在后摩爾時代,，具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出,，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體,，憑借其大幅降低電力傳輸中能源消耗的顯著優(yōu)勢,，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域大放異彩,，成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的研究焦點。

　　碳化硅和氮化鎵我們可能已經(jīng)比較熟悉,，同為寬禁帶半導(dǎo)體的氧化鎵(Ga2O3)則是更加新興的領(lǐng)域,。研究證明，以氧化鎵材料制作的功率器件,，相較于碳化硅和氮化鎵所制成的產(chǎn)品,，更加耐熱且高效、成本更低,、應(yīng)用范圍更廣,，是被國際普遍關(guān)注并認可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。其他的第四代半導(dǎo)體還包括金剛石(Diamond) 、氮化鋁(AlN) ,，這些材料中只有氧化鎵已經(jīng)實現(xiàn)大尺寸突破(6英寸),，預(yù)計未來3-5年可以實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。

　　據(jù)市場調(diào)查公司富士經(jīng)濟于2019年6月5日公布的《Wide Gap 功率半導(dǎo)體元件》全球市場預(yù)測來看,，2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1542億日元(約人民幣92.76億元),，這個市場規(guī)模甚至超過氮化鎵功率元件的規(guī)模(1085億日元，約人民幣65.1億元),。

　　氧化鎵是什么樣的半導(dǎo)體材料?

　　資料顯示,，氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料。超禁帶半導(dǎo)體分兩個方向,，一是超窄禁帶,，禁帶寬度(指被束縛的價電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量)在零點幾電子伏特(eV)，比超窄禁帶更窄的材料便稱為導(dǎo)體;二是超寬禁帶,，如禁帶寬度在4.9eV的氧化鎵,，以及更高的金剛石、氮化鋁等,，當(dāng)禁帶寬度超過6.2eV,，基本上就是絕緣體。目前來看,，超禁帶半導(dǎo)體將會是最后一代半導(dǎo)體,，尤其是金剛石很早就被稱為“終極半導(dǎo)體”。

　　與碳化硅3.25eV,、氮化鎵3.4eV的帶隙相比,，氧化鎵分為α、β,、γ,、δ和ε五種結(jié)晶形態(tài)，其中最為穩(wěn)定的是β-氧化鎵,，其次是ε和α,，目前大部分研究和開發(fā)也是針對禁帶寬度在4.7eV和4.9eV之間的β-氧化鎵進行。而且β-氧化鎵的生長速率快于碳化硅和氮化鎵,，襯底工藝也相對較簡單,。

　　β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)

　　隨著氧化鎵晶體生長技術(shù)的突破性進展，氧化稼和藍寶石一樣,，可以從溶液狀態(tài)轉(zhuǎn)化成塊狀(Bulk)單結(jié)晶狀態(tài),。可以通過運用與藍寶石晶圓生產(chǎn)技術(shù)相同的EFG(Edge-defined Film-fed Growth)方法,，做出氧化鎵晶圓,，成熟的生產(chǎn)工藝會大幅度降低生產(chǎn)成本,。

　　超大的禁帶寬度確保了氧化鎵的抗輻照和抗高溫能力，可以在超低溫,、強輻射等極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性質(zhì),。而其高擊穿場強(~8 MV/cm)的特性確保了制備的氧化鎵器件可以在超高電壓下使用，低的導(dǎo)通電阻(相同耐壓下約是GaN 基器件的1/3)和大的巴利加優(yōu)值(Baliga)BFOM指數(shù)(分別是GaN和SiC的四倍和十倍)則有利于提高載流子收集效率和導(dǎo)通特性,。

　　各國爭相布局氧化鎵,，日本再次領(lǐng)先

　　雖然目前還處于研發(fā)階段，但各國半導(dǎo)體企業(yè)都在爭相布局氧化鎵,。不同的是,，研究氧化鎵功率元件并進行開發(fā)的主體并不是Cree、Rohm,、ST,、Infineon、Bosch,、OnSemi等功率半導(dǎo)體和元器件龍頭企業(yè),，而是初創(chuàng)企業(yè)。未來主要應(yīng)用場景包括通信,、雷達,、航空航天、高鐵動車,、新能源汽車等領(lǐng)域的輻射探測領(lǐng)域的傳感器芯片,，以及在大功率和超大功率芯片。

