據(jù)媒體報(bào)道,國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局反壟斷司的經(jīng)營(yíng)者集中簡(jiǎn)易案件公示顯示,北京車(chē)和家汽車(chē)科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):車(chē)和家)與湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng):三安半導(dǎo)體)將成立合營(yíng)企業(yè),。

(源自國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局反壟斷司經(jīng)營(yíng)者集中簡(jiǎn)易案件公示)

公示顯示,車(chē)和家擬與三安半導(dǎo)體共同設(shè)立和經(jīng)營(yíng)一家合資公司,其中,車(chē)和家持有合資公司70%股權(quán),三安半導(dǎo)體持有合資公司30%股權(quán),。但交易雙方享有對(duì)合資公司的共同控制權(quán),。

資料顯示,車(chē)和家主要從事新能源汽車(chē)的設(shè)計(jì),、研發(fā),、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,公司成立于2021年3月,法定代表人為理想汽車(chē)創(chuàng)始人李想,由理想汽車(chē)關(guān)聯(lián)公司Leading Ideal HK Limited 100%持股,經(jīng)營(yíng)范圍包括技術(shù)開(kāi)發(fā),、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,以及制造新能源智能汽車(chē)整車(chē)等,。

而三安半導(dǎo)體則是三安光電股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):三安光電)100%控股的子公司,。三安光電是國(guó)內(nèi)LED芯片的行業(yè)龍頭,而三安半導(dǎo)體主要從事SiC襯底,、外延、芯片相關(guān)半導(dǎo)體材料的研發(fā),、生產(chǎn)和銷(xiāo)售業(yè)務(wù),以及電力電子元器件的制造,、銷(xiāo)售、研發(fā),、電力電子技術(shù)服務(wù),。

公示備注中顯示,在全球新能源乘用車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器SiC芯片研發(fā)市場(chǎng)以及新能源乘用車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器SiC模塊研發(fā)市場(chǎng)方面,車(chē)和家與三安半導(dǎo)體雙方占比均小于5%。

業(yè)內(nèi)推測(cè),兩者合資公司未來(lái)將主要從事新能源乘用車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器SiC芯片的研發(fā),。

風(fēng)頭大熱,2025年將達(dá)25億美元市場(chǎng)

隨著近些年來(lái)新能源汽車(chē)發(fā)展大熱,相應(yīng)的半導(dǎo)體元器件也成為了業(yè)內(nèi)的“香餑餑”,。SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,光電特性?xún)?yōu)越,滿(mǎn)足新興應(yīng)用需求。

第一代半導(dǎo)體硅,、鍺等,雖然自然儲(chǔ)量大,、制備工藝簡(jiǎn)單,成為了制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要原材料,并被廣泛應(yīng)用于集成電路等低壓、低頻,、低功率場(chǎng)景,。但其缺點(diǎn)在于難以滿(mǎn)足高功率及高頻器件需求。

而第二代半導(dǎo)體材料的代表以砷化鎵為主,高電子遷移率使其成為制作半導(dǎo)體發(fā)光二極管和通信器件的核心材料,被廣泛應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域,。但砷化鎵材料的禁帶寬度較小,、擊穿電場(chǎng)低且具有毒性,無(wú)法在高溫、高頻,、高功率器件領(lǐng)域推廣,。

第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅、氮化鎵為代表,與前兩代半導(dǎo)體材料相比最大的優(yōu)勢(shì)是較寬的禁帶寬度,保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強(qiáng)度,適合制備耐高壓,、高頻的功率器件,是電動(dòng)汽車(chē),、5G基站、衛(wèi)星等新興領(lǐng)域的理想材料。

具體來(lái)看SiC,SiC器件相對(duì)于傳統(tǒng)器件的優(yōu)勢(shì)主要來(lái)自三個(gè)方面:

1.降低電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗;

2.更容易實(shí)現(xiàn)小型化;

3.更耐高溫高壓,。

從市場(chǎng)空間來(lái)看,SiC產(chǎn)業(yè)鏈目前分為襯底材料制備,、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用幾個(gè)環(huán)節(jié),。

通常首先采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件,。在整個(gè)碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié),目前占整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量的 50%左右。由于襯底在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量占比最高,有券商預(yù)計(jì),到2025年新能源汽車(chē)SiC襯底需求空間為37.5-45億元,。

此外,隨著下游應(yīng)用需求的提升,將帶動(dòng)碳化硅高度景氣成長(zhǎng),。比如導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制作功率器件,應(yīng)用場(chǎng)景有電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)字新基建,、工業(yè)電機(jī)等,是電力電子行業(yè)的核心,。

根據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2019 年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模為 5.41 億美元,預(yù)計(jì) 2025 年將增長(zhǎng)至 25.62 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá) 30%。

成本走低是趨勢(shì),但仍是當(dāng)前痛點(diǎn)

雖然SiC擁有不少優(yōu)勢(shì),但它依然不是一項(xiàng)十全十美的技術(shù),。早在20世紀(jì)60年代SiC器件已經(jīng)引起了人們的興趣,。相對(duì)于Si基半導(dǎo)體材料成熟的產(chǎn)業(yè)鏈,SiC材料產(chǎn)業(yè)鏈需要全新的布局,在外延生長(zhǎng)、生產(chǎn)設(shè)備,、可靠性、缺陷密度,、成本等方面都面臨著巨大挑戰(zhàn),這也是SiC并未大規(guī)模應(yīng)用的主要原因,。

