據(jù)財聯(lián)社消息，美光總裁暨執(zhí)行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）5月26日表示,，中國臺灣中科新廠啟用后,，美光將會導(dǎo)入先進性1a nmDRAM制程生產(chǎn)以及最先進的極紫外光（EUV）設(shè)備。

　　公開資料顯示,，EUV制程采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源的光刻,，相較于將蝕刻液噴灑在半導(dǎo)體表面，利用蝕刻液與半導(dǎo)體基底化學(xué)反應(yīng)的DUV,，蝕刻的各向異性明顯改善,，對于精確度要求較高的集成電路，EUV使電路分辨率和良率得到極大提升,。

　　簡單而言,，利用EUV設(shè)備生產(chǎn)DRAM，將極大的提高產(chǎn)能,、良率,，并降低成本。這也使得EUV的爭奪愈加白熱化,。

　　基于EUV技術(shù)對DRAM技術(shù)節(jié)點的好處,，三星、SK海力士和美光這三大DRAM廠商已先后進入了EUV DRAM市場,。

　　三星

　　三星率先引入了EUV,。2020 年3月，三星率先使用極紫外（EUV)光刻技術(shù),，同年10月便開始批量生產(chǎn)基于EUV的14nm DRAM,。在此過程中，三星將其最先進的14nm DDR5上的EUV層數(shù)從兩層增加到了五層DRAM工藝,。

　　2021年11月,，三星表示，其已經(jīng)應(yīng)用EUV技術(shù)開發(fā)了14nm 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM,，專門用于5G,、人工智能(AI)、機器學(xué)習(xí)(ML)和其他大數(shù)據(jù)終端應(yīng)用等高速率應(yīng)用,。此外,，該公司還發(fā)布了其首個支持新型計算快速鏈接(Compute ExpressLink,CXL) 互連標(biāo)準(zhǔn)的DRAM內(nèi)存模塊,，并發(fā)布了專為自主電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計的2GB GDDR6和2GB DDR4汽車DRAM。

　　今年2月,，三星官方表示其基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已完成了量產(chǎn),。業(yè)界消息顯示，三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟,，其三星的P3工廠也將采用EUV工藝生產(chǎn)10nm DRAM,。

　　SK海力士

　　SK海力士引入EUV是在2021年。2021年2月,，SK海力士完成首個用于DRAM的EUV晶圓廠M16,，正式引入了EUV光刻設(shè)備。2021年7月,，SK海力士宣布量產(chǎn)了1a nm工藝的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM,。

　　官方消息顯示，與第三代1z nm內(nèi)存芯片相比,，1a技術(shù)在相同的晶圓面積下,，生產(chǎn)的芯片數(shù)量可以增加25%。此外,，202年SK海力士還發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界性能最高的DDR5 DRAM,，作為海力士的第三代高帶寬內(nèi)存，該芯片被稱為HBM3,。

　　美光

　　對比前兩家的早早加碼EUV,，美光方面則稍晚一些。據(jù)外媒此前消息,，美光計劃從2024年開始,，將EUV納入DRAM開發(fā)路線圖。美光在2021年推出了其1a nm內(nèi)存節(jié)點DRAM,，推出時該工藝依舊未使用EUV光刻技術(shù),，美光稱其存儲密度比之前的1z nm節(jié)點DRAM 提高40%,。

　　今年5月26日,，美光表示，將在中國臺灣中科新廠啟用后導(dǎo)入最先進的極紫外光（EUV）設(shè)備或用來生產(chǎn)1a nm DRAM制程,。這是否是制程升級給美光帶來了新的壓力,，我們不得而知。但是可以確定的是,，三大DRAM廠商EUV競爭已進一步升級,。