　　今年4月,，韓國30家半導(dǎo)體企業(yè),、大學(xué)以及研究所組建了碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，目的是為了應(yīng)對急速增長的碳化硅,、氮化鎵,、氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體所引領(lǐng)的新型功率半導(dǎo)體市場。

　　日本在氧化鎵研究上是最前沿的,，其氧化鎵功率元件方向的研發(fā)始于以下三位：日本國立信息通信技術(shù)研究所(NICT)的東脅正高先生,、京都大學(xué)的藤田靜雄教授、田村(Tamura)制作所的倉又朗人先生,。

　　NICT的東脅先生于2010年3月結(jié)束在美國大學(xué)的赴任并返回日本。2012年,，NICT開發(fā)出了世界首個單晶β-氧化鎵場效應(yīng)晶體管(MESFET),，其擊穿電壓達到250V以上;達到這個里程碑，氮化鎵用了近20年,。此后不久又報道了肖特基勢壘二極管(SBD),，給業(yè)界打開了氧化鎵新應(yīng)用的大門,。

　　京都大學(xué)的藤田教授于2008年發(fā)布了氧化鎵深紫外線檢測和Schottky Barrier Junction、藍寶石(Sapphire)晶圓上的外延生長(Epitaxial Growth)等研發(fā)成果后,，又通過利用獨自研發(fā)的“霧化法”薄膜生產(chǎn)技術(shù)(Mist CVD法)致力于研發(fā)功率元件,。

　　倉又先生在田村(Tamura)制作所負責(zé)研發(fā)LED方向的氧化鎵單晶晶圓，并將應(yīng)用在功率半導(dǎo)體方向,。

　　三人的接觸與新能源·產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)于2011年度提出的“節(jié)能革新技術(shù)開發(fā)事業(yè)—挑戰(zhàn)研發(fā)(事前研發(fā)一體型),、超耐高壓氧化鎵功率元件的研發(fā)”這一委托研發(fā)事業(yè)有一定關(guān)聯(lián)，接受委托的是NICT,、京都大學(xué),、田村制作所等?？梢哉f,，由這一委托開啟了氧化鎵功率元件的正式研發(fā)。

　　2011年,，京都大學(xué)投資成立了公司“FLOSFIA”;在2015年,，NICT和田村制作所合作投資成立了氧化鎵產(chǎn)業(yè)化企業(yè)“Novel Crystal Technology”，簡稱“NCT”?，F(xiàn)在,，這兩家企業(yè)是日本氧化鎵研發(fā)的中堅企業(yè)，也是世界上唯二兩家能夠量產(chǎn)氧化鎵材料及器件的企業(yè),。

　　2015年,，日本推出了高質(zhì)量氧化鎵單晶襯底，2016年又推出了同質(zhì)外延片,，此后基于氧化鎵材料的器件研究成果開始爆發(fā)式出現(xiàn),，國際上開始了氧化鎵領(lǐng)域的瘋狂競賽。

　　日前,， NCT與日本酸素控股旗下的大陽日酸,、東京農(nóng)工大學(xué)合作實現(xiàn)了氧化鎵功率半導(dǎo)體的6英寸成膜，突破了只能在最大4英寸晶圓上成膜的技術(shù)瓶頸,，此技術(shù)有望把成本降至碳化硅功率半導(dǎo)體的1/3,。目前NCT公司采用導(dǎo)模法(EFG法)，幾乎供應(yīng)了全球100%的氧化鎵襯底,，EFG法是當(dāng)前唯一能制造大尺寸氧化鎵襯底的工藝,。

　　西方國家方面，美國空軍研究室(AFRL)在2012年注意到了NICT的成功,，研究員Gregg Jessen領(lǐng)導(dǎo)的團隊探索了氧化鎵材料的特性,，建立了美國的氧化鎵研究基礎(chǔ)，獲得了首批樣品,。

