2022年上半年最后一天,，三星“壓哨”實現(xiàn)了自己對3nm量產時間的承諾。6月30日上午,，三星電子發(fā)布公告,，稱該公司已開始量產基于GAA晶體管（Gate-All-Around FET，全環(huán)繞柵極）結構的3nm芯片,。

　　這也意味著三星領先臺積電,，正式成為全球第一家實現(xiàn)3nm制程量產的廠商。根據(jù)行業(yè)跟蹤機構TrendForce的數(shù)據(jù),，今年第一季度,，臺積電占據(jù)了全球代工市場的53.5%，其次是三星,，占16.3%,。

　　目前，全球有意愿且有條件發(fā)展3nm芯片制造的廠商有臺積電,、三星,、英特爾三家。按計劃,，臺積電的3nm制程將在2022年下半年量產,，而英特爾7nm制程改名后的Intel 4也計劃在2022年下半年量產。

　　根據(jù)三星公布的數(shù)據(jù),，與5nm制程相比,，3nm制程可以降低45%的功耗、提升23%的性能和縮小16%的芯片面積,。而且,，三星同時透露,，第二代3nm制程將有進一步的優(yōu)化，將降低50%的功耗,，提升30%的性能,，縮小35%的面積。

　　一路走來,，三星3nm量產之路并不順利,。今年4月，有消息傳出,，三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率才到10%-20%,，遠低于預期，這意味著公司需要付出更高的成本,。今年5月,，業(yè)界再次傳出消息，三星3nm良率問題已解決,，3nm GAA制程將如期量產,。

　　6月初，又有消息稱,，三星的3nm制程已經進入了試驗性量產,。然而就在幾天后的6月22日，市場卻又傳出三星因良率遠低于目標延遲3nm芯片量產的消息,。直到6月30日三星才宣布成功,。

　　HMC投資和證券公司技術研究部負責人格雷格·盧預期，三星電子晶圓代工業(yè)務今年將同比增加大約40%,，“三星電子接到的晶圓代工訂單數(shù)量超過其生產能力?，F(xiàn)在的問題是，這家公司能否通過長期計劃和充足投資,，良好,、迅速滿足需求”。

　　三星電子公司上月曾表示,，今后5年間將在半導體和生物技術領域投資450萬億韓元（約合2.32萬億元人民幣）,。這一投資規(guī)模比過去5年增加120萬億韓元（6192億元人民幣），增幅達36%,。

　　與三星的大膽和急迫相比,，其業(yè)內最大的競爭對手臺積電就顯得有些“不緊不慢”。此前,，臺積電CEO魏哲家曾透露公司同樣在按計劃推進3nm工藝制程的項目,，計劃于2022年大規(guī)模量產；到2025年，實現(xiàn)2nm制程芯片的批量生產,。不過,，目前相關工藝制程芯片的項目進度如何，臺積電方面仍然沒有透露消息,。

　　而在三星急于在3nm切入GAA架構之時,，臺積電宣布其3nm中仍將沿用FinFET架構，在2nm時再切入GAA架構,。雖然GAA是在更小尺寸下更加被普遍看好的工藝結構,，但在3nm技術節(jié)點中采用GAA架構，仍是一個值得商榷的問題,。

　　不過,，這并不代表三星在芯片代工市場上就能夠一帆風順。一方面,，臺積電正在計劃于2025年實現(xiàn)2nm芯片的量產,，這意味著三星方面需要加緊新技術的研發(fā)工作,，以防在下一代新技術上被臺積電反超,。

　　另一方面，由于4nm制程芯片的功耗問題,，高通等重要客戶對三星的3nm制程工藝目前都保持觀望態(tài)度,，不敢隨意進行嘗試。

　　在此之前,，三星就有多次由于芯片性能出現(xiàn)問題,，導致大客戶轉而尋求與臺積電合作的情況。例如,，高通發(fā)布的搭載三星4nm工藝的驍龍8,，陷入了功耗的滑鐵盧，因此,，高通于今年5月發(fā)布的驍龍8的升級版驍龍8+,，采用了臺積電4nm工藝。

　　此外,，NVIDIA的AmpereGPU也由于性能不佳,，其下一代產品將轉而采用臺積電的芯片，這些GPU原本采用的是三星的8nm工藝制程,。因此,，此次三星的3nm制程，是否會再次陷入性能的“滑鐵盧”中,，也難以預測,。

　　Daol投資證券的分析師Kim Yang-jae表示，“目前只有兩種存儲芯片——DRAM和NAND閃存,，然而非存儲芯片的種類太多了,。你可以專注于提高存儲芯片的效率這一件事,，但這在一千種不同的非存儲芯片領域，是行不通的”,。

　　香港未來資產證券（Mirae Asset Securities）的數(shù)據(jù)顯示,，2017-2023年，三星資本支出的復合年均增長率（CAGR）估計為7.9%,，而臺積電估計為30.4%,。