在先進芯片工藝上，美國廠商也落后于臺積電、三星了，這兩家量產(chǎn)或者即將量產(chǎn)的7nm,、5nm及3nm遙遙領(lǐng)先,，然而美國還有更多的計劃,，并不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準(zhǔn)備逆行,，復(fù)活90nm工藝,，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。

美國晶圓廠SkyWater日前宣布獲得美國國防部下屬的DARPA的進一步資助,，后者將給予2700萬美元以推動開發(fā)90nm戰(zhàn)略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術(shù)平臺,，總的投資計劃高達1.7億美元。

相比臺積電,、三星,、Intel等半導(dǎo)體公司，SkyWater不僅規(guī)模小,，而且資歷也淺,，2017年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導(dǎo)體公司的芯片制造部門,，工藝并不先進,，主要生產(chǎn)130nm及90nm，部分先進芯片才到65nm級別,。

然而他們卻得到了美國DARPA的青睞,，成立沒多久就開始參與后者的ERI電子復(fù)興計劃，該計劃在5年內(nèi)投資15億美元,，推動美國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展,。

ERI計劃中，SkyWater并沒有追求技術(shù)更強但更昂貴的先進工藝,，而是用90nm工藝制造3D SoC芯片,，通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現(xiàn)更強的性能,，性能可達7nm芯片的50倍,。

當(dāng)然，這些技術(shù)現(xiàn)在還沒有實現(xiàn)完全突破,，畢竟這樣的做法是之前沒有的,，一旦成功了，可能是改變半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)則的新技術(shù),。