2022年上半年最后一天,，三星“壓哨”實(shí)現(xiàn)了自己對(duì)3nm量產(chǎn)時(shí)間的承諾,。6月30日上午,，三星電子發(fā)布公告，稱該公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于GAA晶體管（Gate-All-Around FET,，全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm芯片,。

　　這也意味著三星領(lǐng)先臺(tái)積電,，正式成為全球第一家實(shí)現(xiàn)3nm制程量產(chǎn)的廠商,。根據(jù)行業(yè)跟蹤機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù),，今年第一季度，臺(tái)積電占據(jù)了全球代工市場(chǎng)的53.5%,，其次是三星,，占16.3%。

　　目前,，全球有意愿且有條件發(fā)展3nm芯片制造的廠商有臺(tái)積電,、三星、英特爾三家,。按計(jì)劃，臺(tái)積電的3nm制程將在2022年下半年量產(chǎn),，而英特爾7nm制程改名后的Intel 4也計(jì)劃在2022年下半年量產(chǎn),。

　　根據(jù)三星公布的數(shù)據(jù)，與5nm制程相比,，3nm制程可以降低45%的功耗,、提升23%的性能和縮小16%的芯片面積。而且,，三星同時(shí)透露,，第二代3nm制程將有進(jìn)一步的優(yōu)化，將降低50%的功耗,，提升30%的性能,，縮小35%的面積。

　　一路走來(lái),，三星3nm量產(chǎn)之路并不順利,。今年4月，有消息傳出,，三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率才到10%-20%,，遠(yuǎn)低于預(yù)期，這意味著公司需要付出更高的成本,。今年5月,，業(yè)界再次傳出消息，三星3nm良率問(wèn)題已解決,，3nm GAA制程將如期量產(chǎn),。

　　6月初，又有消息稱，三星的3nm制程已經(jīng)進(jìn)入了試驗(yàn)性量產(chǎn),。然而就在幾天后的6月22日,，市場(chǎng)卻又傳出三星因良率遠(yuǎn)低于目標(biāo)延遲3nm芯片量產(chǎn)的消息。直到6月30日三星才宣布成功,。

　　HMC投資和證券公司技術(shù)研究部負(fù)責(zé)人格雷格·盧預(yù)期,，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)今年將同比增加大約40%，“三星電子接到的晶圓代工訂單數(shù)量超過(guò)其生產(chǎn)能力?，F(xiàn)在的問(wèn)題是,，這家公司能否通過(guò)長(zhǎng)期計(jì)劃和充足投資，良好,、迅速滿足需求”,。

　　三星電子公司上月曾表示，今后5年間將在半導(dǎo)體和生物技術(shù)領(lǐng)域投資450萬(wàn)億韓元（約合2.32萬(wàn)億元人民幣）,。這一投資規(guī)模比過(guò)去5年增加120萬(wàn)億韓元（6192億元人民幣）,，增幅達(dá)36%。

　　與三星的大膽和急迫相比,，其業(yè)內(nèi)最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電就顯得有些“不緊不慢”,。此前，臺(tái)積電CEO魏哲家曾透露公司同樣在按計(jì)劃推進(jìn)3nm工藝制程的項(xiàng)目,，計(jì)劃于2022年大規(guī)模量產(chǎn),；到2025年，實(shí)現(xiàn)2nm制程芯片的批量生產(chǎn),。不過(guò),，目前相關(guān)工藝制程芯片的項(xiàng)目進(jìn)度如何，臺(tái)積電方面仍然沒(méi)有透露消息,。

　　而在三星急于在3nm切入GAA架構(gòu)之時(shí),，臺(tái)積電宣布其3nm中仍將沿用FinFET架構(gòu)，在2nm時(shí)再切入GAA架構(gòu),。雖然GAA是在更小尺寸下更加被普遍看好的工藝結(jié)構(gòu),，但在3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)中采用GAA架構(gòu)，仍是一個(gè)值得商榷的問(wèn)題,。

　　不過(guò),，這并不代表三星在芯片代工市場(chǎng)上就能夠一帆風(fēng)順。一方面,，臺(tái)積電正在計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn),，這意味著三星方面需要加緊新技術(shù)的研發(fā)工作，以防在下一代新技術(shù)上被臺(tái)積電反超,。

　　另一方面,，由于4nm制程芯片的功耗問(wèn)題,，高通等重要客戶對(duì)三星的3nm制程工藝目前都保持觀望態(tài)度，不敢隨意進(jìn)行嘗試,。

　　在此之前,，三星就有多次由于芯片性能出現(xiàn)問(wèn)題，導(dǎo)致大客戶轉(zhuǎn)而尋求與臺(tái)積電合作的情況,。例如,，高通發(fā)布的搭載三星4nm工藝的驍龍8，陷入了功耗的滑鐵盧,，因此,，高通于今年5月發(fā)布的驍龍8的升級(jí)版驍龍8+，采用了臺(tái)積電4nm工藝,。

　　此外,，NVIDIA的AmpereGPU也由于性能不佳，其下一代產(chǎn)品將轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電的芯片,，這些GPU原本采用的是三星的8nm工藝制程,。因此，此次三星的3nm制程,，是否會(huì)再次陷入性能的“滑鐵盧”中,，也難以預(yù)測(cè)。

　　Daol投資證券的分析師Kim Yang-jae表示,，“目前只有兩種存儲(chǔ)芯片——DRAM和NAND閃存，然而非存儲(chǔ)芯片的種類太多了,。你可以專注于提高存儲(chǔ)芯片的效率這一件事,，但這在一千種不同的非存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，是行不通的”,。

　　香港未來(lái)資產(chǎn)證券（Mirae Asset Securities）的數(shù)據(jù)顯示,，2017-2023年，三星資本支出的復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）估計(jì)為7.9%,，而臺(tái)積電估計(jì)為30.4%,。