　　之后美國空軍研究實驗室,、美國海軍實驗室和美國宇航局,，積極尋求與美國高校和全球企業(yè)合作，開發(fā)耐更高電壓,、尺寸更小,、更耐輻照的氧化鎵功率器件。Kelson Chabak接任團隊負責(zé)人后,，他們從唯一的商業(yè)供應(yīng)商Tamura采購了襯底,，并聯(lián)系了Tamura投資的NCT購買外延片，同時也從德國萊布尼茨晶體生長研究所(IKZ)采購?fù)庋悠?/p>

　　2020年4月,，美國紐約州立大學(xué)布法羅分校(the University at Buffalo)宣稱他們正在研發(fā)一款基于氧化鎵的晶體管,，能夠承受8000V以上的電壓，而且只有一張紙那么薄,。該團隊在2018年制造了一個由5微米厚(一張紙厚約100微米)的氧化鎵制成的MOSFET,，擊穿電壓為1,850 V。該產(chǎn)品將用于制造更小,、更高效的電子系統(tǒng),，應(yīng)用在電動汽車、機車和飛機上,。

　　在電流和電壓需求方面Si,，SiC，GaN和GaO功率電子器件的應(yīng)用

　　德國萊布尼茨晶體生長研究所,、法國圣戈班等全球企業(yè),、科研機構(gòu)也加入了氧化鎵材料及器件研發(fā)的浪潮中，這種半導(dǎo)體材料可謂是吸引了世界的廣泛關(guān)注,。

　　我國其實開展氧化鎵研究已經(jīng)十余年,，但研究更集中于科研領(lǐng)域，直到近年來46所的技術(shù)突破才逐漸實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,。雖然產(chǎn)業(yè)化進程比日本要緩慢,，但是比美國要快得多。今年我國科技部將氧化鎵列入“十四五重點研發(fā)計劃”,，從公開資料能了解到目前從事氧化鎵材料和器件研究的單位和企業(yè),，主要是中電科46所、西安電子科技大學(xué),、山東大學(xué),、上海光機所、上海微系統(tǒng)所,、復(fù)旦大學(xué),、南京大學(xué)等高校及科研院所，科技成果轉(zhuǎn)化的公司有深圳進化半導(dǎo)體,、北京鎵族科技,、杭州富加鎵業(yè)。

　　中國研究成果之：高耐壓氧化鎵二極管

　　近日,，中國科大微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(ISPSD,，全稱為：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)。ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域國際頂級學(xué)術(shù)會議,。

　　能源,、信息、國防,、軌道交通,、電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對功率半導(dǎo)體器件性能提出了更高的要求,，高耐壓,、低損耗、大功率器件成為未來發(fā)展的趨勢,。氧化鎵作為新一代功率半導(dǎo)體材料,，禁帶寬帶大、抗極端環(huán)境強,，有望在未來功率器件領(lǐng)域發(fā)揮極其重要的作用,。

　　但氧化鎵功率半導(dǎo)體器件推向產(chǎn)業(yè)化仍然有很多問題，包括邊大尺寸高質(zhì)量單晶的制作,、熱導(dǎo)率極低導(dǎo)致散熱難,、緣峰值電場難以抑制、增強型晶體管難以實現(xiàn)等,。中科大課題組針對后兩個痛點分別做了如下工作：

　　目前,，由于氧化鎵P型摻雜仍然存在挑戰(zhàn)，氧化鎵同質(zhì)PN結(jié)作為極其重要的基礎(chǔ)器件暫時難以實現(xiàn),，導(dǎo)致氧化鎵二極管器件缺乏采用同質(zhì)PN結(jié)抑制陽極邊緣峰值電場(例如場環(huán),、結(jié)終端擴展等)。為此,，采用其他合適的P型氧化物材料與氧化鎵形成異質(zhì)結(jié)是一種可行解決方案,。P型半導(dǎo)體NiO由于禁帶寬度大及可控摻雜的特點，是目前較好的選擇,。

　　該課題組基于NiO生長工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)

