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羅姆第4代SiC MOSFET在電動汽車電控系統(tǒng)中的應用及其優(yōu)勢

2022-03-08
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)

  引言

  近年來,,為了實現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負荷的目標,需要進一步普及下一代電動汽車(xEV),,從而推動了更高效,、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā),。尤其是在電動汽車(EV)領域,,為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,,提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個重要課題。SiC(碳化硅)作為新一代寬禁帶半導體材料,,具備高電壓,、大電流、高溫,、高頻率和低損耗等獨特優(yōu)勢,。因此,業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件在電動汽車上的應用寄予厚望,。

  羅姆第4代SiC MOSFET應用于“三合一”電橋

  近日,,上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術的 “三合一”電橋完成試制。據(jù)悉,,對比現(xiàn)有電橋產(chǎn)品,,這款SiC“三合一”電橋在能耗表現(xiàn)方面非常搶眼,每百公里可節(jié)約0.645kW·h電能,。以上汽大眾在ID 4X車型上的測試結(jié)果為例,,對比傳統(tǒng)的IGBT方案,整車續(xù)航里程提升了4.5%,。由此可知,,SiC電橋方案的優(yōu)勢非常明顯。但作為一種新技術,,SiC電控系統(tǒng)還存在一些開發(fā)難點,,比如SiC模塊的本體設計,以及高速開關帶來的系統(tǒng)EMC應對難題,。值得一提的是,,臻驅(qū)科技此次完成試制的“三合一”電橋采用的是羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片,充分發(fā)揮了碳化硅器件的性能優(yōu)勢,。

  羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,,是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導通電阻的產(chǎn)品。該產(chǎn)品用于車載主驅(qū)逆變器時,,效率更高,,與使用IGBT時相比,效率顯著提升,,因此非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程,,并減少電池使用量,降低電動汽車的成本,。

  

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  圖 | 第4代SiC MOSFET和IGBT的逆變器效率比較

  羅姆第4代SiC MOSFET的獨特優(yōu)勢

  羅姆作為碳化硅領域的深耕者,,從2000年就開始了相關的研發(fā)工作,并在2009年收購碳化硅襯底供應商SiCrystal后,,于2010年率先推出了商用碳化硅MOSFET,,目前產(chǎn)品涵蓋SiC SBD,、SiC MOSFET和全SiC模組,其中SiC SBD,、SiC MOSFET可以裸芯片的形式供貨,。羅姆在2015年發(fā)布了第3代也是第一款商用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET產(chǎn)品,支持18V驅(qū)動,。2020年,,羅姆又推出了第4代SiC MOSFET。目前,,不僅可供應裸芯片,,還可供應分立封裝的產(chǎn)品。分立封裝的產(chǎn)品已經(jīng)完成了面向消費電子設備和工業(yè)設備應用的產(chǎn)品線開發(fā),,后續(xù)將逐步開發(fā)適用于車載應用的產(chǎn)品,。

  對比羅姆的第3代SiC MOSFET產(chǎn)品,第4代SiC MOSFET具有導通電阻更低的特點,。根據(jù)測試結(jié)果顯示,,在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時間的前提下,羅姆采用改進的雙溝槽結(jié)構(gòu),,使得MOSFET的導通電阻降低了約40%,,傳導損耗相應降低。此外,,從RDS(on)與VGS的關系圖中,,我們可以發(fā)現(xiàn)第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時具有更平坦的梯度,這意味著第4代SiC MOSFET的驅(qū)動電壓范圍可拓展至15V-18V,。

  

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  圖 | 第3代和第4代SiC MOSFET導通電阻測試結(jié)果示意圖

  同時,,第4代SiC MOSFET還改善了開關性能。通常,,為了滿足更大電流和更低導通電阻的需求,,MOSFET存在芯片面積增大、寄生電容增加的趨勢,,因而存在無法充分發(fā)揮碳化硅原有的高速開關特性的課題,。第4代SiC MOSFET,,通過大幅降低柵漏電容(Cgd),,成功地使開關損耗比以往產(chǎn)品降低約50%。

  

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  圖 | 第3代和第4代SiC MOSFET開關損耗測試結(jié)果示意圖

  此外,,羅姆還對第4代SiC MOSFET進行了電容比的優(yōu)化,,大大提高了柵極和漏極之間的電容(CGD)與柵極和源極之間的電容(CGS)之比,從而減少了寄生電容的影響,。比如,,可以減小在半橋中一個快速開關的SiC MOSFET施加在另一個SiC MOSFET上的高速電壓瞬變(dVDS/dt)對柵源電壓VGS的影響,。這將降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生導通的可能性,以及可能損壞SiC MOSFET的負VGS尖峰出現(xiàn)的可能性,。

  支持工具

  羅姆在下面官網(wǎng)的SiC介紹頁面中,,介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等碳化硅功率半導體的概要,,同時,,還發(fā)布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持內(nèi)容,供用戶參考,。

  SiC介紹頁面網(wǎng)址: http://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

  第4代SiC MOSFET的支持內(nèi)容:

  ?概要介紹視頻,、產(chǎn)品視頻

  ?應用指南(產(chǎn)品概要和評估信息、主驅(qū)逆變器,、車載充電器,、SMPS)

