眾所周知，制造7nm及以下工藝的芯片，需要用到EUV光刻機(jī),，而全球僅有ASML能夠生產(chǎn)。

ASML在2015年,，就推出了第一代EUV光刻機(jī)WINSCAN NXE：3400B,，之后在2019年推出了NXE：3400C，2021年推出了NXE：3600D,。

不過(guò)據(jù)稱,，NXE：3600D型號(hào)的EUV光刻機(jī)，支持的工藝可能僅到3nm,，如果要制造2nm的芯片，光刻精度還要提升,，需要新一代的High－NA極紫外光刻機(jī)才行,。

而光刻精度怎么提升，就是數(shù)值孔徑的提升了,， 前幾代光刻機(jī),，比如3400B／C、3600D的數(shù)值孔徑都是0．33NA的,，解析度（精度）為13nm,，單次構(gòu)圖間距為32nm到30nm。

而要生產(chǎn)2nm的芯片,，數(shù)值孔徑要變?yōu)?．55NA,，也就是解析度（精度）為8nm，這樣可以更更快更好地曝光更復(fù)雜的集成電路圖案,，同時(shí)單次構(gòu)圖間距低于30nm,。

這種新的EUV光刻機(jī)叫做型號(hào)，就叫做EXE：5200，目前ASML已經(jīng)有了規(guī)劃,，預(yù)計(jì)在2024年底,，或者2025年交付。

而基于0．55NA數(shù)值孔徑的光刻機(jī),，光刻分辨率將允許芯片縮小1．7倍,、同時(shí)密度增加2．9倍，其處理晶圓的能力是每小時(shí)處理220片12寸晶圓左右,，真正用于制造3nm以下的芯片,。

一小時(shí)處理220片12寸的晶圓，其產(chǎn)能有多大,？如果是蘋(píng)果A16這樣的芯片,，一塊晶圓可以切割600塊左右，理論上一臺(tái)這樣的光刻機(jī),，一年可以就光刻10億顆以上……

至于價(jià)格方面,，ASML表示，其0．55NA的下一代EUV光刻機(jī)單價(jià)將達(dá)到3億多美元（約合20億元人民幣）,。

至于買家,，當(dāng)然只有臺(tái)積電、三星,、英特爾三家才有資格購(gòu)買,，其它的晶圓廠，能夠買到0．33NA的EUV光刻機(jī),，就已經(jīng)非常不錯(cuò)了,，不要想這種0．55NA的。

當(dāng)然,，如果不生產(chǎn)7nm及以下的晶圓,，EUV光刻機(jī)都不需要，DUV就夠了,，更就不用糾結(jié)這3億多美元一臺(tái)的0．55NA的EUV光刻機(jī)了,。

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