2025年4月1日,，中國(guó)蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics,，簡(jiǎn)稱ST,；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議,。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì),，提升氮化鎵功率解決方案的競(jìng)爭(zhēng)力和供應(yīng)鏈韌性。

根據(jù)協(xié)議,，雙方將合作推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃,，并在未來(lái)幾年內(nèi)共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子,、數(shù)據(jù)中心、汽車,、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用的光明前景,。此外，根據(jù)協(xié)議約定,，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在中國(guó)以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓,，而意法半導(dǎo)體也可借助英諾賽科在中國(guó)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標(biāo)是依托這種靈活的供應(yīng)鏈布局,，拓展各自的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場(chǎng)供應(yīng)能力,，提升供應(yīng)鏈韌性，從而滿足更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景下的各種客戶需求,。

意法半導(dǎo)體模擬,、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM）,，此次合作將最大化發(fā)揮IDM這一模式的優(yōu)勢(shì),，為全球客戶創(chuàng)造價(jià)值。一方面,，意法半導(dǎo)體將加速氮化鎵功率技術(shù)部署,，進(jìn)一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合；另一方面,，意法半導(dǎo)體也將通過(guò)靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶,。”

英諾賽科董事長(zhǎng)兼創(chuàng)始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)更小型化,、高效率,、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要,。英諾賽科率先實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn),，累計(jì)出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領(lǐng)域市場(chǎng),。我們對(duì)于與意法半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作感到非常振奮,。此次與意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作將進(jìn)一步擴(kuò)大和加速氮化鎵技術(shù)普及,，雙方團(tuán)隊(duì)將共同致力于開(kāi)發(fā)下一代氮化鎵技術(shù),。”

氮化鎵功率器件憑借其材料特性,，為電源轉(zhuǎn)換,、運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)樹(shù)立了性能新標(biāo)桿，可顯著降低能耗,、提升效率,、縮小體積并減輕重量,，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前,，氮化鎵功率器件已在消費(fèi)電子,、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源與光伏逆變器領(lǐng)域迅速普及,，并因其顯著的輕量化優(yōu)勢(shì),，被積極應(yīng)用于下一代電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。