近日,，有消息稱,，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片,。而預(yù)計在2022年底或2023年初,，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。

這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,，終于追上三星,、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了,。

而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了,。

可見,，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星,、美光這樣的頂級大廠,，大家差不多處于同一水平線了。

而仔細說起來,，國產(chǎn)存儲芯片從之前的落后20年,，到現(xiàn)在追上頂級水平，其實只花了6年時間,。

長江存儲是2016年成立的,，總投資1600億元，預(yù)計建設(shè)目標是總產(chǎn)能30萬片／月,，年產(chǎn)值將超過100億美元,，拿下全球20％以上的市場份額,，成為全球知名的NAND閃存廠商。

而2016年時,，國內(nèi)在存儲芯片上基本一片空白,，落后國外水平至少是20年以上。所以很多人并不看好長江存儲,，覺得可能需要很久的時候,，才有可能追上三星、美光等,。

不曾想長江存儲進度非?？欤?017年就研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片,，然后在2018年實現(xiàn)了量產(chǎn),，雖然落后國外很多，但有了0的突破,。

后來長江存儲又自研出了Xtacking架構(gòu),，大幅度的提高了存儲密度。并在2019年9月份,，基于自研Xtacking架構(gòu),，推出了64層3D NAND Flash，拉近了與三星,、美光之間的差距,。

接著長江存儲實現(xiàn)了跳躍式發(fā)展,，跳過了96層,，直接在2020年4月，發(fā)布了128層3D NAND 閃存,，再次縮小與三星,、美光的差距。

并且基于Xtacking架構(gòu),，長江存儲128層堆疊的NAND閃存芯片,，其存儲密度達到了8．48 Gb／mm?，遠高于三星,、美光,、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

可能很多人不理解,，堆疊層數(shù)多少有什么意義,？在存儲芯片領(lǐng)域，堆疊層數(shù)越高,，意味著工藝越先進,，意味著存儲密度越高,，芯片的成本越低，尺寸越小,。

大家原本以為,，長江存儲從128層跨越到232層，可能需要幾年時間,，不曾想在美光,、三星進入232層時，長江存儲馬上也追了上來,。

而按照機構(gòu)的數(shù)據(jù),，2021年，國產(chǎn)存儲芯片的市場份額為4％,，而2022年可以達到7％左右,，而2023年預(yù)計會達到12－15％。

這也就意味著,，長江存儲真的花了6年多一點的時間,，就把原本落后至少20多年的存儲芯片技術(shù)，追了上來,，市場也是飛速增長,，這實在是太牛了。

而長江存儲也給大家證明了一個事實,，那就是只要認真扎實去研發(fā),，芯片技術(shù)一樣難不倒我們。