行業(yè)主要上市企業(yè)：目前國內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)的上市公司主要有華潤微（688396）,、三安光電（600703）,、士蘭微（600460）、聞泰科技（600745）,、新潔能（605111）,、露笑科技（002617）,、斯達(dá)半導(dǎo)（603290）等。

本文核心數(shù)據(jù)：第三代半導(dǎo)體分類,、SiC,、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值、SiC,、GaN電子電力和GaN微波射頻市場規(guī)模

行業(yè)概況

1,、定義

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）,、氧化鋅（ZnO）,、金剛石、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,，被稱為第三代半導(dǎo)體材料,，目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

與傳統(tǒng)材料相比,，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫,、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,，因此,，其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場,、更高的導(dǎo)熱頻,，以及更強(qiáng)的抗輻射能力等諸多優(yōu)勢，在高溫,、高頻,、強(qiáng)輻射等環(huán)境下被廣泛應(yīng)用,。

第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）,、氮化鎵（GaN）,、金剛石、氧化鋅（ZnO）,，其中,，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,。

2,、產(chǎn)業(yè)鏈剖析：產(chǎn)業(yè)鏈涉及多個(gè)環(huán)節(jié)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分為上游原材料供應(yīng)，中游第三代半導(dǎo)體制造和下游第三代半導(dǎo)體器件環(huán)節(jié),。上游原材料包括襯底和外延片,；中游包括第三代版奧體設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測試,；下游為第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用,，包括微波射頻器件、電力電子器件和光電子器件等,。中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈如下：

第三代產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)國內(nèi)均有企業(yè)涉足,。從事襯底片的國內(nèi)廠商主要用露笑科技、三安光電,、天科合達(dá),、山東天岳、維微科技,、科恒晶體,、鎵鋁光電等等；從事外延片生產(chǎn)的廠商主要有瀚天天成,、東莞天域,、晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源,、英諾賽科等,。蘇州能訊、四川益豐電子,、中科院蘇州納米所等,；從事第三代半導(dǎo)體器件的廠商較多,，包括比亞迪半導(dǎo)體,、聞泰科技、華潤微,、士蘭微,、斯達(dá)半導(dǎo),、揚(yáng)杰科技、泰科天潤等,。

行業(yè)發(fā)展歷程：興起的時(shí)間較短

中國第三代半導(dǎo)體興起的時(shí)間較短,，2013年，科技部863計(jì)劃首次阿靜第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為國戰(zhàn)戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè),。

2016年,，為第三代半導(dǎo)體發(fā)展元年，國務(wù)院國家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展小組將第三半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為發(fā)展重點(diǎn),，國內(nèi)企業(yè)擴(kuò)大第三半導(dǎo)體研發(fā)項(xiàng)目投資,，行業(yè)進(jìn)入快速發(fā)展期。

2018年1月,，中車時(shí)代電氣建成國內(nèi)第一條6  英寸碳化硅生產(chǎn)線,；2018年，泰科天潤建成了國內(nèi)第一條碳化硅器件生產(chǎn)線,；2019年9月,，三安集成已建成了國內(nèi)第一條6英寸氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）外延芯片產(chǎn)線并投入量產(chǎn),。在2020年7月,，華潤微宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。

2020年9月,，第三代半導(dǎo)體寫入“十四五”規(guī)劃,，行業(yè)被推向風(fēng)口。

行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1,、產(chǎn)值規(guī)模逆勢增長

隨著5G,、新能源汽車等市場發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長,。同時(shí),，中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響給國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料帶來了發(fā)展良機(jī)。2020年在國內(nèi)大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長乏力的大背景下,，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)逆勢增長,。

2020年我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值超過100億元，較2019年同比增長69．5％,。

其中,，SiC、GaN電子電力產(chǎn)值規(guī)模達(dá)44．7億元,，同比增長54％,；GaN微波射頻產(chǎn)值達(dá)到60．8億元，同比增長80．3％。

2,、產(chǎn)能大幅增長但仍供應(yīng)不足

根據(jù)CASA數(shù)據(jù)顯示截至2020年底,，我國SiC導(dǎo)電型襯底折算4英寸產(chǎn)能約40萬片／年，SiC－on－SiC外延片折算6英寸產(chǎn)能約為22萬片／年,，SiC－onSiC器件／模塊（4／6英寸兼容）產(chǎn)能約26萬片／年,。

