近日,，有媒體表示，臺積電,、三星兩家先進(jìn)的代工廠,，放任客戶稱他們的芯片使用了4nm工藝，但其實還是5nm,，這其實是工藝造假,。

媒體報道稱，原本高通的驍龍8Gen1是5nm工藝的,，但為了市場及營銷的需要,，高通和三星決定將8Gen1作為4納米芯片推出。

同樣的,，聯(lián)發(fā)科天璣9000也是5nm工藝的,，但看到三星與高通推出了4nm，于是臺積電與聯(lián)發(fā)科,，也宣稱自己天璣9000,，也是4nm了,。

而根據(jù)專業(yè)人士的分析，不管是驍龍8Gen1,，還是天璣9000系列,，所謂的4nm工藝，在物理結(jié)構(gòu)上,，與這兩家公司的5nm工藝并沒有什么不同之處,，純粹就是將5nm，說成是4nm,，玩數(shù)字游戲,。

事實上，在幾年前,，就有知名芯片廠商表示,，臺積電、三星均在在工藝制程上玩營銷游戲,，他們喜歡將數(shù)字說得越小越好,，但實際并不是真正的XXnm工藝。以前,，所謂的工藝制程,，與晶體管密度是保持著嚴(yán)格的相關(guān)性的。工藝提升,，晶體管密度就會提升,，相同的工藝下，即使是不同的廠商,，其晶體管密度基本也不會相差太多的,。

但到了10nm后，臺積電,、三星的工藝節(jié)點,，與晶體管密度就開始脫鉤了，不再具備嚴(yán)格的相關(guān)性了,。

如上圖所示,，這是某機(jī)構(gòu)根據(jù)臺積電、三星,、intel的技術(shù)資料,，列出來的制程工藝與晶體管密度的對比圖。

我們發(fā)現(xiàn)三大廠商,，在不同的工藝下,，其晶體管密度是截然不同的，水份最高的是三星,，圖中可以看出,，intel的7nm,，從晶體管密度來看，與臺積電的5nm,、三星的3nm是相同的,。

另外三星在10nm、7nm,，其晶體管密度與臺積電是一致的,，但后來就變了，密度越來越低,，比臺積電低一代,，比intel低2代了。

對此不知道大家怎么看,？現(xiàn)在工藝提升越來越難,，每提升一代需要的時間越來越長，這也導(dǎo)致晶圓廠們,，開始搞虛假動作了。

搞得intel現(xiàn)在都沒辦法,，在工藝上都不得不與三星,、臺積電“同流合污”，改變了自己的命名規(guī)則,，成為了虛假工藝中的一員,，比如原本的英特爾10nm工藝被重新命名為了Intel 7，對應(yīng)臺積電的7nm工藝,，而原本的7nm,，叫做intel 4，對應(yīng)臺積電4nm工藝……

如今,，制程工藝節(jié)點的命名,，完全失去了應(yīng)有的意義……誰也不知道真正的工藝節(jié)點是啥了，晶圓廠說啥就是啥,。

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