眾所周知，這幾年中國芯片產(chǎn)業(yè)的不斷崛起,，特別是制造上,，不斷突破，產(chǎn)能急劇提升,，在2020年的時(shí)候,，晶圓產(chǎn)能占全球的16％，已經(jīng)超過了美國12％,。

而按照機(jī)構(gòu)的預(yù)測到2030年時(shí),，中國晶圓產(chǎn)能會高達(dá)24％，而美國會降為10％，不足中國大陸的二分之一,，這讓美國大為緊張,，所以最近針對中國芯片產(chǎn)業(yè)，美國又下死手了,。

中美晶圓產(chǎn)能對比

從當(dāng)前的情況來看,，美國下手，分為三個(gè)方面,。一是利用520億美元的芯片補(bǔ)貼,，拉攏芯片巨頭，到美國設(shè)廠,，并不準(zhǔn)拿補(bǔ)貼的廠商,，10年內(nèi)到中國大陸投資高端芯片，以此鎖死中國高端芯片10年,。

二是對EDA進(jìn)行封禁,，直接將開發(fā)GAAFET（全柵場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路必須用到的EDA（電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)）軟件，被列入管制范圍,。

三是對14nm及以下的所有設(shè)備,，都不準(zhǔn)賣到中國大陸來，從制造領(lǐng)域進(jìn)行打壓,。

而美國這三個(gè)舉措背后,，其實(shí)是美國當(dāng)前的最大“陽謀”，也不遮著掩著,，那就是“想讓中國大陸的芯片設(shè)計(jì)卡死在 3nm,，制造卡死在 10nm，然后拉開中美在高速運(yùn)算,、人工 AI 等方面的距離,。”,。

先說設(shè)計(jì)卡死在3nm這一塊,，因?yàn)楫?dāng)芯片進(jìn)入到3nm時(shí)，三星已經(jīng)使用了GAAFET晶體管,，而臺積電在2nm時(shí)也會使用GAAFET晶體管,。

一旦GAAFET晶體管設(shè)計(jì)使用的EDA不準(zhǔn)中國大陸廠商使用，那么大家基本上芯片設(shè)計(jì)水平,，差不多就卡在了3nm,，很難進(jìn)入到3nm所需的GAAFET技術(shù)上來了。

再說制造方面,，當(dāng)前中國大陸最先進(jìn)的工藝是FinFET技術(shù),，也就是中芯的14nm,，早已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。但美國當(dāng)前想要禁止14nm及以下的半導(dǎo)體設(shè)備禁運(yùn),。

那么我們就只能停留在14nm,，很難再進(jìn)前一步到10nm了，畢竟當(dāng)前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備能夠支持的工藝,，大多在28nm,，少部分在14nm,，只有刻蝕機(jī)到了3nm,，要補(bǔ)的課還太多，短時(shí)間無法突破,。

可見,，中國要發(fā)展高端芯片，不只是芯片制造環(huán)節(jié)要突破,，還包括設(shè)計(jì),、制造、封測,、設(shè)備及材料環(huán)節(jié),，以及芯片輔助設(shè)計(jì)工具（EDA）軟件，只有芯片上下游的每一步都要走得扎實(shí),，才能夠突破封測,，路還很長。

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