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英偉達(dá)：GAA工藝或僅帶來(lái)20%性能提升
發(fā)表于：3/28/2025 10:24:45 AM
傳美國(guó)將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對(duì)華出口
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:00 AM
三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%
發(fā)表于：3/26/2024 8:59:23 AM
基于GAA晶體管的3nm制程也正式開(kāi)啟了新的晶體管時(shí)代
發(fā)表于：8/20/2022 9:37:28 PM
三星3nm芯片明日量產(chǎn),！GAA技術(shù)功耗爆降50%
發(fā)表于：6/29/2022 7:14:08 PM
消息稱(chēng)三星成功突破低良率難關(guān)，3nm GAA制程如期量產(chǎn)
發(fā)表于：5/13/2022 12:54:09 PM
三星陷入良率困境,，3nm的GAA工藝,，成了翻身機(jī)會(huì)
發(fā)表于：3/21/2022 4:58:19 PM
三星3nm工廠即將動(dòng)工,，首發(fā)GAA工藝功耗直降50%
發(fā)表于：3/13/2022 9:54:32 AM
英特爾關(guān)鍵技術(shù)新突破：互連密度提升10倍、晶體管微縮提升50%,！臺(tái)積電,、三星將面臨新挑戰(zhàn)！
發(fā)表于：12/22/2021 4:03:07 PM
三星 3nm GAA 和 2nm 量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)曝光
發(fā)表于：10/9/2021 2:50:10 PM
摩爾定律是否到頂,，進(jìn)一步了解GAA芯片技術(shù)
發(fā)表于：11/19/2020 6:22:21 AM
FinFET壽終正寢,！臺(tái)積電2nm GAA工藝結(jié)束路徑探索階段
發(fā)表于：9/23/2020 6:27:30 AM
芯片代工決戰(zhàn)先進(jìn)制程,，臺(tái)積電2nm為何一馬當(dāng)先,？
發(fā)表于：7/24/2020 4:21:22 PM
中國(guó)臺(tái)灣：臺(tái)積電2nm大突破
發(fā)表于：7/14/2020 7:54:00 AM
臺(tái)積電 2nm 制程研發(fā)取得突破,，將切入 GAA 技術(shù)
發(fā)表于：7/13/2020 3:28:32 PM
英特爾5nm制程電晶體面臨瓶頸,，或棄用 FinFET專(zhuān)用GAA環(huán)繞柵極電晶體,？
發(fā)表于：3/16/2020 4:20:24 PM
臺(tái)積電三星激戰(zhàn)的3nm，會(huì)是先進(jìn)制程關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)嗎
發(fā)表于：3/11/2020 6:00:00 AM
3nm,、5nm制程：復(fù)雜且昂貴的爭(zhēng)奪戰(zhàn)（一）
發(fā)表于：2/6/2020 4:49:22 PM
全新GAA技術(shù)是否能成為突破5nm的利器,？
發(fā)表于：7/1/2019 12:15:31 PM
摩爾定律到底還能走多遠(yuǎn)？
發(fā)表于：5/31/2018 5:05:00 AM

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