近些年,，在晶圓代工（Foundry）市場,，三星一直沒有放緩追趕行業(yè)龍頭臺(tái)積電的腳步，然而，在市占率方面,，三星仍然沒有縮小與臺(tái)積電的差距,，后者依然在小幅,、穩(wěn)步提升著,，目前，臺(tái)積電約占全球晶圓代工市場56%的份額,，三星則為17%左右,，三星已經(jīng)在這一市占率數(shù)字附近徘徊多年，一直難有明顯提升,。

　　在這種情況下,，臺(tái)積電在投資規(guī)模、市場影響力,、技術(shù)先進(jìn)性,、良率等方面依然沒有放松，仍在全情投入,。不過,，三星也沒有喪失信心，特別是借近兩年全球芯片短缺的東風(fēng),，三星又祭出了一系列措施，以求在未來幾年有較大發(fā)展,。

　　三星再發(fā)力

　　近期,，三星最大的一個(gè)動(dòng)作就是高層大調(diào)整。這是在三星實(shí)控人李在镕出獄后做出的,，目標(biāo)是重振三星集團(tuán),，發(fā)起高層人事部門大換血,，破格調(diào)整高管，前所未有,。其中,，三星全面撤換半導(dǎo)體、手機(jī),、消費(fèi)電子三大事業(yè)主管,，并將手機(jī)及消費(fèi)電子事業(yè)合并，此舉透露出三星集團(tuán)經(jīng)營重心已轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體,，讓投資人信心大增,。特別值得注意的是，有8名四十多歲的副社長晉升者,，從該公司主力事業(yè)半導(dǎo)體事業(yè)（DS）部來看,，存儲(chǔ)事業(yè)部商品企劃組副社長Young-su Son（47歲）、Foundry事業(yè)部銷售團(tuán)隊(duì)副社長Seung-cheol Shin（48歲）,、美洲總管副社長Chan-ik Park（49歲）等晉升,。

　　半導(dǎo)體是三星的重中之重，其中,，存儲(chǔ)是其傳統(tǒng)優(yōu)勢業(yè)務(wù)板塊,，而Foundry是追趕龍頭的中堅(jiān)力量，也是未來發(fā)力的重點(diǎn),，高層年輕化可以提升干勁兒和活力,。

　　在制程工藝方面，已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)是5nm,，這方面,，三星明顯落后于臺(tái)積電，特別是在成熟度和良率方面,，去年,，采用三星5nm制程的高通Snapdragon 888就出現(xiàn)過熱問題，也輸給臺(tái)積電5nm制程的蘋果A14,、M1芯片效能表現(xiàn),，今年蘋果A15 芯片效能更遠(yuǎn)勝S888。

　　在4nm方面,，三星宣布4LPP將在2022年滿足該公司客戶的要求,。由于4LPP依賴于熟悉的FinFET，三星的客戶使用此節(jié)點(diǎn)將容易得多,。

　　此前,，三星將其4LPE視為其7LPP工藝的演進(jìn)工藝，也許這是因?yàn)?nm比5nm具有非常明顯的PPAc（功率,，性能,，面積,，成本）優(yōu)勢，或者因?yàn)榇嬖趯?shí)質(zhì)性的內(nèi)部變化（例如,，新材料,，極紫外光刻的使用率顯著提高等）。

　　據(jù)悉,，三星在2021年同時(shí)提高了其4LPE和5LPP技術(shù)的產(chǎn)量,，這使其能夠?yàn)椴煌男酒O(shè)計(jì)提供不同的PPAc優(yōu)勢。

　　3nm方面,，三星計(jì)劃在2022上半年推出3nm,，雖然相較于臺(tái)積電3nm制程同年下半年才會(huì)推出，但臺(tái)積電7月法說指出,，主要是配合客戶時(shí)程,。目前，三星晶圓代工主要客戶包括高通,、IBM,、顯卡大廠NVIDIA，以及自家的處理器芯片,。

　　李在镕8月假釋出獄后,，立即宣布未來3年投入240兆韓元(約2050億美元) ，鞏固該公司在后疫情時(shí)代科技產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位,，稱該公司的3nm制程采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-AroundGAA）不會(huì)輸給競爭對(duì)手,、也就是臺(tái)積電。

