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三星計(jì)劃推出32Gb的DDR5芯片,,使其能夠在2023年末或2024年初制造1TB的內(nèi)存模塊

2022-08-26
來源:潛力變實(shí)力
關(guān)鍵詞: 三星 32GB DDR5芯片

DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格,。與DDR4內(nèi)存相比,,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,。其它變化還有,,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC),、總線效率提高,、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái),,AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽,,支持DDR5內(nèi)存,而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持,,官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5,,而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品,消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等,。

8 月 20 日消息,,作為電腦必不可少的硬件,內(nèi)存的容量從來都是越大越好,。近日,,三星跟 AMD 的內(nèi)存專家舉辦了溝通會(huì),,探討了三星在 DDR5 內(nèi)存方面的發(fā)展,其中就談到了 DDR5 內(nèi)存容量的問題,。

跟此前的 DDR4 相比,,DDR5 內(nèi)存將電壓降低到了 1.1V,頻率可達(dá)到 7200MHz 以上,,bank 數(shù)量翻倍到 32 個(gè),,預(yù)取位數(shù)也翻倍到 16n。三星計(jì)劃在 2023 年將內(nèi)存核心容量提高到 32Gb,,堆棧層數(shù)提高到 8H,。在 2024 年,三星計(jì)劃推出 1TB 單條 DDR5 內(nèi)存,,該內(nèi)存將使用 32 個(gè) 8-Hi 32GB 堆棧,,適配 2024 年-2025 年發(fā)布的服務(wù)器平臺(tái)。

除了容量提升,,三星還計(jì)劃進(jìn)一步提升 DDR5 內(nèi)存的速度,。三星 PPT 顯示其將在 2025 年發(fā)布 DDR5-7200,預(yù)計(jì)其傳輸速率將達(dá)到 10,,000+MT / s,。

了解到,此前有消息稱,,三星正在開發(fā) DDR6 內(nèi)存,,該內(nèi)存將采用 MSAP 封裝技術(shù),預(yù)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率,。對(duì)于 DDR6 內(nèi)存,,單條達(dá)到 1TB 應(yīng)該較為輕松。不過現(xiàn)在看來 ,,三星可能在 DDR5 時(shí)代就實(shí)現(xiàn)單條 1TB 的設(shè)計(jì),。

雖然單條 1TB 對(duì)于消費(fèi)者來說成本太高,但對(duì)于服務(wù)器平臺(tái)來說容量更為重要,。目前,,Zen4 架構(gòu)的 EPYC 7004 系列可以做到 96 大核或者 128 小核,這意味著其對(duì)內(nèi)存的需求越來越高,。

為了支持英特爾和AMD下一代平臺(tái),,三星準(zhǔn)備推出一系列全新的DDR5內(nèi)存模塊,比如基于16Gb和24Gb的DDR5芯片的業(yè)界首款512GB RDIMM/LRDIMM,。在近期三星和AMD的內(nèi)存研討會(huì)上,,雙方探討了DDR5內(nèi)存技術(shù)上的新方向,同時(shí)三星透露了其DDR5的開發(fā)計(jì)劃,。

據(jù)TomsHardware報(bào)道,,三星計(jì)劃在2023年初,推出32Gb的DDR5芯片,,使其能夠在2023年末或2024年初制造1TB的內(nèi)存模塊,。32Gb DDR5芯片用于客戶端PC的首款產(chǎn)品是單條32GB內(nèi)存,大概在2023年末就能看到,。三星DRAM規(guī)劃部門的工程師Aaron Choi表示,,32Gb DDR5芯片目前正在一個(gè)新的制程節(jié)點(diǎn)(低于14nm)上進(jìn)行開發(fā)。

三星表示,,一旦使用32Gb DDR5芯片的內(nèi)存在產(chǎn)量上與16Gb DDR5相當(dāng),,那么單面32GB的內(nèi)存價(jià)格將變得非常合理,即便用戶想為系統(tǒng)配備128GB內(nèi)存也不用花太多的錢,。雖然內(nèi)存容量很重要,,但對(duì)于那些發(fā)燒友來說,內(nèi)存的頻率也很重要,,為此三星積極地提高DDR5內(nèi)存的頻率,。

隨著英特爾和AMD下一代平臺(tái)的發(fā)布,DDR5內(nèi)存頻率將提高到5200MHz到5600MHz的區(qū)間,。部分內(nèi)存廠商會(huì)制造6800MHz到7000MHz的高頻DDR5內(nèi)存,,不過這需要提高電壓來實(shí)現(xiàn)。三星計(jì)劃到2025年,,在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.1V電壓下,,將DDR5的頻率提高到7200MHz或以上,不過沒有透露具體的產(chǎn)品什么時(shí)候出來,,這意味著市面上可能會(huì)有10000MHz或以上頻率的DDR5內(nèi)存出售,。

時(shí)隔將近一年,無(wú)論是12代酷睿處理器還是600系列主板,,其產(chǎn)品線已經(jīng)愈發(fā)完整,,價(jià)格也趨于穩(wěn)定,新一代硬件組合憑借強(qiáng)大的性能和出色的性價(jià)比,,已逐漸成為市場(chǎng)主流,,而DDR5內(nèi)存由于還處在開發(fā)上升階段,再加上用戶的需求以及成本等因素,,短時(shí)期難以取締DDR4內(nèi)存的主流地位,。

用戶升級(jí)DDR5平臺(tái)最大的困擾,莫過于要連帶主板和CPU一起進(jìn)行更新,,且D5和D4版本的600系列主板在內(nèi)存方面互不兼容,,但如果是想嘗鮮新一代電腦主機(jī)或攢新機(jī)的用戶,DDR5+12代酷睿平臺(tái)無(wú)疑更具吸引力,,且依舊可以追求性價(jià)比,,影馳DDR5金屬大師系列內(nèi)存便是不錯(cuò)的選擇,。

對(duì)于想嘗鮮新一代入門級(jí)電腦主機(jī)的玩家,i3十二代酷睿CPU搭配H610系列主板便能釋放入門級(jí)DDR5內(nèi)存的性能,,滿足大部分游戲,、日常使用需求,普通板U套裝目前市場(chǎng)價(jià)在1-1.5k,,影馳金屬大師DDR5-4800內(nèi)存現(xiàn)天貓旗艦店單根16G活動(dòng)價(jià)為549元,,金屬大師DDR5-5200內(nèi)存單根16G當(dāng)前活動(dòng)價(jià)為599元。

金屬大師DDR5內(nèi)存采用了簡(jiǎn)約金屬線條設(shè)計(jì),,全金屬外殼散熱器,,輔以導(dǎo)熱硅膠強(qiáng)勁散熱;外形上銀灰底色與銀白色批花工藝相互輝映,帶來十足的金屬質(zhì)感,,配合高品質(zhì)鋁合金沖壓工藝打造凹凸臺(tái)階面,,能反射機(jī)箱內(nèi)部其他發(fā)光部件燈光,營(yíng)造“無(wú)燈勝有燈”的氛圍,。

影馳DDR5金屬大師系列內(nèi)存單根容量為16G,,組成雙通道容量為32GB,配合4800/5200MHz高頻帶來疾速使用體驗(yàn),,足以應(yīng)對(duì)日常游戲,、工作需求。其精選原廠優(yōu)質(zhì)DRAM顆粒以及采用8層黑色定制PCB,,追求穩(wěn)定耐用,,可手動(dòng)進(jìn)行超頻,堪稱新一代DDR5內(nèi)存入門優(yōu)選,。



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