【2022年2月15日,，德國(guó)慕尼黑訊】高功率密度,、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求,。為此,，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down,，簡(jiǎn)稱(chēng)SD）功率MOSFET,，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案,。該功率MOSFET采用PQFN 封裝,，尺寸為3.3 x 3.3 mm2,，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍,。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo),，并降低BOM成本,，在功率MOSFET的性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,，涵蓋電機(jī)驅(qū)動(dòng),，適用于服務(wù)器、電信和OR-ing的SMPS,，以及電池管理系統(tǒng)等,。

與傳統(tǒng)的漏極底置（Drain-Down）封裝相比，最新的源極底置封裝技術(shù)能夠讓器件的外形尺寸接近于裸芯片,。此外,，這種創(chuàng)新封裝技術(shù)還能降低損耗，進(jìn)一步增強(qiáng)器件的整體性能,。相較于最先進(jìn)的漏極底置封裝,，采用源極底置封裝可使RDS(on)降低30％。這一技術(shù)創(chuàng)新能夠?yàn)橄到y(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)的主要優(yōu)勢(shì)包括：縮小外形尺寸,，從SuperSO8 5 x 6 mm2封裝轉(zhuǎn)變到PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝,，可減少約65%的占位空間,，讓可用空間得到更有效的利用，從而提高終端系統(tǒng)的功率密度和系統(tǒng)效率,。

此外,，在源極底置封裝中，熱量通過(guò)導(dǎo)熱墊傳遞到PCB上,，而非通過(guò)內(nèi)部引線鍵合或銅夾帶設(shè)計(jì),，以此來(lái)改善散熱效果。這也使得結(jié)-殼熱阻（RthJC）從1.8K/W降到了1.4K/W,，降幅超過(guò)20%,，從而能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的熱性能。英飛凌目前推出的兩個(gè)型號(hào)占板面積不同,，它們分別是SD標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極布局和SD門(mén)極居中布局,。在標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極布局中，電氣連接的位置保持不變,，方便將標(biāo)準(zhǔn)的漏極底置封裝簡(jiǎn)單直接地替換成新的源極底置封裝,；而在中央門(mén)極布局封裝中，門(mén)極引腳被移到中心位置以便于多個(gè)MOSFET并聯(lián),。這兩種型號(hào)都能夠優(yōu)化PCB布局,，使得寄生效應(yīng)降低，PCB損耗改進(jìn),，且易于使用,。

供貨情況

OptiMOS? 源極底置功率MOSFET現(xiàn)已開(kāi)始供貨，其采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝,，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍,，目前推出的兩個(gè)型號(hào)占板面積不同。