3月28日晚間,，國產(chǎn)氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）發(fā)布了截至2024年12月31日止年度經(jīng)審計綜合業(yè)績報告,。

根據(jù)財報顯示，英諾賽科2024年營業(yè)收入為人民幣8.28億元,，同比增長39.8%,。英諾賽科表示，隨著本集團生產(chǎn)規(guī)模擴大及實施降本增效措施,，生產(chǎn)成本快速下降,，毛利率持續(xù)大幅改善，公司毛損率由2023年的-61.6%,，縮減至2024年的-19.5%,，提升了42.1個百分點。

消費電子應用占比提升,，汽車,、AI、人形機器人領域應用取得突破

從應用領域來看,，英諾賽科產(chǎn)品在消費電子應用領域占比持續(xù)增長,，并且在新能源汽車、AI等戰(zhàn)略新興領域取得重大突破,。

在消費電子領域,，英諾賽科的產(chǎn)品應用已經(jīng)從傳統(tǒng)充電器、適配器市場,，拓展至手機,、筆記本,、電視、空調(diào),、音訊系統(tǒng),、廚房電器等細分市場。英諾賽科還在年報中提及,，在報告期內(nèi),，公司已經(jīng)為全球知名家電廠商開發(fā)空調(diào)電機芯片，減少傳統(tǒng)散熱鋁材用量,，為廠商節(jié)能降本,，并降低空調(diào)電機噪聲。此外,，公司應用于音頻系統(tǒng)的100V氮化鎵產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)出貨,。

在新能源汽車領域，得益于汽車電子需求旺盛,，英諾賽科在車規(guī)芯片方面的交付數(shù)量同比增長986.7%,。其中，面向汽車智駕激光雷達的性能需求,，英諾賽科在報告期內(nèi)推出了封裝更小的100V車規(guī)器件,，使得車載激光雷達探測距離更長，并降低功率損耗和溫升,，更好的滿足車載激光雷達系統(tǒng)的需求,。

在AI及數(shù)據(jù)中心領域，英諾賽科的服務器電源芯片出貨持續(xù)增長,，應用于48V轉(zhuǎn)12V的氮化鎵產(chǎn)品量產(chǎn),，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付量同比增長669.8%；

在近期大熱的人形機器人領域,，英諾賽科推出的150V/100V全系列氮化鎵產(chǎn)品,，也已經(jīng)覆蓋了人形機器人關節(jié)以及靈巧手電機驅(qū)動、智慧電源轉(zhuǎn)換及電池管理等各類應用,。其中100W關節(jié)電機驅(qū)動產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn),。

在可再生能源及工業(yè)應用領域，英諾賽科已向全球新能源大型廠商持續(xù)交付電源模塊,，并服務于鋰電,、光伏等行業(yè)節(jié)能降耗需求，繼續(xù)開發(fā)新功率芯片及解決方案,。截至2024年底,，可再生能源及工業(yè)應用的芯片累計交付量達到3300萬顆。

工藝平臺及產(chǎn)品組合進一步完善，核心競爭力優(yōu)勢加大

英諾賽科是全球唯一具備全電壓譜系產(chǎn)品矩陣的硅基氮化鎵功率芯片企業(yè),，已量產(chǎn)及研發(fā)的產(chǎn)品電壓覆蓋15V到1,200V,。在報告期內(nèi)，英諾賽科的工藝平臺及產(chǎn)品組合進一步完善,，核心競爭力優(yōu)勢加大,。

比如，在報告期內(nèi),，英諾賽科推出了3.0代高低壓工藝及車規(guī)/合封器件平臺：單位晶圓芯片（Chip/Wafer）產(chǎn)出量較上一代產(chǎn)品提升30%以上,，芯片關鍵性能指標進一步提升,；

推出系列新產(chǎn)品,，實現(xiàn)多項重大行業(yè)突破：中低壓（15-200v）GPU終端供電等產(chǎn)品在汽車及AI領域獲大客戶導入，高壓1200V大功率器件實現(xiàn)突破并完成客戶送樣,；

低壓氮化鎵雙向?qū)óa(chǎn)品銷售同比增長97%,，高壓氮化鎵雙向?qū)óa(chǎn)品開發(fā)成功，并完成客戶送樣,；

推出氮化鎵合封產(chǎn)品,，可應用于數(shù)據(jù)中心、電動汽車及機器人伺服電機電源,；

在新產(chǎn)品的客戶導入量方面,，報告期內(nèi)，英諾賽科共推出了50余款新產(chǎn)品,，其中客戶導入471項,。

英諾賽科表示，本集團基于8英寸硅基氮化鎵技術,，依托過往前瞻布局核心技術和關鍵工藝,，以及長期持續(xù)投入，已經(jīng)建立全球領先的成熟工藝技術平臺,。

良率達95%,，制造成本降低近40%

截至2024年末，英諾賽科晶圓產(chǎn)能達1.3萬片╱月,。從總體的出貨量來看,，英諾賽科2024年的出貨量達到了6.6億顆，超過歷年累積總和,，各年出貨量呈幾何級數(shù)增長態(tài)勢,。

