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消息稱三星成功突破低良率難關(guān),,3nm GAA制程如期量產(chǎn)

2022-05-13
來源:市場資訊
關(guān)鍵詞: 三星 3nm GAA

IT之家5月13日消息,三星電子此前表示,,將在本季度(即這幾周)開始使用3GAE(早期3nm級柵極全能)工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),。不過,先前業(yè)界傳出三星3nm良率僅20~30%,,可能拖累量產(chǎn)進(jìn)程,,引起業(yè)界擔(dān)憂,。

  據(jù)電子時(shí)報(bào),業(yè)界傳出消息稱三星3nm良率問題已解決,,3nmGAA制程將如期量產(chǎn),。

  IT之家曾報(bào)道,三星在其第一季度電話會議上向其股東保證,,該公司正在按計(jì)劃進(jìn)行,。三星電子正努力打消股東對于有傳聞稱代工部門產(chǎn)率出現(xiàn)問題的擔(dān)憂。

  在芯片生產(chǎn)方面,,他還表示,,5nm工藝已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)的成熟階段,而4nm芯片的產(chǎn)能將很快開始改善,,“雖然4納米制程初期的產(chǎn)量擴(kuò)大有所延遲,,但目前正以穩(wěn)定為重點(diǎn),進(jìn)入預(yù)期的產(chǎn)量改善曲線,?!?/p>

  他還表示:“通過改善3nm制程的節(jié)點(diǎn)開發(fā)體系,三星現(xiàn)在對每個(gè)開發(fā)階段都有一個(gè)驗(yàn)證流程”,,他強(qiáng)調(diào)這將有助于縮短產(chǎn)量爬坡期,,提高盈利能力,并確保更穩(wěn)定的供應(yīng),。

  在接下來的3nm節(jié)點(diǎn)中,,三星比臺積電更激進(jìn),決定放棄FinFET晶體管技術(shù),,全球首發(fā)GAA晶體管工藝,,而臺積電的3nm工藝依然會基于舊工藝。

  三星之前表示,,GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管,,通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-ChannelFET,多橋-通道場效應(yīng)管),,該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,。

  根據(jù)三星的說法,與7nm制造工藝相比,,3nmGAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上,,功耗降低了50%,性能提高了約35%,,紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nmFinFET工藝,。




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