  ?設計模型(SPICE模型、PLECS模型,、封裝和Foot Print等的3D CAD數(shù)據(jù))

  ?主要應用中的仿真電路(ROHM Solution Simulator)

  ?評估板信息 ※如需購買評估板,,請聯(lián)系羅姆的銷售部門。

  

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  總結(jié)

  綜上,,羅姆通過進一步改進自有的雙溝槽結(jié)構(gòu),,使第4代SiC MOSFET具有低導通電阻、優(yōu)秀的短路耐受時間,、低寄生電容,、低開關損耗等優(yōu)點。憑借高性能元器件以及豐富的支持工具,,羅姆將助力設計人員為未來的電力電子系統(tǒng)創(chuàng)建可行且節(jié)能的解決方案,。更多詳情,請查看:http://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

  【關于羅姆(ROHM)】

  羅姆(ROHM)成立于1958年,,由起初的主要產(chǎn)品-電阻器的生產(chǎn)開始,,歷經(jīng)半個多世紀的發(fā)展,已成為世界知名的半導體廠商,。羅姆的企業(yè)理念是:“我們始終將產(chǎn)品質(zhì)量放在第一位,。無論遇到多大的困難,都將為國內(nèi)外用戶源源不斷地提供大量優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,,并為文化的進步與提高作出貢獻”,。

  羅姆的生產(chǎn)、銷售,、研發(fā)網(wǎng)絡分布于世界各地,。產(chǎn)品涉及多個領域,其中包括IC、分立式元器件,、光學元器件,、無源元器件、功率元器件,、模塊等,。在世界電子行業(yè)中,羅姆的眾多高品質(zhì)產(chǎn)品得到了市場的許可和贊許,,成為系統(tǒng)IC和先進半導體技術方面的主導企業(yè),。

  【關于羅姆(ROHM)在中國的業(yè)務發(fā)展】

  銷售網(wǎng)點:起初于1974年成立了羅姆半導體香港有限公司。在1999年成立了羅姆半導體(上海)有限公司,, 2006年成立了羅姆半導體(深圳)有限公司,,2018年成立了羅姆半導體(北京)有限公司。為了迅速且準確應對不斷擴大的中國市場的要求,,羅姆在中國構(gòu)建了與總部同樣的集開發(fā),、銷售、制造于一體的垂直整合體制,。作為羅姆的特色,,積極開展“密切貼近客戶”的銷售活動,力求向客戶提供周到的服務,。目前在中國共設有20處銷售網(wǎng)點,,其中包括香港、上海,、深圳,、北京這4家銷售公司以及其16家分公司(分公司:大連、天津,、青島,、南京、合肥,、蘇州,、杭州、寧波,、西安,、武漢、東莞,、廣州,、廈門、珠海,、重慶,、福州),。并且,,正在逐步擴大分銷網(wǎng)絡,。

  技術中心:在上海和深圳設有技術中心和QA中心,在北京設有華北技術中心,,提供技術和品質(zhì)支持,。技術中心配備精通各類市場的開發(fā)和設計支持人員,可以從軟件到硬件以綜合解決方案的形式,,針對客戶需求進行技術提案,。并且,當產(chǎn)品發(fā)生不良情況時,,QA中心會在24小時以內(nèi)對申訴做出答復,。

  生產(chǎn)基地:1993年在天津(羅姆半導體(中國)有限公司)和大連(羅姆電子大連有限公司)分別建立了生產(chǎn)工廠。在天津進行二極管,、LED,、激光二極管、LED顯示器和光學傳感器的生產(chǎn),,在大連進行電源模塊,、熱敏打印頭、接觸式圖像傳感器,、光學傳感器的生產(chǎn),,作為羅姆的主力生產(chǎn)基地,源源不斷地向中國國內(nèi)外提供高品質(zhì)產(chǎn)品,。

  社會貢獻:羅姆還致力于與國內(nèi)外眾多研究機關和企業(yè)加強合作,,積極推進產(chǎn)學研聯(lián)合的研發(fā)活動。2006年與清華大學簽訂了產(chǎn)學聯(lián)合框架協(xié)議,,積極地展開關于電子元器件先進技術開發(fā)的產(chǎn)學聯(lián)合,。2008年,在清華大學內(nèi)捐資建設“清華-羅姆電子工程館”,,并已于2011年4月竣工,。2012年,在清華大學設立了“清華-羅姆聯(lián)合研究中心”,,從事光學元器件,、通信廣播、生物芯片,、SiC功率器件應用,、非揮發(fā)處理器芯片、傳感器和傳感器網(wǎng)絡技術(結(jié)構(gòu)設施健康監(jiān)測),、人工智能(機器健康檢測)等聯(lián)合研究項目,。除清華大學之外,,羅姆還與國內(nèi)多家知名高校進行產(chǎn)學合作,不斷結(jié)出豐碩成果,。

  羅姆將以長年不斷積累起來的技術力量和高品質(zhì)以及可靠性為基礎,,通過集開發(fā)、生產(chǎn),、銷售為一體的扎實的技術支持,、客戶服務體制,與客戶構(gòu)筑堅實的合作關系,,作為扎根中國的企業(yè),,為提高客戶產(chǎn)品實力、客戶業(yè)務發(fā)展以及中國的節(jié)能環(huán)保事業(yè)做出積極貢獻,。





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