《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > 存儲芯片從落后20年,,到追上三星,、美光,中國廠商只花了6年

存儲芯片從落后20年,,到追上三星,、美光,中國廠商只花了6年

2022-06-15
來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關(guān)鍵詞: 存儲芯片 三星 美光

近日,,有消息稱,,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初,,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù),。

這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星,、美光了,。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了,。

而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。

可見,,國產(chǎn)存儲芯片,,在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星、美光這樣的頂級大廠,,大家差不多處于同一水平線了,。

而仔細(xì)說起來,國產(chǎn)存儲芯片從之前的落后20年,,到現(xiàn)在追上頂級水平,,其實只花了6年時間。

長江存儲是2016年成立的,,總投資1600億元,,預(yù)計建設(shè)目標(biāo)是總產(chǎn)能30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元,,拿下全球20%以上的市場份額,,成為全球知名的NAND閃存廠商。

而2016年時,,國內(nèi)在存儲芯片上基本一片空白,,落后國外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好長江存儲,,覺得可能需要很久的時候,,才有可能追上三星、美光等,。

不曾想長江存儲進度非???,2017年就研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片,然后在2018年實現(xiàn)了量產(chǎn),,雖然落后國外很多,,但有了0的突破。

后來長江存儲又自研出了Xtacking架構(gòu),,大幅度的提高了存儲密度,。并在2019年9月份,基于自研Xtacking架構(gòu),,推出了64層3D NAND Flash,,拉近了與三星、美光之間的差距,。

接著長江存儲實現(xiàn)了跳躍式發(fā)展,,跳過了96層,直接在2020年4月,,發(fā)布了128層3D NAND 閃存,,再次縮小與三星、美光的差距,。

并且基于Xtacking架構(gòu),,長江存儲128層堆疊的NAND閃存芯片,其存儲密度達(dá)到了8.48 Gb/mm?,,遠(yuǎn)高于三星,、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠,。

可能很多人不理解,,堆疊層數(shù)多少有什么意義?在存儲芯片領(lǐng)域,,堆疊層數(shù)越高,,意味著工藝越先進,意味著存儲密度越高,,芯片的成本越低,,尺寸越小。

大家原本以為,,長江存儲從128層跨越到232層,可能需要幾年時間,,不曾想在美光,、三星進入232層時,長江存儲馬上也追了上來,。

而按照機構(gòu)的數(shù)據(jù),,2021年,,國產(chǎn)存儲芯片的市場份額為4%,而2022年可以達(dá)到7%左右,,而2023年預(yù)計會達(dá)到12-15%,。

這也就意味著,長江存儲真的花了6年多一點的時間,,就把原本落后至少20多年的存儲芯片技術(shù),,追了上來,市場也是飛速增長,,這實在是太牛了,。

而長江存儲也給大家證明了一個事實,那就是只要認(rèn)真扎實去研發(fā),,芯片技術(shù)一樣難不倒我們,。





1最后文章空三行圖片11.jpg


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。