　　三星3nm制程研發(fā)規(guī)劃分為2個(gè)階段,，第一代的GAA GAE(GAA-Early)與第二代3nm GAP(GAA-Plus),，2019年稱3nmGAE制程2020年底前展開風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2021年開始量產(chǎn),，但目前未見蹤影,，外界認(rèn)為將延遲到2023年才會(huì)量產(chǎn)。

　　三星就算宣稱3nm正式流片,，預(yù)計(jì)2022年上半年量產(chǎn),，但跟先前IBM宣稱推出全球首款2nm GAA技術(shù)，雖然證實(shí)技術(shù)的可行性,，重點(diǎn)仍在于制程的良率問題,，能否脫離實(shí)驗(yàn)室大規(guī)模量產(chǎn)。

　　三星也強(qiáng)調(diào),，與5nm制程相比,，其首顆3nm制程GAA技術(shù)芯片面積將縮小35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%,。三星也表示3nm制程良率正在逼近4nm制程,，預(yù)計(jì)2022 年推出第一代 3 nm 3GAE 技術(shù)，,，2023 年推出新一代3 nm 3GAP技術(shù),。

　　在制程工藝方面，三星一直與IBM保持著密切的合作,。近期,，這兩家公司宣布推出了一種創(chuàng)新技術(shù)，名為VTFET,，它的凸出特點(diǎn)是允許晶體管在垂直方向上堆疊,。不僅有助于縮Chiplet的尺寸，還能夠使之變得更加強(qiáng)大和高效,。

　　此前的2D半導(dǎo)體芯片,，都是水平放置在硅表面上的，而電流則沿著水平方向去流動(dòng),。得益于3D垂直設(shè)計(jì),，新技術(shù)將有助于突破摩爾定律的性能限制，以達(dá)成更高的能源效率,。與當(dāng)前的FinFET相比,，VTFET 有望帶來翻倍的性能、以及高達(dá) 85% 的效率提升,。此外,，由于降低了靜電和寄生損耗（SS=69/68 mV/dec 且 DIBL= <30mV），VTFET有望提供出色的工作電壓和驅(qū)動(dòng)電流,。

　　研究人員使用VTFET制作了功能性環(huán)形振蕩器（測試電路）,。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，與橫向參考設(shè)計(jì)相比,，新技術(shù)可減少 50% 的電容,。

　　不過，三星和IBM并沒有給出VTFET技術(shù)的商業(yè)化和量產(chǎn)時(shí)間表,。

　　除了制程技術(shù),，近期，三星在芯片封裝方面也有創(chuàng)新方案推出,。11月,，三星宣布，已與Amkor Technology聯(lián)合開發(fā)出混合基板立方體 (H-Cube) 技術(shù),，這是其最新的 2.5D 封裝解決方案,。2.5D 封裝使邏輯芯片或高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 能夠以小尺寸放置在硅中介層的頂部，H-Cube 技術(shù)采用混合基板與能夠進(jìn)行精細(xì)凸塊連接的細(xì)間距基板和高密度互連 (HDI) 基板相結(jié)合,，以實(shí)現(xiàn)大尺寸的 2.5D 封裝,。

　　隨著HPC,、AI 和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用細(xì)分市場對(duì)規(guī)格的要求不斷增加，隨著安裝在一個(gè)封裝中的芯片數(shù)量和尺寸的增加或需要高帶寬通信,，大面積封裝變得越來越重要,。對(duì)于包括中介層在內(nèi)的硅芯片的附著和連接，細(xì)間距基板是必不可少的,，但隨著尺寸的增加,，價(jià)格會(huì)顯著上漲。當(dāng)集成6個(gè)或更多 HBM 時(shí),，大面積基板的制造難度迅速增加,，導(dǎo)致效率下降。三星通過應(yīng)用混合基板結(jié)構(gòu)解決了這個(gè)問題,。

