《電子技術(shù)應(yīng)用》
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新能源OBC放量,,派恩杰SiC MOS憑世界領(lǐng)先性能率先上車

2021-12-29
作者:王潔
來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用

在新能源汽車中,,車載充電機(jī)(On-board charger,OBC)是完成將交流電轉(zhuǎn)換為電池所需的直流電,,并決定充電功率和效率的關(guān)鍵部件,,OBC技術(shù)的進(jìn)步與用戶充電體驗(yàn)有著非常大的關(guān)系。隨著電動(dòng)汽車的市場(chǎng)擴(kuò)大和儲(chǔ)能市場(chǎng)的興起,,對(duì)OBC在性能上提出了更高的要求,。據(jù)悉,國(guó)內(nèi)的龍頭企業(yè)早在5年前就開始用SiC做OBC,,如今OBC的技術(shù)越來(lái)越成熟,,體積越做越小,,成本越做越低,正值放量增長(zhǎng)期,。

然而,,目前國(guó)產(chǎn)芯片廠商能做出SiC MOS的不多,國(guó)產(chǎn)汽車廠在SiC方面還是使用CREE,、羅姆、ST產(chǎn)品為主,。國(guó)內(nèi)獨(dú)一家的以創(chuàng)業(yè)公司身份通過(guò)國(guó)內(nèi)車企OBC碳化硅測(cè)試的企業(yè)——派恩杰,,一家年輕的第三代半導(dǎo)體功率器件的fabless公司,其SiC MOS產(chǎn)品在新能源汽車OBC應(yīng)用驗(yàn)證取得了重大突破,,獲得了新能源汽車龍頭企業(yè)數(shù)千萬(wàn)訂單,,并已開始低調(diào)供貨。


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派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼總裁 黃興博士(圖源:派恩杰公司)

OBC放量,,SiC供應(yīng)鏈資源稀缺

之前有行業(yè)專家認(rèn)為隨著整個(gè)充電樁特別是超快速的充電樁的普及,,OBC會(huì)從車上拿下來(lái),派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼總裁黃興表示目前這個(gè)情況是不會(huì)發(fā)生的:“因?yàn)镺BC雖然功率比較小,,快充充電樁一般都是200千瓦,、300千瓦,而OBC只有11千瓦,,最多22千瓦,,這個(gè)充電速度肯定不能同日而語(yǔ)。一方面,,OBC作為一個(gè)應(yīng)急的充電方案,,給客戶在使用電動(dòng)汽車時(shí)提供了一個(gè)極大的安全保障,只要220伏的交流插進(jìn)去,,就可以保證車處于充電狀態(tài),。”

“另一方面,,隨著電動(dòng)汽車的普及和應(yīng)用,,它也有作為儲(chǔ)能電池往外放電的需求,目前國(guó)內(nèi)一些車廠已經(jīng)將雙向OBC作為標(biāo)配放在車上,。作為雙向的解決方案,,用SiC是最劃算的,它跟儲(chǔ)能的方案極其類似,,能量因?yàn)榇嬖谥p向流動(dòng),,只能用MOS?!?span style="text-indent: 32px;">黃興接著說(shuō)道,。

如今OBC的技術(shù)越來(lái)越成熟,,體積越做越小,成本越做越低,。黃興表示現(xiàn)在正是OBC放量的時(shí)候,。對(duì)于汽車廠商則是一番攻城略地,興起的汽車廠勢(shì)必會(huì)爭(zhēng)搶稀缺的SiC供應(yīng)鏈資源,。目前SiC全球的供給僅在車的領(lǐng)域就已經(jīng)不夠了,。有消息稱,近日國(guó)際某個(gè)龍頭企業(yè)SiC MOS交期剛從52周延長(zhǎng)到80周,。

在SiC持續(xù)緊俏的情況下,,多家國(guó)際大廠紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn),國(guó)內(nèi)在SiC的投入也在加大,,至于產(chǎn)能過(guò)剩的擔(dān)心,,黃興表示至少2025年前不會(huì)出現(xiàn):“我們看到新能源市場(chǎng)在2025年前都是一個(gè)持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)的情況,而整個(gè)SiC目前全國(guó)的產(chǎn)能投入量雖然很大,,但質(zhì)量還沒有達(dá)到可以供應(yīng)車用的水平,。目前國(guó)內(nèi)大部分友商投入的SiC產(chǎn)能主要還是在供二極管,能量單向流動(dòng)的應(yīng)用為主,。而新能源很多應(yīng)用主要是能量雙向流動(dòng),,只能用MOS,不能用二極管,,而且整個(gè)MOS的品控和技術(shù)難度相對(duì)來(lái)說(shuō)是比較大的,。雖然說(shuō)國(guó)內(nèi)投入了大量的資產(chǎn),但是這些產(chǎn)能目前還沒有看到他們能夠釋放出來(lái)的跡象,,就算產(chǎn)能足夠釋放出來(lái),,到2025年前應(yīng)該趕不上市場(chǎng)爆發(fā)的速度?!?/p>