自2016年開(kāi)始,業(yè)內(nèi)關(guān)于SiC材料的討論又迎來(lái)了新一輪高潮。從技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)看,以英飛凌,、科銳,、羅姆、意法半導(dǎo)體等為代表的企業(yè)已經(jīng)先后解決SiC器件良率問(wèn)題,并成功推出了各類(lèi)器件及模塊,并在光伏及電源領(lǐng)域取得了成功應(yīng)用,。

目前,在光伏逆變器領(lǐng)域SiC器件得到了最成功的應(yīng)用,主要的原因在于IGBT器件已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足要求,廠商必然會(huì)過(guò)渡到SiC器件,。而在其他應(yīng)用領(lǐng)域,SiC器件成本問(wèn)題仍然是客戶(hù)考慮的重要因素,比如UPS/SMPS領(lǐng)域,其對(duì)于器件成本相比比較敏感。

這也是為什么SiC器件的推廣普及需要綜合考慮效率及成本問(wèn)題,。但從另一反面考慮,SiC器件成本雖然要高3-5倍,。但是SiC器件能夠大幅度降低相關(guān)器件的需求量及體積,從而大幅度降低系統(tǒng)成本。

目前,SiC器件已經(jīng)在光伏逆變器領(lǐng)域獲得成功應(yīng)用,并逐漸向UPS/SMPS領(lǐng)域推廣應(yīng)用,電動(dòng)汽車(chē)充電樁將成為下一個(gè)重要應(yīng)用方向,。未來(lái)將在牽引,、電動(dòng)車(chē)輛及電動(dòng)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

國(guó)內(nèi)玩家“扎堆”功率半導(dǎo)體

經(jīng)過(guò)多年的布局,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)飛速發(fā)展,。SiC材料,、器件齊發(fā)力,國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)格局初顯。其中,SiC單晶和外延片是國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈中較為成熟的環(huán)節(jié),。

單晶襯底方面,國(guó)內(nèi)襯底以4英寸為主,目前,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了6英寸導(dǎo)電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底,。據(jù)CASA數(shù)據(jù),山東天岳、天科合達(dá)、河北同光,、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā),中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底,。

外延片方面,國(guó)內(nèi)瀚天天成、東莞天域半導(dǎo)體,、國(guó)民技術(shù)子公司國(guó)民天成均可供應(yīng)4-6英寸外延片,中電科13所,、55所亦均有內(nèi)部供應(yīng)的外延片生產(chǎn)部門(mén)。

器件/模塊/IDM方面,我國(guó)在碳化硅器件設(shè)計(jì)方面有所欠缺,還沒(méi)有廠商涉及于此,。但是在模塊,、器件制造環(huán)節(jié)我國(guó)已出現(xiàn)了一批優(yōu)秀的企業(yè),包括三安集成、海威華芯,、泰科天潤(rùn),、中車(chē)時(shí)代、世紀(jì)金光,、芯光潤(rùn)澤,、深圳基本、國(guó)揚(yáng)電子,、士蘭微,、揚(yáng)杰科技、瞻芯電子,、天津中環(huán),、江蘇華功、大連芯冠,、聚力成半導(dǎo)體等,。同時(shí),比亞迪也宣布已投入巨資布局半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)。

從應(yīng)用角度來(lái)看,國(guó)內(nèi)SiC企業(yè)主要布局的領(lǐng)域也主要集中在在新能源發(fā)電,、新能源汽車(chē),、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域與國(guó)際市場(chǎng)重點(diǎn)發(fā)展的領(lǐng)域基本一致。

再回到本文最初提到的,類(lèi)似理想汽車(chē)聯(lián)合三安半導(dǎo)體成立合資公司的時(shí)間也不在少數(shù),。比如前不久,國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片廠商瞻芯電子獲小鵬汽車(chē)獨(dú)家投資的戰(zhàn)略融資,。此外,小鵬汽車(chē)也已經(jīng)導(dǎo)入了中車(chē)時(shí)代的產(chǎn)品,據(jù)悉,在去年12月,中車(chē)時(shí)代電氣C-Car平臺(tái)孵化的全新一代產(chǎn)品C-Power 220s正式發(fā)布,該產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首款基于自主碳化硅(SiC)大功率電驅(qū)產(chǎn)品,系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。

總體來(lái)看,雖然國(guó)內(nèi)已經(jīng)開(kāi)始大舉推進(jìn)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展,但相比之下歐洲擁有完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈,、外延,、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。像Siltronic,、意法半導(dǎo)體,、IQE、英飛凌等,在全球電力電子市場(chǎng)擁有強(qiáng)大的話(huà)語(yǔ)權(quán),。此外,日本是設(shè)備和模塊開(kāi)發(fā)方面的絕對(duì)領(lǐng)先者,代表企業(yè)有松下,、羅姆,、住友電氣、三菱等,。國(guó)內(nèi)想要趕上國(guó)際的步伐,還需要下一番功夫,。