　　通過將連接芯片和基板的焊球間距比傳統(tǒng)焊球間距減少 35%,，可以將細(xì)間距基板的尺寸最小化，同時(shí)在細(xì)間距基板下增加 HDI 基板,。此外,，為了提高H-Cube方案的可靠性，三星應(yīng)用了其專有的信號(hào)/電源完整性分析技術(shù),，在堆疊多個(gè)邏輯芯片和HBM時(shí),，可以穩(wěn)定供電，同時(shí)最大限度地減少信號(hào)損失或失真,。

　　綜上,，三星在高層調(diào)整、投資,、制程工藝和封裝方面的全情投入,，就是要不斷提升其競爭力，以在與臺(tái)積電的競爭中爭奪主動(dòng)權(quán),。

　　穩(wěn)健前行的臺(tái)積電

　　臺(tái)積電2021年資本支出達(dá)到300億美元,，并擬定了3年共1000億美元的投資計(jì)劃，其中八成將用于先進(jìn)制程技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)能建設(shè),。

　　在全球范圍內(nèi)擴(kuò)充產(chǎn)能方面,，三星與臺(tái)積電在競爭，不過,，從今年的情況來看,，三星似乎處在下風(fēng)。兩家都將在美國建設(shè)新晶圓廠,，主要生產(chǎn)5nm制程芯片,。但在美國以外，臺(tái)積電更加受追捧，例如,，臺(tái)積電已經(jīng)與日本政府和索尼達(dá)成協(xié)議,，將在日本建設(shè)28nm和22nm制程晶圓廠，最近還有消息傳出,，德國也在積極地接觸臺(tái)積電,，很希望其在德國建設(shè)晶圓廠。

　　制程工藝方面,，近兩年，7nm和5nm制程量產(chǎn)的成功與穩(wěn)定,，幫助臺(tái)積電賺得了更多了大牌客戶訂單,，且這些客戶對(duì)臺(tái)積電的依賴度不斷提升，在這方面,，三星則略遜一籌,。

　　蘋果是臺(tái)積電的第一大客戶，而且25.93%的份額遙遙領(lǐng)先其他所有臺(tái)積電客戶,；第二大客戶是聯(lián)發(fā)科,，他們的訂單營收占比5.8%；AMD排名第三,，近年來加大了與臺(tái)積電的合作,，7nm芯片及明年的5nm芯片訂單都是臺(tái)積電代工，有消息稱AMD已是臺(tái)積電最大的7nm客戶,；高通排名第四,，份額3.9%，這主要是高通近年來將驍龍8系高端芯片代工交給了三星,，減少了在臺(tái)積電的占比,；高通之后是博通、NVIDIA,、索尼,、STM、ADI,，以及Intel,。據(jù)悉，Intel明年有望用上臺(tái)積電的3nm工藝,，比例會(huì)提升,。

　　4nm方面，臺(tái)積電于10月推出了N4P,，做為臺(tái)積電5nm家族的第3個(gè)主要強(qiáng)化版本,，N4P的效能較原先的N5增快11%，也較N4增快6%。相較于N5,，N4P的功耗效率提升22%,，晶體管密度增加6%。同時(shí),，N4P藉由減少光罩層數(shù)來降低制程復(fù)雜度且改善芯片的生產(chǎn)周期,。

　　據(jù)悉，N4P基本上就是2022年蘋果新一代iPhone所搭載A16芯片所用制程,。供應(yīng)鏈業(yè)者透露,， A16芯片將有架構(gòu)上大幅更動(dòng)，采用N4P制程可以透過Chiplet封裝(Chiplet),，再增加芯片的晶體管集積度（Density）,、降低成本，更可以提高運(yùn)算效能及有效降低功耗,。外媒MacRumors也披露,，iPhone 14的A16芯片將采用4nm制程，較前兩代iPhone搭載A14,、A15的5nm芯片,，尺寸更小，效能提高且更省電,。

　　3nm方面,，臺(tái)積電仍然采用FinFET架構(gòu)，其技術(shù)研發(fā)已經(jīng)完成,，臺(tái)積電近期已開始進(jìn)行3nm測試芯片在Fab 18B廠正式下線投片的初期先導(dǎo)生產(chǎn),。

