由于眾所周知的原因，近期北方某國也無法再獲得光刻機供應(yīng),，芯片進口也面臨阻礙,，因此該國已計劃研發(fā)全新的芯片制造技術(shù)，無獨有偶日本企業(yè)其實早在去年就已研發(fā)不需光刻機的芯片制造技術(shù),，隨著芯片制造技術(shù)的變革,，或許ASML的光刻機是時候被拋棄了。

據(jù)悉北方某國計劃以X射線進行光刻,，它早就在研究無掩模X射線光刻機,，此舉具有一定的可行性,，因為它的波長比ASML所采用極紫外線還要短，X射線波長基于0．01nm至10nm之間,，而EUV極紫外線波長長度為13．5nm,，X射線光刻機無需光掩模就可以直接光刻，此舉可以大幅降低芯片制造成本,，同時在精準度方面也更高,。

與北方某國不同，日本研發(fā)無需ASML光刻機的芯片制造技術(shù),，則是因為EUV光刻機的成本太高了,，一臺EUV光刻機的售價高達1．5億美元，而下一代更精準的EUV光刻機售價可望進一步提高到3億美元,，昂貴的EUV光刻機讓日本企業(yè)難以接受,，它們因此而在數(shù)年前就開始研發(fā)無需ASML光刻機的芯片制造技術(shù)。

日本的存儲大廠鎧俠Kioxia（東芝）早在數(shù)年前就已與日本半導(dǎo)體廠商大日本印刷株式會社（DNP）研發(fā)新的光刻技術(shù),，在2020年成功研發(fā)出納米壓印微影（NIL）技術(shù),，并已應(yīng)用于Kioxia公司的NAND flash芯片生產(chǎn)中，它們預(yù)計該技術(shù)可以應(yīng)用于5nm工藝,，打破當(dāng)下DUV光刻機只可以應(yīng)用于最高7nm工藝的限制,，而且成本更低。

中國則延續(xù)了當(dāng)下的芯片制造技術(shù)方向,，據(jù)悉中芯國際即將以DUV光刻機生產(chǎn)7nm工藝,，這個技術(shù)其實已由臺積電實現(xiàn)，此前臺積電的第一代7nm工藝就是以DUV光刻機生產(chǎn)的,，后來再升級至7nmEUV，7nm工藝將足以滿足中國多數(shù)芯片的需求,。

除了以DUV光刻機生產(chǎn)7nm工藝之外,，中國芯片企業(yè)華為海思還研發(fā)了芯片堆疊技術(shù)，該技術(shù)此前曾遭受一些質(zhì)疑,，不過隨著臺積電推出的3D WOW技術(shù)大幅提升了7nm工藝芯片的性能,，性能提升幅度達到40％，超過5nm工藝的性能提升幅度,；蘋果也通過特殊的聯(lián)結(jié)方式將兩顆M1芯片連接在一起而取得了性能倍增,，都證明了芯片堆疊技術(shù)的可行性。

如此中芯國際的7nm工藝輔以芯片堆疊技術(shù),，業(yè)界預(yù)期此舉可以將性能提升至接近5nm更進一步滿足國內(nèi)芯片行業(yè)的要求,，而且此舉也有助于降低成本。

上述這些技術(shù)發(fā)展都說明了ASML的EUV光刻機將不會成為推進至7nm工藝以下的必然選項,，芯片制造行業(yè)完全可以通過研發(fā)其他技術(shù)繞過EUV光刻機的限制,，提升芯片的性能,，甚至生產(chǎn)芯片的成本比EUV光刻機更低。

不僅如此,，全球芯片供應(yīng)緊張的狀況似乎已有緩解的跡象,，手機芯片行業(yè)已出現(xiàn)過剩，射頻芯片庫存達到了較高的水平,，導(dǎo)致手機企業(yè)不再搶購芯片,。這是因為手機行業(yè)的出貨量其實已低于歷史最高水平，汽車,、電視的出貨量也有所下降,，2021年出貨量增長幅度較大的PC也在今年一季度顯著下滑，這都可能導(dǎo)致芯片產(chǎn)能過剩,，芯片產(chǎn)能出現(xiàn)過剩的話,，當(dāng)前全球搶購光刻機的現(xiàn)象也就會緩解，甚至光刻機可能因此過剩,。

可以說屬于ASML的高光時刻似乎正在過去,，面對芯片技術(shù)的變革，以及芯片供應(yīng)的變化,，ASML賺得盆滿缽滿的時代可能一去不復(fù)返了,，那時候ASML會不會改變當(dāng)前銷售的諸多阻礙，而轉(zhuǎn)變態(tài)度希望客戶采購它的光刻機呢,？