問題描述：
在一些方案中，晶振并聯(lián)1MΩ電阻時,，程序運(yùn)行正常,，而在沒有1MΩ電阻的情況下,，程序運(yùn)行有滯后及無法運(yùn)行現(xiàn)象發(fā)生。
原因分析：
在無源晶振應(yīng)用方案中,，兩個外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時鐘頻率,。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,，當(dāng)發(fā)生程序啟動慢或不運(yùn)行時,，建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū),， 以獲得增益,， 在飽和區(qū)不存在增益， 而在沒有增益的條件下晶振不起振,。簡而言之,，并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負(fù)性阻抗（-R），即提升了增益,，縮短了晶振起振時間,，達(dá)到了晶振起振更容易之目的。
換一種說法,，假設(shè)電路中無任何的擾動信號,，晶振不可能起振。實(shí)際上反相門電路中許多電路不加這個電阻也能起振,，因?yàn)橐话愕碾娐范加袛_動信號,，但有個別的反相門電路不加這個電阻就不能起振，因?yàn)閿_動信號強(qiáng)度不夠,。
需要指出的是,，在低溫環(huán)境下振蕩電路阻抗也會發(fā)生變化，當(dāng)阻抗增加到一定程度時,，晶振就會發(fā)生起振困難或不起振現(xiàn)象,。這時，我們也需要給晶振并聯(lián)1MΩ電阻,，建議為了增加振蕩電路穩(wěn)定性,，給晶振同時串聯(lián)一個100Ω的電阻,，這樣可以減少晶振的頻率偏移程度。
注：并聯(lián)電阻不能太小,，串聯(lián)電阻不能太大,。否則，在溫度較低的情況下不易起振,。
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