《電子技術(shù)應用》
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SiC MOSFET應用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估

2020-08-05
來源:意法半導體
關(guān)鍵詞: SiCMOSFET 魯棒性

引語

 能效和可靠性是所有電子功率變換器必備的主要特性,。在與人類社會活動和生態(tài)環(huán)境保護相關(guān)的應用領(lǐng)域,,例如,交通,、工業(yè),、能源轉(zhuǎn)換等,標準硅基功率開關(guān)管已被SiC MOSFET取代,,因為 SiC MOSFET在電流密度/芯片面積,、擊穿電壓、開關(guān)頻率,、工作溫度方面表現(xiàn)更出色,,可縮減功率變換器的體積和尺寸,同時提高能效,。

 采用最新一代SiC MOSFET設計功率變換器應該認真考慮器件的可靠性和魯棒性,,避免讓異常失效現(xiàn)象破壞系統(tǒng)的整體安全性。短路和雪崩是可能導致電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)管嚴重失效的異常事件,。

 短路事件可能是錯誤和失控的工作條件引起的,,例如,器件開關(guān)順序命令出錯。當漏源電壓VDS超過擊穿電壓額定值時,,會發(fā)生雪崩事件,。

 對于dvDS/dt 和 diD/dt變化率很高的應用,,在開關(guān)瞬變期間,,VDS可能會超過擊穿電壓額定值。高瞬變率結(jié)合變換器布局固有的寄生電感,,將會產(chǎn)生電壓尖峰,,在極端情況下,導致雪崩事件發(fā)生,。SiC MOSFET可能會出現(xiàn)這些工作條件,,分立器件的dvDS/dt可能輕松超過100V/ns,diD/dt超過10A/ns ,。

 另一方面,,電機功率變換器也是一個值得關(guān)注的重點,例如,,電動汽車的驅(qū)動電機逆變器,、工業(yè)伺服電機等,這些應用的負載具有典型的電感特性,,要求功率開關(guān)還必須兼?zhèn)淅m(xù)流二極管的功能,。因此,在二極管關(guān)斷時,,其余器件將傳導負載電流,,進行非鉗位感性負載開關(guān)UIS操作,工作于雪崩狀態(tài)是無法避免的,。在這種雪崩期間,,除過電壓非常高之外,高耗散能量也是一個需要考慮的重要問題,,因為器件必須耐受異常的電壓和電流值,。

 采用失效檢測算法和保護系統(tǒng),配合同樣基于“可靠性”標準的變換器設計方法,,是很有必要的[20],。但是,除了安全保護和最佳設計規(guī)則外,,功率開關(guān)管還必須強健結(jié)實,,即具有“魯棒性”,才能耐受某種程度的異常工作條件,,因為即便超快速檢測算法和保護系統(tǒng)也無法立即發(fā)揮作用,。SiC MOSFET的雪崩問題已成為一個重要的專題,由于該技術(shù)尚未完全成熟,因此需要進行專門的研究,。

 本文的目的是分析SiC MOSFET在雪崩工作條件下的魯棒性,。為了驗證魯棒性分析結(jié)果,我們做了許多實驗,。最后,,我們介紹了器件在不同的UIS測試條件下的魯棒性,。

 雪崩事件

 通常來說,,雪崩事件只有在器件達到擊穿電壓時才會發(fā)生。在正常工作條件下,,凡是設置或要求高開關(guān)頻率的應用都會發(fā)生這種現(xiàn)象,。

