5月22日消息，根據市場研究機構TrendForce最新發(fā)布的研究報道稱，受益于AI芯片需求的帶動，三大DRAM原廠正積極推動HBM4 產品進度。但因HBM4的I/O 數量增加，復雜芯片設計也使得所需的晶圓面積增加，且部分供應商產品改為采邏輯基低芯片構架以提高性能，這些都將帶來成本的提升。鑒于HBM3e剛剛推出時溢價比例約20%，制造難度更高的HBM4的溢價幅度或突破30%。

相比上代產品，HBM4的I/O數從1,024翻倍提升至2,048，數據傳輸速率維持8.0Gbps以上，和HBM3e相當。這代表相同傳輸速度下，有較高信道數的HBM4可以傳輸的數據總量倍增。根據最新的資料顯示，英偉達的最新Rubin GPU、AMD MI400都將會搭載HBM4。

目前HBM3e base die采內存構架，僅單純信號轉接。SK海力士與三星HBM4的 base die 將會轉向與晶圓代工廠合作，改為采邏輯芯片構架，具備整合HBM與SoC功能，除了加速數據路徑、減少延遲，高速數據傳輸環(huán)境更能增加穩(wěn)定性。

由于需求強勁，TrendForce預估2026年HBM市場總出貨量突破300億Gb，HBM4市占率則隨供應商持續(xù)放量逐季提高，2026年下半超越HBM3e系列產品，成為市場主流。至于供應商表現，SK海力士將以過半市占率穩(wěn)居領導地位，三星與美光仍待產品良率與產能表現提升，才有機會迎頭趕上。