　　臺(tái)積電在日前法人說明會(huì)中指出，3nm制程2021年進(jìn)行試產(chǎn),，并預(yù)計(jì)在2022年下半年進(jìn)入量產(chǎn),，2023年第一季將會(huì)看到明顯營收貢獻(xiàn)。臺(tái)積電3nm預(yù)計(jì)2022年第四季開始擴(kuò)大投片規(guī)模,，同時(shí)進(jìn)入產(chǎn)能拉升階段,，進(jìn)度符合預(yù)期，屆時(shí)臺(tái)積電將成為業(yè)界首家大規(guī)模量產(chǎn)3nm的半導(dǎo)體廠,，以及擁有最大極紫外光（EUV）先進(jìn)邏輯制程產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠,。

　　5G手機(jī)芯片及HPC運(yùn)算芯片會(huì)是臺(tái)積電3nm量產(chǎn)第一年的主要投片產(chǎn)品。業(yè)界預(yù)期,，蘋果及英特爾將會(huì)是3nm量產(chǎn)初期兩大客戶,，后續(xù)包括AMD、高通,、聯(lián)發(fā)科,、博通,、邁威爾等都會(huì)在2023年開始采用3nm生產(chǎn)新一代芯片。

　　臺(tái)積電的3nm雖然強(qiáng)大,，但三星也在緊追不放,，且其代工業(yè)務(wù)一直都有成本優(yōu)勢，而3nm制程的成本更加高昂,，這方面三星可能會(huì)有更多的操作空間,。面對(duì)高昂的成本，以及三星的進(jìn)攻,，臺(tái)積電也在想辦法提升競爭力,，特別是要在降低成本方面多花心思。為此,，該公司推出了EUV持續(xù)改善計(jì)劃（CIP）,，在維持摩爾定律進(jìn)程上，希望減少先進(jìn)制程EUV光罩使用道數(shù),，從而降低成本。

　　ASML今年下半年推出的EUV光刻機(jī)NXE：3600D價(jià)格高達(dá)1.4～1.5億美元,，每小時(shí)吞吐量達(dá)160片12吋晶圓,，基于5nm制程的4nm進(jìn)行改良，EUV光罩層大約在14層之內(nèi),，3nm制程將達(dá)25層,，導(dǎo)致成本暴增，不是所有的客戶都愿意采用,。透過CIP,，臺(tái)積電有望降至20層，雖然芯片尺寸將略為增加,，但是有助于降低生產(chǎn)成本與晶圓代工報(bào)價(jià),，讓客戶更有意愿導(dǎo)入3nm制程。

　　除了制程工藝,，臺(tái)積電在封裝方面也在不斷更新內(nèi)容,。8月，在 HotChips33 年度會(huì)議期間,，該公司介紹了其最先進(jìn)的封裝技術(shù)路線圖,，并且展示了為下一代Chiplet架構(gòu)和內(nèi)存設(shè)計(jì)做好準(zhǔn)備的最新一代 CoWoS 解決方案。

　　據(jù)悉,，臺(tái)積電最新的第5代CoWoS封裝技術(shù),，有望將晶體管數(shù)量增加至第3代封裝解決方案的20倍。新封裝將增加 3 倍的中介層面積,、8 個(gè) HBM2e 堆棧（容量高達(dá) 128 GB）,、全新的硅通孔（TSV）解決方案、厚 CU 互連、以及新的 TIM（Lid 封裝）方案,。

　　之后,，臺(tái)積電將升級(jí)到第6代CoWoS 封裝工藝，其特點(diǎn)是能夠集成更多的Chiplet和 DRAM 內(nèi)存,，預(yù)計(jì)可在同一封裝內(nèi)容納多達(dá)8組HBM3內(nèi)存和2組Chiplet,。

　　臺(tái)積電還將以 Metal Tim 的形式，提供最新的 SoC 散熱解決方案,。與初代 Gel Tim 方案相比,，Metal Tim 有望將封裝熱阻降低到前者的 0.15 倍。

　　結(jié)語

　　三星與臺(tái)積電的競爭已經(jīng)持續(xù)多年,，在全球性芯片短缺,，以及產(chǎn)業(yè)變革的當(dāng)下，這兩大晶圓代工廠之間的市場爭奪戰(zhàn)會(huì)不會(huì)更“好看”呢,？值得期待,。