 以基于半橋轉(zhuǎn)換器的應用為例,讓我們詳細解釋一下雪崩現(xiàn)象,。

 圖1(a)是一個簡化的半橋轉(zhuǎn)換器電路原理圖,,電路中有兩個SiC MOSFET開關(guān)管,分別用QH和QL表示,,除開關(guān)管外,,還有一個感性負載;圖1(b)是上面電路的等效電路圖,,最重要的部分是主要寄生元件,,特別是代表電源回路等效寄生電感的LDH,LSH,,LDL和LSL,,電源回路是指連接+ DC電路(VDD)與QH漏極,QH源極至QL漏極,,QL源極至-DC電路的電源軌,。此外,LGH,,LGL是QH和QL的柵極-源極路徑信號回路的等效寄生電感,。考慮到HiP247封裝分立器件有三或四個引線,,上面的寄生電感中包含SiC MOSFET焊線和引線的寄生電感,,詳細信息參見[15],[16],。同樣重要的是,還要考慮SiC MOSFET的寄生電容CGS,,CDS和CGD,,這些參數(shù)是漏極-源極電壓VDS的函數(shù)[21],。

 不難理解在下面兩個案例的極端工作條件期間產(chǎn)生的電壓尖峰:

 1)    有源器件導通,無源器件的體二極管關(guān)斷

2)    有源器件關(guān)斷,,無源器件的體二極管導通

 用1200V,,25mΩ,HIP247-4L封裝的SiC MOSFET分立器件,,按照圖1的方案做實驗測試,,描述瞬變在什么情況下被定義為極端工作條件。為簡單起見,,將QL視為有源器件,,它由適合的柵極驅(qū)動器電路控制,;QH是無源器件,用作續(xù)流二極管,,并且通常在相關(guān)終端施加-5V的恒定負柵極-源極電壓。

 


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圖1:半橋轉(zhuǎn)換器橋臂:(a)簡化框圖,,(b)包括主要寄生元件的等效電路。

 通過分析圖2的實驗結(jié)果,,可以知曉案例1)的極端工作條件,。

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圖 2:在850V, 130A,,QH 體二極管關(guān)斷時,,VGS, ID 和VDS的典型波形。

本節(jié)重點介紹在QL導通時QH體二極管的“反向恢復”過程,。測試條件是175°C,VDD=850V, ID=130A,。SiC MOSFET的反向恢復過程是一個重要的課題,,許多人都在研究這種現(xiàn)象[17],[18],。軟恢復和硬恢復模式受載流子壽命,、摻雜分布、裸片面積等因素影響,。從應用角度來看,,反向恢復特性主要與正向電流大小ID及其變化率diD/dt和 工作溫度有關(guān)。圖2顯示了變化速率12A/ns 的ID引起的QH體二極管硬恢復特性,。由于結(jié)耗盡非???,漏極-源極電壓VDS以最快的速度上升。在diD/dt 和 dirr/dt與寄生電感的綜合作用下,,尖峰電壓現(xiàn)象嚴重,,并且在VDS波形上看到振蕩行為。另外,,VGS波形出現(xiàn)明顯振蕩,,應鉗制該電壓,以避免雜散導通[16],。

 快速恢復用于描述恢復的效果,,概念定義詳見文獻[17]。

 通過優(yōu)化轉(zhuǎn)換器電路板布局,,將寄生電感降至非常低,,可以限制在電流變化率非常高的關(guān)斷期間產(chǎn)生的電壓尖峰,從而最大程度地利用SiC MOSFET的性能,。

 圖3的實驗測試結(jié)果解釋了案例2)的極端工作條件。圖中所示是在室溫(25°C),,850V,,130A條件下QL“關(guān)斷”時的相關(guān)參數(shù)波形。因為器件采用HIP247-4L封裝,,3.3?的柵極電阻Rg加快了關(guān)斷瞬變,,并且VDS的峰值非常高(約1550V)。 

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圖 3:在850V, 130A條件下關(guān)斷QL,,VGS, ID, VDS 和 Poff的典型波形,。