在制造良率方面，英諾賽科2024年整體良率高達95%,，這也使得其單位制造成本下降近40%,，加速提升了盈利能力。

英諾賽科解釋稱，為提高產(chǎn)品良率,，本集團本著力提升工藝穩(wěn)定性,、提高工藝窗口效率并控制缺陷。具體舉措包括推行標準化操作流程,，加強過程監(jiān)控,、缺陷檢測，定期進行員工培訓及設備維護等,。

此外,，在已量產(chǎn)的工藝平臺基礎上，本集團新開發(fā)了高低壓3.0代工藝技術平臺以及車規(guī),、雙向?qū)ê秃戏釯C等新器件平臺,。新工藝技術平臺的迭代將擴大產(chǎn)品電壓范圍、優(yōu)化器件性能和提升產(chǎn)品頻率,。此外,，高低壓3.0代工藝技術平臺在晶圓產(chǎn)出效益方面較已量產(chǎn)工藝平臺大幅提升，單位晶圓芯片產(chǎn)出量提升30%以上,，并且芯片關鍵品質(zhì)因數(shù)性能指標進一步優(yōu)化,。同時，本集團基于已量產(chǎn)工藝平臺,，繼續(xù)優(yōu)化器件設計和生產(chǎn)工藝,，減少工藝層數(shù)、降低原材料使用成本,、提升機臺利用效率,，進一步降低芯片生產(chǎn)成本，提高芯片性價比,，擴大市場競爭力及領先優(yōu)勢,。

英諾賽科還強調(diào)，報告期內(nèi),，集團通過多維度降本增效策略,，實現(xiàn)銷售收入快速增長與供應鏈高效運轉(zhuǎn)的良性循環(huán)。一方面,，本集團深化與核心合作伙伴的穩(wěn)定協(xié)作,，同步強化供應商管理體系與采購定價機制。本集團亦積極拓展多元化供應渠道,，通過推進國產(chǎn)化材料替代評價,，顯著降低采購成本。另一方面,，依托跨部門技術攻關,，本集團致力于工藝優(yōu)化與設備升級改造和替代,，實現(xiàn)生產(chǎn)環(huán)節(jié)物料損耗率下降和能源利用率提升，節(jié)約制造成本,。此外,，本集團借助信息化系統(tǒng)，優(yōu)化庫存管理,，通過物流及物控密切配合,，降低庫存成本，提升經(jīng)營周轉(zhuǎn)效率,。

持續(xù)開拓海外市場

報告期內(nèi),，從海外市場表現(xiàn)來看，英諾賽科2024年海外市場銷售收入人民幣1.26億元,，實現(xiàn)同比增長118.1%,。

英諾賽科解釋稱，本集團已與歐美多個傳統(tǒng)功率芯片大廠展開戰(zhàn)略合作,，共同推動氮化鎵芯片在消費電子,、汽車電子等領域的大規(guī)模應用，完善氮化鎵系統(tǒng)生態(tài),。同時，本集團與全球主要硅MOS功率半導體企業(yè)密切協(xié)作,，共同推進下游用戶轉(zhuǎn)向氮化鎵芯片,，以滿足數(shù)據(jù)中心、汽車電子等行業(yè)功率電源轉(zhuǎn)型需求,。

未來展望及經(jīng)營策略

對于2025年的規(guī)劃,，英諾賽科表示，公司計劃持續(xù)投入研發(fā),，豐富現(xiàn)有產(chǎn)品組合,，同時將與全球半導體頭部企業(yè)深度合作，繼續(xù)拓展產(chǎn)品的應用領域,，提升氮化鎵在各個市場的滲透率,。特別是在數(shù)據(jù)中心、汽車電子領域,，積極推動新產(chǎn)品落地,，完成客戶導入和應用量產(chǎn)。同時,，積極深化與機器人,、無人機等新應用領域客戶的技術合作。

在在工藝技術方面,，英諾賽科3.0代工藝技術平臺將逐步承接消費電子芯片量產(chǎn),。在制造及供應鏈方面，英諾賽科計劃將產(chǎn)能擴充至2萬片晶圓/月，持續(xù)提升產(chǎn)能利用率及制造良率,。公司也將繼續(xù)優(yōu)化供應鏈,、持續(xù)降本增效。在市場銷售方面,，公司將進一步拓展海外市場,，聚焦重點客戶群。公司將加深與境外傳統(tǒng)功率芯片大廠的戰(zhàn)略合作,、開展量產(chǎn)出貨,，并積極服務客戶定制化需求。

展望未來,，英諾賽科強調(diào),，將繼續(xù)通過技術領導力與規(guī)模化制造能力,，成為全球氮化鎵功率器件解決方案的領跑者,，用第三代半導體技術賦能全球綠色科技革命，助力全球能源轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展,。公司聚焦技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化落地,，推動半導體行業(yè)向更高效、更環(huán)保的方向變革,，為人類創(chuàng)造更智慧,、更低碳的未來。