美國當(dāng)?shù)貢r間5月12日，存儲器大廠美光科技舉辦Investor Day（投資者日）活動,，展示了DRAM與NAND未來技術(shù)路線圖,，并宣布試行全新定價機(jī)制“遠(yuǎn)期定價協(xié)議“，以穩(wěn)定存儲器行業(yè)價格,。

　　技術(shù)路線圖曝光

　　1β DRAM,、232層3D NAND將亮相

　　美光目前已經(jīng)出貨1α DRAM與176層NAND閃存，這兩類產(chǎn)品良率出色,，一季度合計出貨量占美光產(chǎn)品總出貨量的絕大部分,。

　　最新技術(shù)路線圖中，美光表示在DRAM領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)發(fā)力1β,、1γ與1δ工藝,，其中美光計劃2022年底前推出1β DRAM產(chǎn)品，將可為圖形,、HBM3和汽車等領(lǐng)域提供良好的性能,，美光希望通過1β DRAM產(chǎn)品，持續(xù)提升公司在DDR5和LPDDR5的地位,。

　　至于1γ與1δ工藝時間節(jié)點美光則暫未公布,，該公司表示將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術(shù)。

　　NAND Flash方面,，176層NAND閃存之后,，美光工藝節(jié)點依次是232層、2YY,、3XX與4XX,。

　　其中，美光將在2022年底開始推出232層NAND產(chǎn)品,。據(jù)悉,，美光232層NAND閃存采用 3D TLC 架構(gòu),，原始容量為1Tb（128GB），基于美光的CuA架構(gòu),，并使用NAND字符串堆疊技術(shù),，在彼此的頂部建立兩個3D NAND陣列。業(yè)界預(yù)估,，232層NAND閃存芯片發(fā)布之后,，美光將于2023年推出搭載該款芯片的SSD產(chǎn)品。

　　維護(hù)存儲器價格穩(wěn)定

　　美光將試行“遠(yuǎn)期定價協(xié)議”

　　Investor Day活動上,，美光還對外宣布試行全新定價機(jī)制“遠(yuǎn)期定價協(xié)議(forward pricing agreements)”,，旨在解決半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)定價波動劇烈的問題。美光透露前十大客戶中的一位已經(jīng)與美光簽約,，協(xié)議為期至少三年,，預(yù)估一年可帶來超過5億美元收入。

　　美光CBO Sumit Sadana表示,，該定價策略目前仍是「試驗」性質(zhì),，長約客戶以采購量而非價格為基準(zhǔn)，但遠(yuǎn)期價格協(xié)議則會涵蓋交易量與定價,。

　　當(dāng)前,，存儲器市場受到疫情、國際形勢變化,、高通貨膨脹等多因素困擾。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,，在俄烏沖突與高通貨膨脹夾擊之下,，預(yù)估第二季DRAM價格將下跌0~5%。

　　NAND  Flash方面,，由于原本預(yù)期鎧俠（Kioxia）污染事件恐將造成第二至第三季市況轉(zhuǎn)為吃緊,，但在高通脹及俄烏沖突的沖擊下，市場對于下半年傳統(tǒng)旺季消費(fèi)性產(chǎn)品需求看法轉(zhuǎn)趨保守,，集邦咨詢預(yù)計第二季NAND Flash價格將上漲5~10%,，而第三季價格則僅會微幅上漲約0~5%。