GaN－on－Si外延片折算6英寸產(chǎn)能約為28萬片／年，GaN－on－Si器件／模塊折算 6 英寸產(chǎn)能約為22萬片／年,。

但隨著新能源汽車,、5G、PD快充等市場的發(fā)展,，我國國產(chǎn)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品無法滿足龐大的市場需求,，目前有超過八成產(chǎn)品以來進(jìn)口?？梢姷谌雽?dǎo)體產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間較大,。

3、電力電子器件市場規(guī)模接近50億元

2017－2020年,，中國SiC,、GaN電力電子器件應(yīng)用市場快速增長，2020年,，SiC,、GaN電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模為46．8億元，同比增長90％,。

2020年,，我國半導(dǎo)體分立器件的市場規(guī)模約3002．6億元，SiC,、GaN電力電子器件的應(yīng)用滲透率約為1．56％,。

目前，GaN主要應(yīng)用在射頻及快充領(lǐng)域,。SiC重點(diǎn)應(yīng)用于新能源汽車和充電樁領(lǐng)域,。我國作為全球最大的新能源汽車市場，第三代半導(dǎo)體器件在新能源汽車充電樁領(lǐng)域的滲透快于整車市場,，占比達(dá)38％,；消費(fèi)類電源（PFC）占22％；光伏逆變器占了15％,；工業(yè)及商業(yè)電源,、不間斷電源UPS、快充電源,、工業(yè)電機(jī)分別占6％,、3％,、3％、1％,。

2020年，我國GaN微波射頻器件市場規(guī)模約為66．1億元,，同比增長57．2％,。其中國防軍事與航天應(yīng)用規(guī)模34．8億元，成為GaN射頻主要拉動因素,。

國防軍事與航天應(yīng)用是我國GaN微波射頻器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域,，2020年市場規(guī)模占整個(gè)GaN射頻器件市場的53％；其次是無線基礎(chǔ)設(shè)施,，下游市場占比為36％,。

行業(yè)競爭格局

1、區(qū)域競爭格局：江蘇省第三代半導(dǎo)體代表性企業(yè)分布最多

當(dāng)前,，我國第三代半導(dǎo)體初步形成了京津冀魯,、長三角、珠三角,、閩三角,、中西部等五大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域。

從我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)區(qū)域分布來看,，第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)在全國絕大多數(shù)省份均有分布,。其中河南省第三代半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)量分布最多，同時(shí)山東,、江蘇和甘肅等省份企業(yè)數(shù)量也相對集中,。

從代表性企業(yè)分布情況來看，江蘇省第三代半導(dǎo)體代表性企業(yè)分布最多,，如蘇州納維,、晶湛半導(dǎo)體、英諾賽科等,。同時(shí)廣東,、山東代表性企業(yè)也有較多代表性企業(yè)分布。

2,、企業(yè)競爭格局：主流企業(yè)加速擴(kuò)張布局

經(jīng)過初期的發(fā)展,，第三代半導(dǎo)體迅速在新能源汽車、5G基站,、PD快充等領(lǐng)域應(yīng)用,，市場規(guī)模增長迅速。同時(shí),，行業(yè)內(nèi)的競爭也逐漸加劇,。為了迎合市場需求,，搶占市場地位，國內(nèi)主流半導(dǎo)體企業(yè)均加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局,，擴(kuò)充第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)能,。其中，代表性的主流企業(yè)有三安光電,、中電科55所,、泰科天潤等。

行業(yè)發(fā)展前景及趨勢預(yù)測

1,、2025年行業(yè)規(guī)模有望超過500億元

第三代半導(dǎo)體已經(jīng)寫入“十四五”規(guī)劃,。在國家政策的支持和下游需求增長的背景下，預(yù)計(jì)到2021－2025年,，我國SiC,、GaN電力電子器件應(yīng)用市場將以45％的年復(fù)合增長率增長至2025年的近300億元；GaN微波射頻器件市場規(guī)模將以25．4％的年均復(fù)合增長率增長至2025年的205億元,。2025年第三代半導(dǎo)體整體市場規(guī)模有望超過500億元,。

2、國產(chǎn)化進(jìn)程將加速

未來,，在市場競爭趨勢方面,，我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)化率將會加深；在細(xì)分產(chǎn)品發(fā)展趨勢方面,，SiC需求將會增長,；在技術(shù)發(fā)展趨勢方面，大尺寸Si基GaN外延等問題將會有所進(jìn)展,。