通過進一步降低Rg阻值提高關(guān)斷速度,將會引發(fā)雪崩事件,,不過,,在本實驗報告中沒有達到雪崩狀態(tài)。

 但是,,除極端工作條件外,,元器件失效也會導致雪崩事件[4]。

 以前文提到的圖1半橋轉(zhuǎn)換器為例,,當QH續(xù)流二極管失效,,致使器件關(guān)斷時,負載電流必須在關(guān)斷瞬變期間流經(jīng)互補器件QL,,這個過程被稱為非鉗位感性負載開關(guān)UIS,。在這個事件期間,器件必須承受某種程度的能量,,直到達到QL擊穿極限值為止,。

 這種失效機制與臨界溫度和熱量產(chǎn)生有關(guān),。SiC MOSFET沒有硅基器件上發(fā)現(xiàn)的其它失效模式,例如,,BJT閂鎖[10],。在UIS條件下的雪崩能量測試結(jié)果被用于定義SiC MOSFET的魯棒性。

 

圖4(a)和圖4(b)是SiC MOSFET的UIS測試結(jié)果,。這些測試是在圖1無QH的配置中做的,,測試條件是VDD=100V, VGS=-5/18V, RGL=4,7?, L=50?H, Tc=25°C,下一章詳細解釋這樣選擇的原因,。

 

圖4(a)所示是前三次脈沖測試,。QL正在傳導電流,在第一個脈沖時關(guān)斷,,如圖中藍色的VGS,,VDS和ID的波形所示,有過電壓產(chǎn)生,,VDS略低于1500V,,但器件沒有雪崩,。在增加脈沖周期后,,如圖中綠色波形所示,電流ID達到5A,,器件開始承受雪崩電壓,。再重復做一次UIS測試,如黑色波形所示,,電流值變大,,但由于負載電感器較小,直到電流值非常大時才達到失效能量,。

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(a)

   

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圖4:UIS實驗,,(a)雪崩過程開始時的波形;(b)施加最后兩個脈沖時的波形,。

 圖4(b)所示是最后一種情況的測試結(jié)果,。藍色波形是在一系列單脈沖后,器件失效前倒數(shù)第二個脈沖產(chǎn)生的波形,,從圖中可以看到,,器件能夠處理關(guān)斷瞬變,耐受根據(jù)下面的雪崩能量公式(1)算出的約0,7J雪崩能量,,最大漏極電流為170A,,雪崩電壓平均值為1668V。

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   紅色波形是在施加最后一個脈沖獲得的失效波形,,這時器件不再能夠耐受雪崩能量,,并且在t *時刻發(fā)生失效,,漏極電流開始驟然增加。

 魯棒性評估和雪崩測試

 我們用三組1200V SiC MOSFE做了UIS測試,,表1列出了這三組器件的主要數(shù)據(jù),。

5(a)所示是測試等效電路圖,5(b)所示是相關(guān)實驗裝置,。QL是待測器件(DUT),,測試目標是分析DUT的關(guān)斷特性。

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 圖5:UIS實驗裝置: (a)等效電路, (b) 實驗臺

設置A,,B,,C三種測試條件;施加周期遞增的單脈沖序列,,直到待測器件失效為止,。

 VDD=100V, VGS=-5/18V

vs RGL=4,7?, 10?, 47?, at      L=50uH, Tc=25°C

vs L=50uH, 1mH,      at RGL=4,7?, Tc=25°C

vs Tc=25°C,      90°C, 200°C, at L=50uH, RGL=4,7?

 為了便于統(tǒng)計,從D1,,D2和D3三組器件中分別抽出五個樣品,,按照每種測試條件各做一次UIS實驗,測量和計算失效電流和失效能量,,參見圖6,,圖7和圖8。

 圖6(a)所示是從SiC MOSFET D3中抽出的一個典型器件,,按照測試條件“A”做UIS測試的VDS 和ID失效波形,。

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(a)

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 圖6:UIS對RG最終測試結(jié)果:(a) 一個D3樣品的VDS和ID典型值;(b)平均失效能量EAV,。

