雖然在2021年時(shí),，大家就都知道2022年會(huì)是3nm芯片的量產(chǎn)之時(shí)，因三星,、臺(tái)積電都有過(guò)表示,，但具體是什么時(shí)候，大家都沒(méi)有細(xì)說(shuō),。

而近日,，終于傳出了確切消息，那就是三星代工市場(chǎng)戰(zhàn)略團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Moonsoo Kang正式對(duì)外表示,，2022上半年三星第一代的3nm GAA （3GAAE）制程技術(shù)將量產(chǎn),，最遲不會(huì)超過(guò)二季度,，而下半年將開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。

此外,，Moonsoo Kang還表示,，三星的3nm芯片，會(huì)按照之前的計(jì)劃,，采用GAAFET晶體管技術(shù),，而不是繼續(xù)使用從14nm就開(kāi)始的FinFET晶體管技術(shù)。

而基于GAA技術(shù),，三星還將開(kāi)發(fā)出第二代GAA技術(shù),，稱(chēng)之為3GAAP（3nm Gate－All－Around Plus），預(yù)計(jì)于明年,，也就是2023年量產(chǎn),。

估計(jì)聽(tīng)到這個(gè)消息后，臺(tái)積電還是有點(diǎn)慌的,，并不是因?yàn)槿且慨a(chǎn)3nm芯片了，而主要是因?yàn)槿鞘褂昧薌AA晶體管技術(shù),，確實(shí)比臺(tái)積電在3nm時(shí)使用的FinFET晶體管更先進(jìn),。

GAA晶體管能夠提供比FinFET 技術(shù)更好的靜電特性，能夠讓芯片進(jìn)一步微縮,，也就是晶體管密度更大,，另外還能降低柵極電壓，讓功耗降低,。

所以如果三星的GAA技術(shù)的3nm芯片進(jìn)展迅速,，良率比較高的話，對(duì)于臺(tái)積電而言,，確實(shí)是一個(gè)非常大的壓力,，說(shuō)不定能夠從臺(tái)積電這搶到更多的客戶。

而按照三星的說(shuō)法,，3nmGAA芯片,，較上一代的5nm的FinFET技術(shù)，面積能夠縮小35％,，性能提高30％,，或功耗提高50％。

接下來(lái)就讓我靜態(tài)三星新一代的3nm芯片何時(shí)量產(chǎn)了,，我想臺(tái)積電也是在拭目以待,，看看三星能不能借3nm工藝，威脅到自己的地位,，畢竟三星一直想要打敗臺(tái)積電,，成全球代工廠商中的冠軍的,。

當(dāng)然，臺(tái)積電和三星在3nm競(jìng)爭(zhēng),，于我們而言,，只是神仙打架，畢竟中芯才14nm,，離3nm還好幾代,，再加上10nm以下的設(shè)備受限，可以說(shuō)離3nm還遙不可及,。