　　(Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021),，設(shè)計了結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)(Junction Termination Extension, JTE)，并優(yōu)化退火工藝,，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管,。該研究采用的JTE設(shè)計能夠有效緩解NiO/Ga2O3結(jié)邊緣電場聚集效應(yīng)，提高器件的擊穿電壓,。退火工藝能夠極大降低異質(zhì)結(jié)的反向泄漏電流,，提高電流開關(guān)比,。最終測試結(jié)果表明該器件具有2.5mΩ·cm2的低導(dǎo)通電阻和室溫下2.66 kV的高擊穿電壓，其功率品質(zhì)因數(shù)高達2.83 GW/cm2,。此外,，器件在250 °C下仍能保持1.77 kV的擊穿電壓，表現(xiàn)出極好的高溫阻斷特性,，這是領(lǐng)域首次報道的高溫擊穿特性,。研究成果以“2.6 kV NiO/Ga2O3Heterojunction Diode with Superior High-Temperature Voltage Blocking Capability”為題發(fā)表在ISPSD 2022上。第一作者為中科大微電子學(xué)院博士生郝偉兵,，微電子學(xué)院龍世兵教授和徐光偉特任副研究員為論文共同通訊作者,。

　　結(jié)終端擴展NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管(a)截面示意圖和器件關(guān)鍵制造細節(jié)，(b)與已報道的氧化鎵肖特基二極管及異質(zhì)結(jié)二極管的性能比較,。

　　中國研究成果之：增強型氧化鎵場效應(yīng)晶體管

　　增強型晶體管具有誤開啟自保護功能,，且僅需要單電源供電，因此在功率應(yīng)用中通常選用增強型器件,。但由于氧化鎵P型摻雜技術(shù)缺失,，場效應(yīng)晶體管一般為耗盡型器件，增強型結(jié)構(gòu)難以設(shè)計和實現(xiàn),。常見的增強型設(shè)計方案往往會大幅提升器件的開態(tài)電阻,，導(dǎo)致過高的導(dǎo)通損耗。

　　針對上述問題,，中科大課題組在原有增強型晶體管設(shè)計基礎(chǔ)上(Xuanze Zhou, et.al., IEEE Transactions on Electron Devices, 68, 1501-1506, 2021),，引入了同樣為寬禁帶半導(dǎo)體材料的P型NiO，并與溝槽型結(jié)構(gòu)相結(jié)合,，成功設(shè)計并制備出了氧化鎵增強型異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管,。該器件達到了0.9 V的閾值電壓，較低的亞閾值擺幅(73 mV/dec),，高器件跨導(dǎo)(14.8 mS/mm)以及接近零的器件回滯特性,，這些特性表明器件具有良好的柵極控制能力。此外,，器件的導(dǎo)通電阻得到了很好的保持,，為151.5 Ω·mm，并且擊穿電壓達到了980 V,。

　　研究成果以“Normally-offβ-Ga2O3Power Heterojunction Field-Effect-Transistor Realized by p-NiO and Recessed-Gate”為題發(fā)表在ISPSD 2022上,。

　　基于異質(zhì)PN氧化鎵結(jié)型場效應(yīng)晶體管(a)結(jié)構(gòu)示意圖及工藝流程圖，(b)不同漏極偏壓的轉(zhuǎn)移特性,，(c)輸出特性曲線,，與(d)擊穿特性曲線。

　　中國研究成果之：異質(zhì)集成材料解決散熱問題

　　中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所歐欣研究員課題組與西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊韓根全教授合作，利用基于“萬能離子刀”的異質(zhì)集成技術(shù)將氧化鎵(Ga2O3)材料與器件的散熱能力提升4倍以上,，并在實驗上觀測到了異質(zhì)集成Ga2O3器件的表面溫度明顯低于體襯底Ga2O3器件,。相關(guān)研究成果以“Efficient thermal dissipation in wafer-scale heterogeneous integration of single-crystalline β-Ga2O3 thin film on SiC”發(fā)表在國家自然科學(xué)基金委員會主辦的Fundamental Research期刊，并被選為“寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體”專題的正封面文章,。

