日前,，芯動(dòng)科技率先突破10Gbps,，以先進(jìn)FinFET工藝量產(chǎn)了全球最快的LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案,，速度領(lǐng)先市場(chǎng)最高端LPDDR5（6.4Gbps）一倍左右,。該全套技術(shù)方案已廣泛運(yùn)用于智能芯片CPU/GPU/NPU高性能計(jì)算,、汽車自動(dòng)駕駛、移動(dòng)終端等高性能應(yīng)用領(lǐng)域,，進(jìn)一步打破“內(nèi)存墻”,超低功耗,、精簡(jiǎn)尺寸、兼容多個(gè)協(xié)議,，助力客戶在高帶寬內(nèi)存方面保持長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì),，兼容DRAM廠商未來(lái)五年發(fā)展路線，一次設(shè)計(jì)五年不過(guò)時(shí),！

▲芯動(dòng)LPDDR5X（單比特DQ達(dá)10Gbps）在長(zhǎng)距PCB板上的實(shí)測(cè)波形

在馮諾依曼架構(gòu)體系下,，高端DDR訪問(wèn)技術(shù)是智能芯片突破數(shù)據(jù)訪問(wèn)瓶頸致勝的法寶。新一代智能芯片的DDR接口需具備適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景,、低功耗,、高帶寬,、兼容更多DRAM協(xié)議、為更新的DRAM技術(shù)預(yù)留通道等諸多特性,，從而延長(zhǎng)產(chǎn)品周期,、增加應(yīng)用覆蓋、提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,。最新的LPDDR5X與LPDDR5相比,，速度提升17%，延遲降低15%,，對(duì)5G通信性能,、汽車高分辨率增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)和使用AI的邊緣計(jì)算等應(yīng)用場(chǎng)景有顯著的收益提升，給用戶帶來(lái)全新體驗(yàn),，預(yù)計(jì)眾多國(guó)內(nèi)外客戶將搭載芯動(dòng)LPDDR5/5X/DDR5技術(shù),。

▲LPDDR5X提供了更高的速度和性能（最高8.5Gbps）

基于在高速接口技術(shù)的長(zhǎng)期積累和持續(xù)創(chuàng)新，芯動(dòng)科技深入洞察DDR技術(shù)發(fā)展方向和客戶需求,，率先完成LPDDR5/5X/DDR5 IP設(shè)計(jì)和量產(chǎn)驗(yàn)證,，首次在普通PCB長(zhǎng)距離上實(shí)現(xiàn)內(nèi)存顆粒過(guò)10Gbps的訪問(wèn)速率；相較國(guó)際市場(chǎng)高端LPDDR5X-7500Mbps方案,，其信號(hào)有更大的余量,，可為高端產(chǎn)品系統(tǒng)提供低成本和高靈活延展空間，并且在性能和穩(wěn)定,、尺寸和功耗,、兼容更多協(xié)議、應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化,、易用和集成等方面均表現(xiàn)超群。該技術(shù)涵蓋了內(nèi)存顆粒廠商未來(lái)5年的技術(shù)發(fā)展路線,，已在先進(jìn)工藝（5/7nm,，12/14nm）量產(chǎn)驗(yàn)證全覆蓋。此外芯動(dòng)還提供Phy和Controller一站式打包方案,，性能表現(xiàn)卓越,，高效率低風(fēng)險(xiǎn)集成服務(wù)，縮短客戶的開發(fā)周期和成本,。

博觀而約取,，厚積而薄發(fā)，作為國(guó)內(nèi)一站式IP和芯片定制賦能型領(lǐng)軍企業(yè),，芯動(dòng)深耕高速接口IP十六年,，憑借對(duì)研發(fā)的持續(xù)投入，對(duì)創(chuàng)新的不斷追求和底層技術(shù)的長(zhǎng)期積淀,，在GDDR6/6X,、LPDDR5/5X/4/4X/DDR5/4,、HBM3/HBM2E、Innolink Chiplet,、高速SerDes等多個(gè)高性能高帶寬領(lǐng)域遙遙領(lǐng)先,；而累計(jì)流片200次以上的驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，高端IP出貨超60億顆的量產(chǎn)應(yīng)用,，又為保障客戶產(chǎn)品開發(fā)的100%成功奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),；獲得AMD、微軟,、亞馬遜,、高通、安盛美,、中興,、瑞芯微、全志,、君正等世界數(shù)百知名企業(yè)信賴,。

*本文的眼圖均為實(shí)驗(yàn)室實(shí)測(cè)結(jié)果，請(qǐng)第三方轉(zhuǎn)載或使用前獲得芯動(dòng)科技的授權(quán)許可

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