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美國的“陽謀”:讓中國芯設(shè)計卡死在3nm,制造卡死在10nm

2022-08-18
來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關(guān)鍵詞: 中國芯 3nm 集成電路

眾所周知,,這幾年中國芯片產(chǎn)業(yè)的不斷崛起,,特別是制造上,不斷突破,,產(chǎn)能急劇提升,,在2020年的時候,晶圓產(chǎn)能占全球的16%,,已經(jīng)超過了美國12%,。

而按照機構(gòu)的預(yù)測到2030年時,中國晶圓產(chǎn)能會高達24%,,而美國會降為10%,,不足中國大陸的二分之一,這讓美國大為緊張,,所以最近針對中國芯片產(chǎn)業(yè),,美國又下死手了。

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中美晶圓產(chǎn)能對比

從當前的情況來看,,美國下手,,分為三個方面。一是利用520億美元的芯片補貼,,拉攏芯片巨頭,,到美國設(shè)廠,并不準拿補貼的廠商,,10年內(nèi)到中國大陸投資高端芯片,,以此鎖死中國高端芯片10年。

二是對EDA進行封禁,,直接將開發(fā)GAAFET(全柵場效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)集成電路必須用到的EDA(電子計算機輔助設(shè)計)軟件,,被列入管制范圍。

三是對14nm及以下的所有設(shè)備,,都不準賣到中國大陸來,,從制造領(lǐng)域進行打壓。

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而美國這三個舉措背后,,其實是美國當前的最大“陽謀”,,也不遮著掩著,,那就是“想讓中國大陸的芯片設(shè)計卡死在 3nm,制造卡死在 10nm,,然后拉開中美在高速運算,、人工 AI 等方面的距離?!?。

先說設(shè)計卡死在3nm這一塊,因為當芯片進入到3nm時,,三星已經(jīng)使用了GAAFET晶體管,,而臺積電在2nm時也會使用GAAFET晶體管。

一旦GAAFET晶體管設(shè)計使用的EDA不準中國大陸廠商使用,,那么大家基本上芯片設(shè)計水平,,差不多就卡在了3nm,很難進入到3nm所需的GAAFET技術(shù)上來了,。

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再說制造方面,當前中國大陸最先進的工藝是FinFET技術(shù),,也就是中芯的14nm,,早已實現(xiàn)了量產(chǎn)。但美國當前想要禁止14nm及以下的半導(dǎo)體設(shè)備禁運,。

那么我們就只能停留在14nm,,很難再進前一步到10nm了,畢竟當前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備能夠支持的工藝,,大多在28nm,,少部分在14nm,只有刻蝕機到了3nm,,要補的課還太多,,短時間無法突破。

可見,,中國要發(fā)展高端芯片,,不只是芯片制造環(huán)節(jié)要突破,還包括設(shè)計,、制造,、封測、設(shè)備及材料環(huán)節(jié),,以及芯片輔助設(shè)計工具(EDA)軟件,,只有芯片上下游的每一步都要走得扎實,才能夠突破封測,,路還很長,。



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