3月21日消息,，近日,，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布,，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院,、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

采用自主開創(chuàng)的鑄造法,，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶,，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

6英寸導(dǎo)電型氧化鎵襯底

杭州鎵仁半導(dǎo)體,，也成為國內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司,。

據(jù)介紹，氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造,，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,，被稱為第四代半導(dǎo)體材料。

該材料主要用于制備功率器件,、射頻器件及探測(cè)器件,，在軌道交通、智能電網(wǎng),、新能源汽車,、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信,、國防軍工等領(lǐng)域,，均具有廣闊應(yīng)用前景。

6英寸非故意摻雜（上）與導(dǎo)電型（下）氧化鎵單晶

該公司表示,，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法,，具有以下顯著優(yōu)勢(shì)：

第一，鑄造法成本低,，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少,，成本顯著降低；

第二,，鑄造法簡單可控,，其工藝流程短、效率高,、尺寸易放大,；

第三，鑄造法擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),，中國和美國專利已授權(quán)，為突破國外技術(shù)壟斷,，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),。

目前而言,，日本的NCT在氧化鎵襯底方面，仍占據(jù)著領(lǐng)先地位,，但國內(nèi)也總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢(shì),。