【2022年3月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業(yè)標準,。這些新器件采用薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝,尺寸極小,,卻具有顯著的性能優(yōu)勢,。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務器、通訊,、便攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優(yōu)化,。這些功率MOSFET還可在無人機中,應用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊,。眾所周知,,無人機通常需要尺寸小,、重量輕的元器件。
這些領先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝,,具備更高的功率密度,、小巧的外形尺寸以及業(yè)界極低的導通電阻,能夠進一步降低能耗,。2 x 2 mm2的小尺寸封裝,,為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外,,該解決方案還具有出色的電氣性能,,可進一步提高終端應用的功率密度,縮小外形尺寸,。同時,,系統(tǒng)溫度的降低、性能的提升,,也讓熱管理變得更加輕松,。這些特性有助于實現(xiàn)更小巧的客戶應用,充分節(jié)省空間,、降低系統(tǒng)成本,,打造易于設計的產(chǎn)品。
供貨情況
采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列現(xiàn)已上市:
·PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)
·PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)