公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢(shì)

加州戈利塔－－（新聞稿）－－ （美國商業(yè)資訊）－－高可靠性,、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm,， Inc． （Nasdaq： TGAN）今天宣布推出七款參考設(shè)計(jì),，旨在加快基于氮化鎵的USB－C PD電源適配器的研發(fā),。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng),，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),、輸出和功率（45W至140W）。

SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢(shì)電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET,，具有設(shè)計(jì)簡單,、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢(shì)，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞,。在最近的對(duì)比分析中,，與175毫歐的e－mode氮化鎵器件相比,，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時(shí)顯示出更低的導(dǎo)通電阻上升幅度,，并在50％和100％（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?/p>

電源適配器參考設(shè)計(jì)Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合包括五款開放框架的USB－C PD參考設(shè)計(jì)，頻率范圍從140到300 kHz,。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發(fā)的一款65W有源鉗位反激模式（ACF）參考設(shè)計(jì),，運(yùn)行頻率為140kHz，峰值效率為94．5％,。

· （1x） 45W適配器參考設(shè)計(jì)采用準(zhǔn)諧振反激模式（QRF）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，可提供24 W／in3的功率密度

· （3x） 65W適配器參考設(shè)計(jì)采用ACF或QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，可提供30 W／in3的功率密度

· （1x） 100W適配器參考設(shè)計(jì)采用功率因數(shù)校正（PFC）＋QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供18 W／in3的功率密度

Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合還包括兩款開放框架的USB－C PD／PPS參考設(shè)計(jì),，頻率范圍110到140 kHz,。Transphorm與Diodes Inc．合作開發(fā)了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實(shí)現(xiàn)了超過93．5％的峰值效率,。

· （1x） 65W適配器參考設(shè)計(jì)采用ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，可提供29 W／in3的功率密度

· （1x） 140W適配器參考設(shè)計(jì)采用PFC＋ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供20 W／in3的功率密度

Transphorm現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用和技術(shù)銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm獨(dú)具優(yōu)勢(shì),，可提供唯一能適用于廣泛應(yīng)用的,、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設(shè)計(jì)凸顯出我們的低功率能力,。我們提供與控制器無關(guān)的PQFN和TO－220器件,，可以極大地簡化設(shè)計(jì)。這些優(yōu)勢(shì)以及其他特點(diǎn)有助于客戶快速,、輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場(chǎng),。這正是Transphorm氮化鎵器件的價(jià)值所在?！?/p>

關(guān)于Transphorm

Transphorm,， Inc．是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計(jì),、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能,、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合之一,，持有或取得授權(quán)的專利超過1,，000多項(xiàng)，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC－Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件,。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式,，Transphorm能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造,、器件和應(yīng)用支持,。 Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99％,、將功率密度提高40％以及將系統(tǒng)成本降低 20％,。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠,。