國(guó)產(chǎn)SiC MOS難突破

目前國(guó)產(chǎn)的SiC產(chǎn)品主要以SiC二極管為主,,SiC MOS的國(guó)產(chǎn)化則相對(duì)更加艱難。究其原因,,黃興解釋道:“目前SiC這個(gè)行業(yè)相對(duì)來(lái)說(shuō)比較新,,到目前為止,很多商用軟件在仿真碳化硅的時(shí)候,,給出的預(yù)測(cè)都非常不準(zhǔn)確,,給設(shè)計(jì)者帶來(lái)了很大的難度。在仿真里設(shè)計(jì)出一個(gè)很好的器件一旦流片出來(lái),,發(fā)現(xiàn)跟設(shè)計(jì)的完全不一樣,。因?yàn)镾iC相對(duì)來(lái)說(shuō)是一個(gè)比較小的細(xì)分行業(yè),很多仿真軟件不會(huì)專門為SiC投入太多的資源,導(dǎo)致這方面模型缺失,。這就需要設(shè)計(jì)者從最底層物理上的模型,,如SiC自身的電子遷移率、雪崩擊穿的模型,、熱學(xué)仿真模型,、工藝柵氧生長(zhǎng)等方面對(duì)SiC材料進(jìn)行校準(zhǔn),不斷地進(jìn)行實(shí)驗(yàn)迭代和完善,?!?/p>

“另一方面,SiC本身材料成本比較高,,目前開發(fā)幾十款料號(hào)的成本就巨額上升,。加之SiC加工難度比較大,很多工廠不具備這樣的加工條件,,就會(huì)極大地限制整個(gè)研發(fā)迭代的速度,這也是目前很多SiC公司很難推出成熟產(chǎn)品一個(gè)重要原因,?!秉S興解補(bǔ)充道。

師從“IGBT之父”Jayant Baliga和ETO晶閘管發(fā)明人Alex Q. Huang,,黃興有著10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗(yàn),,2014-2017年在美期間發(fā)布20余款SiC/GaN量產(chǎn)產(chǎn)品,發(fā)布全球首款6英寸SiC3300V MOSFET器件,,發(fā)明首個(gè)可雙向耐壓SiC結(jié)終端結(jié)構(gòu),。2018年,正值半導(dǎo)體行業(yè)低谷,,黃興看到了中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的機(jī)會(huì):“我當(dāng)時(shí)看到了SiC的前景,,掌握這個(gè)技術(shù)能夠生產(chǎn)這個(gè)產(chǎn)品的主要還是歐美日三個(gè)地區(qū)的公司,而中國(guó)又占據(jù)了絕大部分的需求,,卻沒有這樣的公司,,我覺得回來(lái)填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白是比較有意義的事情,我就在那個(gè)時(shí)間點(diǎn)選擇了回來(lái),?!?/p>

得益于在模型上的多年積累、各種量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以及客戶應(yīng)用方面經(jīng)驗(yàn)的積累,,得益于有著30年經(jīng)驗(yàn)的成熟代工廠X-FAB快速的迭代周期的支持,,使得派恩杰在僅3年多的時(shí)間就得以飛速發(fā)展。2019年3月,,派恩杰發(fā)布了第一款可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件,;同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白;2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心,、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V,、1700V工業(yè)級(jí)MOS以及用于車載充電機(jī)的650V車規(guī)級(jí)MOS;2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級(jí)MOS,,應(yīng)用于電動(dòng)汽車電驅(qū)單管及模塊,;2021年7月,完成1200V 62mm SiC模塊的開發(fā),。

自建SiC模塊封裝產(chǎn)線,,加速SiC上車

黃興指出,國(guó)內(nèi)很多工廠在車規(guī)模塊上已經(jīng)很有建樹了,,SiC上車目前核心的,、在國(guó)內(nèi)比較缺失的就是SiC功率模塊。從碳化硅自身高頻高速,、低功耗的特性看,,SiC已不太適合使用以前傳統(tǒng)的功率模塊,現(xiàn)在SiC在市面上量產(chǎn)比較成功的模塊還是像特斯拉的T pack和目前大眾批量應(yīng)用的板橋模塊的形式,。國(guó)內(nèi)這兩年的碳化硅功率模塊比較欠缺,,因此派恩杰想借助自身芯片上的先發(fā)優(yōu)勢(shì),在模塊上繼續(xù)進(jìn)行技術(shù)的延伸和積累,,擬建車用碳化硅模塊封裝產(chǎn)線,。

由于派恩杰采用自己的芯片,對(duì)芯片在工業(yè)和汽車上的應(yīng)用積累了大量的數(shù)據(jù),,知道自身芯片的優(yōu)勢(shì)和特性,,因此在整個(gè)模塊聯(lián)合的設(shè)計(jì)中,會(huì)進(jìn)行聯(lián)合芯片上下聯(lián)動(dòng)的調(diào)校和優(yōu)化,,讓模塊去適應(yīng)芯片,。如英飛凌等功率模塊做得好的國(guó)際大廠,其成功也與用自己的芯片關(guān)系重大,。

