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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi集團推出基于onsemi產品的5G基站電源方案

2022-08-10
來源:大聯(lián)大世平

2022年8月9日,,致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案,。

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圖示1-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產品的5G基站電源方案的展示板圖

5G時代的到來,,從根本上顛覆了現(xiàn)有的傳統(tǒng)通訊方式,它加速了現(xiàn)實社會與互聯(lián)網(wǎng)空間的快速融合,,讓人與人,、人與機器的交互都步入了一個全新的水平。而發(fā)展5G的一重要目標就是在提高信息傳輸速率,、減少延遲的同時,,節(jié)約能源、降低系統(tǒng)成本,。隨著5G信號大規(guī)模覆蓋需求增大,,大量5G基站的建設已迫在眉睫,這勢必會為電源市場帶來新的機會,。順應此趨勢,,大聯(lián)大世平基于安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。 

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圖示2-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產品的5G基站電源方案的場景應用圖

安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩(wěn)壓器,,其集成了高邊和低邊功率MOSFET,支持從4.5V到65V的寬電壓范圍,,能夠處理的連續(xù)電流高達10A,。此外,onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領先業(yè)界的封裝技術將FAN65008B集成在一個四方扁平無引線(PQFN)封裝中,,能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應,,使開發(fā)人員能夠實現(xiàn)98.5%的峰值能效。這意味著使用FAN65008B比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性(EMI),。除了上述特性,,F(xiàn)AN65008B還具有可調過流保護、熱關斷,、過壓保護和短路保護等功能,,可以保護器件本身和任何下游電路不受損害。

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圖示3-大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產品的5G基站電源方案的方塊圖

在5G技術發(fā)展如此快速的進程中,,基站電源要兼顧低成本,、高能效以及方便極簡、快速部署的需求,,大聯(lián)大世平聯(lián)手onsemi推出的5G基站電源方案針對市場痛點進行優(yōu)化,能夠滿足行業(yè)需求,,助力5G基站建設快速推進,。 

核心技術優(yōu)勢:

?   寬輸入電壓范圍:4.5V至65V;

?   連續(xù)輸出電流:10A,;

?   具有輸入電壓前饋的固定頻率電壓模式PWM控制,;

?   0.6V參考電壓,精度為0.67%;

?   可調開關頻率:100kHz至1MHz,;

?   雙LDO用于單電源操作并減少功率損耗,;

?   用于輕負載的可選CCM PWM模式或PFM模式;

?   寬工作范圍的外部補償,;

?   可調軟啟動和Pre?Bias啟動,;

?   Enable功能具有可調節(jié)的輸入電壓欠壓鎖定(UVLO);

?   Power Good指示,;

?   過流保護,、熱關斷、過壓保護,、欠壓保護和短路保護,;

?   高性能薄型6mm x 6mm PQFN封裝;

?   無鉛且符合RoHS標準,。 

方案規(guī)格:

?   輸入電壓范圍:30V至60V,;

?   輸出電流:10A;

?   輸出電壓:24V,;

?   輸出電壓漣波:40mVp-p,;

?   切換頻率:300kHz。




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