據(jù)外媒報(bào)道指美國(guó)已開始關(guān)注中國(guó)剛剛崛起的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè),甚至還點(diǎn)名了長(zhǎng)江存儲(chǔ),意圖限制歐美設(shè)備商為這些中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)供應(yīng)芯片生產(chǎn)設(shè)備,;與此同時(shí)美國(guó)方面已推出了芯片補(bǔ)貼計(jì)劃,給美國(guó)的芯片提供數(shù)百億美元的補(bǔ)貼,如此蠻橫的態(tài)度無疑是希望提升美國(guó)芯片的競(jìng)爭(zhēng),,然而筆者認(rèn)為美國(guó)的做法無助于美國(guó)芯片的發(fā)展。
一,、美國(guó)芯片不思進(jìn)取
美國(guó)芯片的競(jìng)爭(zhēng)力日益被削弱的主要原因在于美國(guó)芯片自身,,近10多年美國(guó)芯片已有點(diǎn)不思進(jìn)取,其中又以美國(guó)芯片龍頭Intel表現(xiàn)最為明顯,。Intel執(zhí)全球芯片行業(yè)牛耳已有20多年時(shí)間,,然而近幾年它在營(yíng)收方面不時(shí)被三星超越,在技術(shù)方面則被AMD和臺(tái)積電趕超,。
三星趕超Intel在于存儲(chǔ)芯片行業(yè)的興起,,近幾年存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲,作為全球NAND flash和DRAM龍頭的三星由此取得了營(yíng)收的快速增長(zhǎng),,隨著存儲(chǔ)芯片行業(yè)的興起,,近幾年Intel又再次轉(zhuǎn)身進(jìn)入存儲(chǔ)芯片行業(yè),也曾取得不小的市場(chǎng)份額,,但是今年初Intel已決定將存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)賣給SK海力士,,由此退出存儲(chǔ)芯片行業(yè)。
Intel的主要業(yè)務(wù)則是PC處理器和服務(wù)器芯片,,Intel和AMD都采用X86架構(gòu),,不過Intel的處理器研發(fā)卻一直被詬病擠牙膏,AMD則以Zen架構(gòu)異軍突起,;臺(tái)積電也幫了AMD大忙,,從10nm工藝以來,臺(tái)積電就已在工藝制程方面領(lǐng)先于Intel,,而AMD的處理器正是交給臺(tái)積電代工,,兩者合力下推動(dòng)AMD在桌面處理器擊敗Intel,在服務(wù)器芯片市場(chǎng)也已取得一成多市場(chǎng)份額,,Intel在服務(wù)器芯片市場(chǎng)則首次跌穿九成,。
Intel可謂美國(guó)芯片不思進(jìn)取的代表,Intel自身并不缺錢,,在2016年之前它的凈利潤(rùn)高于臺(tái)積電,,營(yíng)收也比臺(tái)積電多近200億美元,而AMD更是持續(xù)虧損,,在錢足夠多的情況下,,Intel在芯片架構(gòu)和工藝研發(fā)方面都先后被AMD和臺(tái)積電超越。
美國(guó)的其他芯片企業(yè)也與Intel類似,,在利潤(rùn)豐厚的情況下卻不舍得投入,,導(dǎo)致如今在諸多芯片行業(yè)逐漸落后,,乃至被亞洲地區(qū)的芯片企業(yè)超越,這才是美國(guó)芯片競(jìng)爭(zhēng)力下滑的主要原因,。
二,、美國(guó)的做法無助美國(guó)芯片提升競(jìng)爭(zhēng)力
為了扶持美國(guó)芯片,美國(guó)如今一方面是對(duì)中國(guó)芯片采取行動(dòng),,一方面是提出了數(shù)百億美元芯片補(bǔ)貼計(jì)劃,,這些舉措其實(shí)起到了反作用。
由于美國(guó)的做法,,近幾年來中國(guó)大舉發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè),,由此中國(guó)的芯片產(chǎn)能迅速?gòu)娜蚯拔逯馓嵘寥缃竦娜虻谌⑶抑袊?guó)的芯片制造產(chǎn)能還在快速上升,,工藝研發(fā)也在加快推進(jìn),,正在縮短與中國(guó)大陸以外的芯片企業(yè)的差距。
在芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),,由于美國(guó)芯片被限制向華為供應(yīng)5G射頻芯片,,由此中國(guó)的射頻芯片企業(yè)看到了機(jī)會(huì),富滿微,、卓勝微等都已研發(fā)出國(guó)產(chǎn)的5G射頻芯片,,成功打破了空白,相比起射頻芯片,,影響更大的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展更快,。
幾年前中國(guó)才開始發(fā)展存儲(chǔ)芯片,當(dāng)時(shí)全球已發(fā)展96層NAND flash存儲(chǔ)芯片,,而中國(guó)研發(fā)的還是落后的32層NAND flash,但是3年時(shí)間過去,,中國(guó)已研發(fā)出128層NAND flash存儲(chǔ)芯片,,達(dá)到全球主流水平,如今192層NAND flash存儲(chǔ)芯片技術(shù)已研發(fā)成功并正推進(jìn)量產(chǎn),,可望達(dá)到世界領(lǐng)先水平,。
在中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的努力下,它們當(dāng)前正在推進(jìn)二期工程,,二期工程可望推動(dòng)中國(guó)的NAND flash和DRAM的產(chǎn)能再增加兩倍,,如此中國(guó)可望成為繼韓國(guó)、美國(guó),、日本之后的第四大存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)國(guó),。
如此情況下,美國(guó)芯片企業(yè)卻依然沉浸在以往的厚利中躺著賺錢而不愿意持續(xù)創(chuàng)新保持領(lǐng)先技術(shù)優(yōu)勢(shì),,美國(guó)提出的芯片補(bǔ)貼計(jì)劃只不過是讓這些美國(guó)芯片企業(yè)額外得到更多利潤(rùn),,有了更豐厚的利潤(rùn),,它們沒有感受到生存危機(jī)自然更不會(huì)努力創(chuàng)新。
由此形成了鮮明對(duì)比,,在美國(guó)的做法下,,中國(guó)制造認(rèn)識(shí)到了芯片的重要性而竭力推進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,具有強(qiáng)大的發(fā)展動(dòng)力,;美國(guó)芯片企業(yè)本就過得太舒服,,美國(guó)的補(bǔ)貼讓他們可以更舒服地躺著過日子,自然更不思進(jìn)取,,所以美國(guó)的做法可謂進(jìn)一步將美國(guó)芯片培養(yǎng)成阿斗,,而激發(fā)中國(guó)芯片奮斗,這應(yīng)該是它所沒有預(yù)料到的,。
更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<