實現可編程邏輯電路可以選擇三種主要的技術，它們有兩種主要的特性：是否可重新編程以及是否易失,。我們將介紹三種主要的器件,，它們是支持可編程電路的技術基礎： 反熔絲、雙柵晶體管和基于SRAM的可編程電路。

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　　反熔絲

　　反熔絲的概念至少可以追溯到1957年,，那時人們考慮將其用在存儲器中,。當一個編程電流加在反熔絲器件上時，它會由正常的開路狀態(tài)變?yōu)槎搪窢顟B(tài),。它可以通過將一層絕緣層加在兩層導電層中間實現,，當通以大電流時會在較小的面積上產生較大的功率耗散，會熔斷絕緣層,。這是一種可單次編程的技術,，因為編程后絕緣材料已被破壞不可恢復。制造反熔絲器件可以采用兩種主要結構：多晶硅擴散區(qū)結構和金屬-金屬反熔絲結構,。

　　02

　　雙柵晶體管

　　反熔絲技術的主要缺陷在于它的單次可編程特性,。雙柵（或者浮柵）器件是一種特殊的晶體管，它的控制柵和晶體管溝道之間還有一個浮柵,，可以進行非易失性的編程和擦除,。Flash存儲器件（閃存）便利用了浮柵器件最新的技術，即EEPROM器件,。EEPROM晶體管（電可擦除）是UVEPROM器件（紫外線可擦除）的改進版,，比后者更為進步---UVEPROM是一種可通過電學機制編程（即在特定的電壓偏置狀態(tài)下）、通過紫外光擦除（因此它們的名稱里UV表示用來擦除的紫外線,，而E表示通過電學方式寫入）的晶體管,。UVEPROM器件并不實用，因為要想重新編程,，必須從系統中移出然后擦除,，而且還需要昂貴的帶有供紫外光通過窗口的封裝結構。EEPROM晶體管利用電學偏置實現編程和擦除（因而采用EE命名）,。由于它們可以現場重新編程,，因而更為靈活。EEPROM晶體管的結構如下圖所示,，它就是一個改進的MOS晶體管,。控制柵和普通晶體管的柵極類似,，而浮柵被氧化層包圍,，并不能被電極直接連接。將存儲內容寫入器件需要將電子打入浮柵中,，使之聚集負電荷,。浮柵上的負電荷掩蔽了器件的溝道，使之在某種程度上受控制柵上和襯底之間所加電場的影響變小,，因而即便控制柵加到Vdd的電平,，導電溝道仍無法形成,。因此，寫入信息后的器件不會導通,，而未寫入的器件的特性則像普通晶體管一樣,。

　　寫入過程是這樣完成的：將器件置于過飽和區(qū)，這樣溝道中的熱電子被加速,，與襯底中的原子碰撞,，然后離開襯底，通過薄的氧化層隧穿到浮柵,。擦除過程則是通過將控制柵壓反置為負,，讓電子從浮柵中隧穿回晶體管的源極。

　　03

　　SRAM

　　靜態(tài)RAM開關技術使用了典型的采用交叉耦合反相器的SRAM單元,，以存儲傳輸晶體管或者下圖所示的FPGA結構中的嵌入式傳輸門傳來的導電狀態(tài),。

　　這種技術的優(yōu)勢從根本上來講在于其與浮柵器件相比，需較短的編程時間,。而其缺陷在于它相對較大的面積（這是由于晶體管數更多）,，并且在每次上電后還需要重新寫入。早期的FPGA在每次上電之后都必須從外部ROM或者flash電路中重新寫入?，F今,，許多基于SRAM技術的FPGA都含有flash存儲模塊，它們保存了電路的配置數據,，可以在每次上電后對電路進行內部寫入,。

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