圣迭戈,，2022年2月16日——村田旗下公司、專注于半導體集成技術的pSemi? Corporation擴大旗下RF SOI開關產(chǎn)品組合,，旨在為最新的5G無線基礎設施建設項目和大規(guī)模MIMO基站部署項目提供支持,。通過在混合波束成形架構拓撲中使用新型的高線性度開關,，基站設計人員可以節(jié)省電路板上寶貴的空間并改善系統(tǒng)熱耗散,，降低整套系統(tǒng)的成本、重量和功耗,。pSemi先進的SP4T開關可提供同類產(chǎn)品最佳的線性度,、插入損耗和功率處理性能，從而提高sub-6 GHz有源天線系統(tǒng)的頻譜效率,。

sub-6 GHz頻段的5G基站有助于網(wǎng)絡提供商快速便捷地增加帶寬和提高數(shù)據(jù)吞吐量,。鑒于3-5 GHz頻段頻譜的最新分配以及天線設計復雜度的增加，人們需要使用全新的混合波束成形和移相拓撲架構,。大規(guī)模MIMO系統(tǒng)采用混合架構,，以最大限度地降低高能耗數(shù)字處理需求和減少功率放大器組件的數(shù)量。這些混合架構可在數(shù)字和模擬之間實現(xiàn)絕佳平衡,，因而既能獲得數(shù)字波束成形的靈活性,，又能受益于模擬射頻前端（RFFE）的功率效率和簡單設計。

采用兩個背靠背pSemi SP4T開關選擇不同的移相步進,，使混合波束成形架構中使用的模擬波束控制成為可能,。這種移相拓撲架構可高效改善有源天線系統(tǒng)中的天線波束控制方式。

pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示：“有源天線系統(tǒng)正在推動RFFE組件需求急劇增長,，同時對先進5G網(wǎng)絡的FR1開關性能要求也越來越高,。作為射頻和毫米波開關領域的行業(yè)領導者，pSemi將繼續(xù)推動SOI技術的發(fā)展,，并設計射頻集成電路解決方案,，為基站基礎設備制造商提供支持，滿足5G及更先進網(wǎng)絡的需求,?！?br/>

高線性度射頻開關的特點和優(yōu)勢

支持1.8-5 GHz頻率范圍的每個UltraCMOS? PE42443和PE42444開關在n41、n77,、n78和n79頻段均提供業(yè)界領先的射頻性能,。PE42443（需正負電源電壓供電）和PE42444（僅需正電源電壓供電）采用4 x 4 mm LGA封裝，可設計成管腳到管腳兼容配置,。

·頻譜效率高——高線性度和高功率處理，可最大限度地提高數(shù)據(jù)吞吐量,。

·節(jié)能——低插入損耗可提高整體系統(tǒng)效率,。

·波束管理靈活——開關速度快，可支持符號級模擬波束調(diào)整,，便于設計實現(xiàn)大規(guī)模MIMO系統(tǒng),。