 為了清楚起見,,只給出了RG =4.7Ω和47Ω兩種情況的波形。我們觀察到,,失效電流不受RGL的影響,。圖6(b)顯示了D1,D2和D3三組的平均EAV,。

 注意到EAV失效能量略有降低,,可忽略不計,因此,,可以得出結(jié)論,,在UIS測試條件下,這些SiC MOSFET的魯棒性與RG無關(guān),。

 圖7(a)和(b)所示是按照測試條件B,,在L=50?H 和1mH時,各做一次UIS測試的失效波形,,為簡單起見,,只從SiC MOSFET D3中抽取一個典型樣品做實驗,。

 在提高負載電感后,電感器儲存的能量增加,,因此,,失效電流減小。

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圖7:UIS對L最終測試結(jié)果 (a) 在L=50?H時, D3樣品的VDS 和 ID 典型值 (b)在L=1mH時, D3樣品的VDS 和 ID 典型值 (c) 平均失效能量EAV.

 圖7(c)顯示了D1,,D2和D3的平均EAV與L的關(guān)系,,可以觀察到,器件D3的失效能量EAV隨著負載電感提高而顯著提高,,而D1和D2的EAV則略有增加,。通過分析圖8可以發(fā)現(xiàn)這種行為特性的原因。圖8是根據(jù)等式(2)計算出來的結(jié)溫Tj的分布圖:

Tj=T0+PAVZth  (2)

其中:T0是起始溫度,,PAV是平均脈沖功率,,Zth是芯片封裝熱阻,本次實驗用的是不帶散熱器的TO247-3L封裝,。

 電感器儲存能量的大小與電感值有關(guān),,儲存能量將被施加到裸片上,轉(zhuǎn)換成熱能被耗散掉,。

 如圖7(a)所示,,低電感值會導致非常大的熱瞬變,這是因為電流在幾微秒內(nèi)就達到了非常高的數(shù)值,,如圖7(a)所示,,因此,結(jié)溫在UIS期間上升非??欤闫瑳]有夠的時間散掉熱量,。相反,,在高電感值的情況下,電流值較低,,如圖7(b)所示,,并且裸片有足夠的時間散掉熱量,因此,,溫度上升平穩(wěn),。

 這個實驗結(jié)果解釋了為什么被測器件D3的EAV隨負載電感提高而顯著增加的原因,另外,,它的裸片面積比SiC MOSFET D1和D2都大,。

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圖8:典型D3器件的估算結(jié)溫Tj對L曲線圖。

 最后,,在圖9中報告了測試條件C的UIS測試結(jié)果,,測試條件C是封裝溫度的函數(shù),,用熱電偶測量封裝溫度數(shù)值。

 圖9(a)所示是D3在Tc=25°C,,90℃和200℃三個不同溫度時的VDS和ID波形,。不出所料,D1,,D2和D3三條線的趨勢相似,,工作溫度越高,引起器件失效的EAV就越低,,圖9(b),。 

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圖9:UIS對Tc的最終測試結(jié)果;(a)D3樣品在不同的Tc時的VDS和ID典型值,;(b)平均失效能量EAV 對TC曲線

 

結(jié)論

 本文探討了在SiC MOSFET應用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件,。為了評估SiC MOSFET的魯棒性,本文通過實驗測試評估了雪崩能量,,最后還用三款特性不同的SiC MOSFET做對比測試,,定義導致器件失效的最大雪崩能量。雪崩能量與芯片面積成正比,,并且是柵極電阻,、負載電感和外殼溫度的函數(shù)。

 這種在分立器件上進行的雪崩耐量分析,,引起使用電源模塊開發(fā)應用的設計人員的高度關(guān)注,,因為電源模塊是由許多并聯(lián)芯片組成,這些芯片的魯棒性需要高度一致,,必須進行專門的測試分析,。此外,對于特定的應用,,例如,,汽車應用,評估雪崩條件下的魯棒性,,可以考慮使用單脈沖雪崩測試和重復雪崩測試方法,。這是一個重點課題,將是近期評估活動的目標,。

 

 



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