　　與氮化鎵材料體系類似,，將氧化鎵單晶薄膜與高導(dǎo)熱襯底材料結(jié)合形成異質(zhì)集成材料是解決其散熱問題的有效途徑之一。由于晶格失配等物理限制,，傳統(tǒng)的異質(zhì)外延生長技術(shù)難以在碳化硅等高導(dǎo)熱襯底上生長出高質(zhì)量的氧化鎵單晶薄膜。

　　2019年,，中國科學(xué)院微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所歐欣團隊與西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊韓根全教授合作,，采用離子束剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)在國際上首次實現(xiàn)晶圓級Ga2O3單晶薄膜與高導(dǎo)熱硅基和碳化硅基襯底的異質(zhì)集成，制備出了Ga2O3/Si和Ga2O3/SiC異質(zhì)集成材料,，對比基于同質(zhì) Ga2O3襯底的器件,，異質(zhì)集成Ga2O3器件熱穩(wěn)定性有顯著的提升，成果發(fā)表在微電子領(lǐng)域頂級國際會議IEDM上(10.1109/IEDM19573.2019.8993501),。

　　在本工作中,，該團隊對Ga2O3/SiC異質(zhì)集成材料和器件的散熱特性進行了深入研究。瞬態(tài)熱反射測試結(jié)果表明Ga2O3/SiC異質(zhì)集成材料的熱弛豫要明顯快于Ga2O3體材料,，通過高溫后退火可消除注入應(yīng)力,、缺陷，提升異質(zhì)界面質(zhì)量,，可進一步降低材料等效界面熱阻,。利用紅外熱成像技術(shù)直觀地觀察到在相同功率下基于Ga2O3/SiC異質(zhì)集成材料的SBD器件表面溫度明顯低于Ga2O3體材料器件，Ga2O3/SiC異質(zhì)集成材料的等效熱阻為43.55 K/W,，僅為Ga2O3體材料(188.24 K/W)的1/4,，這表明通過與高導(dǎo)熱襯底集成能夠有效提升Ga2O3器件的熱耗散。

　　本研究不僅加深了對異質(zhì)材料界面熱傳輸機理的理解,，也為 Ga2O3器件的熱管理提供了一種有效的解決方案,，從而為開發(fā)下一代高性能功率器件提供關(guān)鍵技術(shù)和材料支撐。

　　更多中國機構(gòu)在氧化鎵上的研究進展

　　(1)中電科46所

　　據(jù)觀察者網(wǎng)在2019年2月的報道,，中國電科46所經(jīng)過多年氧化鎵晶體生長技術(shù)探索,，通過改進熱場結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長氣氛和晶體生長工藝,，有效解決了晶體生長過程中原料分解,、多晶形成、晶體開裂等問題,，采用導(dǎo)模法成功在2016年制備出國內(nèi)第一片高質(zhì)量的2英寸氧化鎵單晶,，在2018年底制備出國內(nèi)第一片高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。報道指出，中國電科46所制備的氧化鎵單晶的寬度接近100mm,，總長度達到250mm,，可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓,。這也是目前為止國內(nèi)唯一能夠達到該尺寸的記錄保持者,。

　　(2)西電大學(xué)/微系統(tǒng)所

　　據(jù)中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所報道，在2019年12月,，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學(xué)郝躍課題組教授韓根全攜手,，在氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得了新進展。歐欣課題組和韓根全課題組利用“萬能離子刀”智能剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù),，首次將晶圓級β相GaO單晶薄膜(400nm)與高導(dǎo)熱的Si和4H-SiC襯底晶圓級集成,，并制備出高性能器件。報道指出,，該工作在超寬禁帶材料與功率器件領(lǐng)域具有里程碑式的重要意義,。首先，異質(zhì)集成為GaO晶圓散熱問題提供了最優(yōu)解決方案,，勢必推動高性能GaO器件研究的發(fā)展;其次,，該研究將為我國GaO基礎(chǔ)研究和工程化提供優(yōu)質(zhì)的高導(dǎo)熱襯底材料，推動GaO在高功率器件領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用,。

　　(3)復(fù)旦大學(xué)

