低于1 V，但這樣就不會(huì)產(chǎn)生影響,。圖5顯示激活I(lǐng)MON電流環(huán)路前后的輸出電壓和負(fù)載電流曲線,。

低電磁輻射(EMI)

為了使復(fù)雜的電子系統(tǒng)能夠工作，對(duì)單個(gè)元件解決方案應(yīng)用了嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn),。為了在多個(gè)行業(yè)中保持一致性,，廣泛采用了各種標(biāo)準(zhǔn)，如CISPR 32工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和CISPR 25汽車標(biāo)準(zhǔn),。為了獲得出色的EMI性能,，LT8652S在EMI消除設(shè)計(jì)中采用了領(lǐng)先的Silent Switcher 2技術(shù)，并使用集成環(huán)路電容以盡量減少有噪天線尺寸,。加上集成MOSFET和小尺寸,，LT8652S解決方案可提供出色的EMI性能。圖6顯示圖1所示LT8652S標(biāo)準(zhǔn)演示板的EMI測(cè)試結(jié)果,。圖6a顯示峰值檢測(cè)器的CISPR 25輻射EMI結(jié)果,，圖6b顯示CISPR 32輻射EMI結(jié)果。

可獲得更大電流和更好熱性能的并聯(lián)操作

隨著數(shù)據(jù)處理速度的飆升和數(shù)據(jù)量的倍增,，為滿足這些需求,，F(xiàn)PGA和SoC的能力也隨之?dāng)U展。電源需要功率,，且電源應(yīng)保持功率密度和性能,。然而，不能為了增加功率密度而失去簡(jiǎn)單性和穩(wěn)健性的優(yōu)點(diǎn),。對(duì)于要求超過17 A電流能力的處理器系統(tǒng),，可將多個(gè)LT8652S并聯(lián)且錯(cuò)相運(yùn)行。

圖7顯示兩個(gè)并聯(lián)的轉(zhuǎn)換器可在1 V時(shí)提供34 A輸出電流,。通過將U1的CLKOUT連接至U2的SYNC,，使主單元時(shí)鐘與從單元同步。由此產(chǎn)生的每通道90°相位差減少了輸入電流紋波,，并將熱負(fù)載擴(kuò)散到電路板上,。

為確保在穩(wěn)定狀態(tài)和啟動(dòng)期間更好的均流，將VC,、FB,、SNSGND和SS連接在一起。建議使用開爾文連接以獲得精確的反饋和抗噪性能,。在接地引腳附近將盡可能多的熱通孔放置到底層,，以改善熱性能,。輸入熱回路的陶瓷電容應(yīng)靠近VIN引腳放置。

由于駕駛條件可能發(fā)生劇烈,、頻繁和快速變化,，SoC必須及時(shí)適應(yīng)快速變化的負(fù)載，因此,，汽車SoC施加的負(fù)載瞬態(tài)要求可能很難滿足,。外圍電源的負(fù)載電流壓擺率達(dá)100 A/μs，核心電源的壓擺率甚至更高,，這是很常見的,。然而，在快速負(fù)載電流壓擺率下,，必須將電源輸出的電壓瞬變最小化。>2 MHz的快速開關(guān)頻率可快速恢復(fù)瞬變,，且輸出電壓偏移最小,。圖7顯示利用快速開關(guān)頻率和穩(wěn)定動(dòng)態(tài)環(huán)路響應(yīng)的正確的環(huán)路補(bǔ)償元件值。在電路板布局中,，最大限度地減少電路輸出電容到負(fù)載的線路電感也是至關(guān)重要的,。

結(jié)論

FPGA、SoC和微處理器的處理能力不斷提高,，原始功率需求也相應(yīng)增加,。隨著所需功率電軌數(shù)量及其承載能力的增加，必須考慮設(shè)計(jì)小型電源系統(tǒng),，并加快系統(tǒng)性能,。LT8652S是電流模式、8.5 A,、18 V同步Silent Switcher 2降壓穩(wěn)壓器,，輸入電壓范圍為3 V至18 V，適用于從單節(jié)鋰離子電池到汽車輸入的輸入源應(yīng)用,。

LT8652S的工作頻率范圍為300 kHz至3 MHz,，使設(shè)計(jì)人員可盡量減少外部元件尺寸并避免關(guān)鍵頻段，如調(diào)頻廣播,。Silent Switcher 2技術(shù)可保證出色的EMI性能,，既不會(huì)犧牲開關(guān)頻率和功率密度，也不會(huì)犧牲開關(guān)速度和效率,。Silent Switcher 2技術(shù)還在封裝中集成了所有必要的旁路電容,，可最大限度地減少布局或生產(chǎn)可能引起的意外EMI，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和生產(chǎn),。

Burst Mode?（突發(fā)工作模式）操作將靜態(tài)電流減少到只有16 μA,，同時(shí)使輸出電壓紋波保持在低值,。4 mm × 7 mm LQFN封裝和極少數(shù)外部元件可確保外形緊湊，同時(shí)盡量減少解決方案成本,。LT8652S的24 mΩ/8 mΩ開關(guān)提供超過90%的效率,，而可編程欠壓閉鎖(UVLO)可優(yōu)化系統(tǒng)性能。輸出電壓的遠(yuǎn)程差分檢測(cè)在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)都保持高精度,，同時(shí)不受線路阻抗的影響,，從而最大限度地降低了外部變化造成負(fù)載損壞的可能性。其他功能包括內(nèi)部/外部補(bǔ)償,、軟啟動(dòng),、頻率折返和熱關(guān)斷保護(hù)。

作者簡(jiǎn)介

Dong Wang是ADI公司的一名電源產(chǎn)品應(yīng)用工程師,，于2013年加入凌力爾特,。目前他為非隔離式單芯片降壓轉(zhuǎn)換器提供應(yīng)用支持。Dong Wang對(duì)電源管理解決方案和模擬電路有著廣泛的興趣,，包括高頻電源轉(zhuǎn)換,、分布式電源系統(tǒng)、功率因數(shù)校正技術(shù),、低壓高電流轉(zhuǎn)換技術(shù),、高頻磁集成以及轉(zhuǎn)換器的建模和控制。他畢業(yè)于中國(guó)杭州浙江大學(xué),，獲得電氣工程博士學(xué)位,。