美國(guó)商務(wù)部周五發(fā)布一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定，對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路所必須的ECAD(EDA)軟件,；兩種超寬帶隙半導(dǎo)體襯底：金剛石和氧化鎵,；燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施新的出口管制。并稱(chēng)這些技術(shù)對(duì)其國(guó)家安全至關(guān)重要,。生效日期為 2022 年 8 月 15 日,。

GAAFET晶體管技術(shù)是相對(duì)于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù)，F(xiàn)inFET技術(shù)最多能做到3nm,，而GAAFET可以實(shí)現(xiàn)3nm及以下制程,。氧化鎵(Ga2O3）、金剛石則是被普遍關(guān)注的第四代半導(dǎo)體材料,。

此次對(duì)GAAFET EDA軟件的管制可以認(rèn)為是對(duì)3nm以下制程所用EDA工具軟件的管制,。

這四項(xiàng)技術(shù)是 42 個(gè)參與國(guó)在2021年12月會(huì)議上達(dá)成共識(shí)控制的項(xiàng)目之一。美國(guó)的出口管制涵蓋了比國(guó)際協(xié)議更廣泛的技術(shù),，包括用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的額外設(shè)備,、軟件和技術(shù)。

美國(guó)商務(wù)部表示,，此舉涵蓋的“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”包括氧化鎵和金剛石,，因?yàn)椤笆褂眠@些材料的設(shè)備顯著增加了軍事潛力”。

另外,，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全部副部長(zhǎng)Alan Estevez表示：“允許半導(dǎo)體和發(fā)動(dòng)機(jī)等技術(shù)更快,、更高效、更長(zhǎng)時(shí)間和更惡劣條件下運(yùn)行的技術(shù)進(jìn)步可能會(huì)改變商業(yè)和軍事領(lǐng)域的游戲規(guī)則?！?/p>

以下是四項(xiàng)被禁技術(shù)的進(jìn)一步解釋?zhuān)?/p>

氧化鎵和金剛石是允許半導(dǎo)體使用它們的材料在更惡劣的條件下工作,，例如在更高的電壓或更高的條件下工作溫度。使用這些材料的設(shè)備顯著增加了軍用潛力,。

ECAD 是一類(lèi)軟件工具（更多的被稱(chēng)為EDA軟件）,，用于設(shè)計(jì)、分析,、優(yōu)化和驗(yàn)證集成電路或印刷電路板的性能,。電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件被用于軍事和航空航天防御的各種應(yīng)用中用于設(shè)計(jì)復(fù)雜集成電路的行業(yè)。GAAFET技術(shù)方法是擴(kuò)展到 3 納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵,。GAAFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)更快,、更節(jié)能、更耐輻射的集成電路,，推進(jìn)許多商業(yè)和軍事應(yīng)用,，包括國(guó)防和通信衛(wèi)星。由于現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片可以包含數(shù)十億個(gè)組件,，因此 EDA 工具對(duì)其設(shè)計(jì)至關(guān)重要,；

PGC 技術(shù)在陸地和航空航天應(yīng)用方面具有廣泛的潛力，包括火箭和高超音速系統(tǒng),。BIS 增加了對(duì)開(kāi)發(fā)和未在美國(guó)軍需品清單上描述的燃燒器的生產(chǎn)技術(shù),。

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