中國上海,2022年3月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨,。

與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%,。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性,。此外,開關(guān)操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低,有助于減少開關(guān)電源的電磁干擾(EMI),。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance(N)這兩種類型的表面貼裝封裝。

與此同時,東芝還提供各類工具,為開關(guān)電源的電路設(shè)計提供支持,。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型,現(xiàn)在還提供能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型,。

東芝將進一步擴大其MOSFET產(chǎn)品線,通過減少損耗提高設(shè)備電源效率,進而幫助其降低功耗。

應用:

- 通信設(shè)備電源

- 開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

特性:

- 優(yōu)異的低損耗特性(在導通電阻和柵開關(guān)電荷及輸出電荷間取得平衡)

- 卓越的導通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V

- 高額定結(jié)溫:Tch(最大值)=175℃

主要規(guī)格:

(除非另有說明,@Ta=25℃)

注:

[1] 截至2022年3月的東芝調(diào)查,。

[2] 柵極開關(guān)電荷和輸出電荷,。

[3] 與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,該產(chǎn)品將漏源導通電阻×柵開關(guān)電荷提高了大約20%,漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

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