“SiC缺陷類型有很多種,,從成本的控制和良率的角度,有些缺陷工業(yè)級(jí)可以容忍,,車規(guī)則不能容忍,。可以把不符合車規(guī)的芯片挑出來(lái),,去做工業(yè)級(jí)的產(chǎn)品,。至于一些致命缺陷,可以提前篩選出來(lái),。另外,,可以想辦法給材料廠提要求,幫助優(yōu)化他們的產(chǎn)品,找到一個(gè)折衷的平衡點(diǎn),?!贬槍?duì)如何提供良率,黃興進(jìn)行了解釋說(shuō)明,。

黃興指出,,目前派恩杰的產(chǎn)品良率在業(yè)內(nèi)處于平均偏上的范圍,綜合良率是80%-90%,,不同型號(hào)會(huì)有所不同,。一般中小功率的芯片良率會(huì)在90%以上,功率偏大的,,就會(huì)往下面掉,,這是目前SiC原材料缺陷所導(dǎo)致的。如果拋開材料缺陷,,只談fab缺陷,,良率是99%以上。


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SiC MOS指標(biāo)對(duì)比(圖源:派恩杰公司)

目前派恩杰的技術(shù)是對(duì)標(biāo)CREE第三代平面柵SiC MOS,,有客戶端評(píng)測(cè),,其碳化硅的性能是全球前三。

在HDFM(器件的Rds(on)×器件的Qgd)這項(xiàng)評(píng)價(jià)指標(biāo)中,,HDFM是衡量功率半導(dǎo)體優(yōu)劣的一個(gè)重要參數(shù)指標(biāo),該數(shù)值越低說(shuō)明器件的綜合損耗更小,,效率更高,。理想情況下,同樣的應(yīng)用場(chǎng)景,,若派恩杰的SiC MOSFET功耗為10W,,S品牌14W,C品牌11.8W,,R品牌13.6W,,某國(guó)產(chǎn)品牌20W??梢娕啥鹘茉谒械钠矫鏂偶夹g(shù)里面是最好的,,在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗這兩方面指標(biāo)中,可以給客戶提供最優(yōu)的解決方案,。

此外,,在一些抗極限的指標(biāo)實(shí)測(cè)中,如峰值功率,、峰值電流和一些雪崩測(cè)試,,派恩杰都可以滿足比較苛刻的工業(yè)要求和車規(guī)的要求。目前上車的SiC MOS以平面柵技術(shù)為主,派恩杰堅(jiān)持在平面柵技術(shù)上不斷迭代,,將Rds(on)×Qgd這個(gè)HDFM指標(biāo)越做越小,,保持技術(shù)上的先進(jìn)性。

黃興透露,,預(yù)計(jì)2022年初產(chǎn)線動(dòng)工,,到2022年底會(huì)有樣品出來(lái)。

當(dāng)前在全球SiC產(chǎn)業(yè)格局里,,中國(guó)市場(chǎng)有著難得的機(jī)遇,。黃興表示:“中國(guó)現(xiàn)在最大的一個(gè)機(jī)遇就是碳達(dá)峰、碳中和趨勢(shì),,現(xiàn)在已經(jīng)作為國(guó)家的一個(gè)重大戰(zhàn)略在進(jìn)行部署,。另外就是全球產(chǎn)業(yè)鏈,我國(guó)也開始強(qiáng)調(diào)自主安全的供應(yīng)鏈上的要求,,我們也得到了以前行業(yè)客戶的重視,。隨著全球疫情的漫延,導(dǎo)致國(guó)際產(chǎn)業(yè)鏈重新整合,,可能國(guó)外供不上的產(chǎn)品,,現(xiàn)在中國(guó)可以供上,整體來(lái)說(shuō)得到了很多以前沒有的一些機(jī)會(huì),?!?/p>

不可否認(rèn)的是,從全球的角度,,SiC與IGBT相比,,整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈還很脆弱。國(guó)內(nèi)更是如此,,需求端不斷膨脹,,而供給端目前還是處在一個(gè)技術(shù)迭代和技術(shù)驗(yàn)證的階段,很多產(chǎn)能還釋放不出來(lái),。派恩杰認(rèn)為面臨最大的挑戰(zhàn)在于要幫助材料供應(yīng)商去提升能力,,但這并不是其自身所擅長(zhǎng)的?!斑@給我們對(duì)整個(gè)供應(yīng)鏈的管理,,包括培養(yǎng)供應(yīng)鏈帶來(lái)了一些疑問(wèn)。我們也只能在戰(zhàn)爭(zhēng)中學(xué)習(xí)戰(zhàn)爭(zhēng),,在不斷積累自身核心技術(shù)的同時(shí),,也要想辦法幫助上下游的供應(yīng)鏈和客戶的一起成長(zhǎng)?!秉S興指出了當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn),。相信隨著更多有責(zé)任心的企業(yè)加入,,共同助力產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展,就有機(jī)會(huì)抓住國(guó)內(nèi)機(jī)遇,,進(jìn)一步加速本土SiC MOS上車,。

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