　　在2020年6月，復(fù)旦大學(xué)方志來團隊在p型氧化鎵深紫外日盲探測器研究中取得重要進展,。報道表示,，方志來團隊采用固-固相變原位摻雜技術(shù)，同時實現(xiàn)了高摻雜濃度,、高晶體質(zhì)量與能帶工程,，從而部分解決了氧化鎵的p型摻雜困難問題。

　　(4)北京鎵族科技

　　資料顯示,，北京鎵族科技有限公司成立于2017年年底,，是國內(nèi)首家、國際第二家專業(yè)從事第四代(超寬禁帶)半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司,，是北京郵電大學(xué)的唐為華老師從2011年以來致力于氧化鎵材料及器件形成科研成果的產(chǎn)業(yè)化平臺,。

　　公司研發(fā)和生產(chǎn)基于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測器件,、高頻大功率器件,，已與合作單位一起已經(jīng)實現(xiàn)1000V耐壓的肖特基二極管模型制作，并已經(jīng)實現(xiàn)5000V耐壓的MOSFET模型制作,，開發(fā)出氧化鎵基日盲紫外探測器分立器件和陣列成像器件,，為深紫外光電器件提供了良好解決方案,，可支持極弱火焰和極弱電弧實時檢測等，并已推出系統(tǒng)化模塊,。公司已申請40余項專利,，完成了產(chǎn)業(yè)中試的前期技術(shù)、人員,、軟硬件等量產(chǎn)化要求的所有準備工作,。公司擁有廠房面積1500平米，涵蓋完整的產(chǎn)業(yè)中試產(chǎn)線,，具備研發(fā)和小批量生產(chǎn)能力,，初步構(gòu)建了氧化單晶襯底、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延襯底生產(chǎn)和研發(fā)平臺,。未來將不斷完善晶體生長,、晶體加工、外延薄膜性能測試,、微納加工、聯(lián)合研發(fā)等六大平臺搭建,。

　　(5)杭州富加鎵業(yè)

　　據(jù)官網(wǎng)信息,，公司成立于2019年12月，注冊資金500萬,，是由中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所與杭州市富陽區(qū)政府共建的“硬科技”產(chǎn)業(yè)化平臺——杭州光機所孵化的科技型企業(yè),。

　　富加鎵業(yè)專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)，公司核心創(chuàng)始人具有中科院博士,、劍橋大學(xué)博士等材料領(lǐng)域的深厚背景,，團隊成員主要來自中國科學(xué)院、美英海歸等業(yè)內(nèi)資深人才,，研發(fā)人員中碩士以上比例達到80%;公司廠房面積八千余平米,，擁有多臺大尺寸導(dǎo)模法晶體生長爐、多氣氛晶體退火爐,、高精密拋光機等儀器設(shè)備,，為公司的發(fā)展提供了基礎(chǔ)支撐和持續(xù)創(chuàng)新動力硬件保證。

　　富加鎵業(yè)最初技術(shù)來源于中科院上海光機所技術(shù)研發(fā)團隊,，該團隊是我國最早從事氧化鎵晶體生長的團隊,，從04年開始即開展研究。富加鎵業(yè)專業(yè)從事氧化鎵單晶材料設(shè)計,、模擬仿真,、生長及性能表征等工作，形成了較鮮明的特色和優(yōu)勢,。我們注重知識產(chǎn)權(quán)保護和氧化鎵相關(guān)基礎(chǔ)探索研究工作,，在全球范圍內(nèi)對氧化鎵晶體材料生長及上下游應(yīng)用領(lǐng)域的專利進行布局，申請進入歐盟、美國,、日本,、韓國、新加坡等國家,。團隊的氧化鎵晶體材料及器件基礎(chǔ)研究成果,，多篇科研論文已發(fā)表在國際頂級學(xué)術(shù)期刊上，與全球科研工作者共享最新研究成果,，共同推動全球第四代半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)的發(fā)展,。

　　(6)其他

　　山東大學(xué)采用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法研究了β相GaO薄膜的生長及其光學(xué)性質(zhì)。北京郵電大學(xué),、電子科技大學(xué),、中山大學(xué)也分別獨立開展了β相GaO薄膜及日盲紫外探測器的研究，已取得了一些重要的研究成果,，但基本未見在晶體材料方面的相關(guān)報道,。