IC insights表示,,功率半導(dǎo)體銷售額的持續(xù)增長,,主要是因為這一細(xì)分市場產(chǎn)品的平均銷售價格(ASP)達(dá)到了近十多年來的最高漲幅,,功率半導(dǎo)體的平均銷售價格在2021年同比增長了8%,,預(yù)計2022年將同比增長11%,,這是自2010年從2007-2008年金融危機(jī)引發(fā)的經(jīng)濟(jì)衰退中復(fù)蘇以來的最高增長率。
預(yù)計至2026年,,功率半導(dǎo)體市場年銷售額將穩(wěn)步增長,,達(dá)到289億美元,復(fù)合年增長率(CAGR)為5.5%,。
相比之下,,當(dāng)前半導(dǎo)體下行周期的冷風(fēng)吹向了行業(yè)的方方面面。
臺積電不久前聲稱,預(yù)計2023年芯片需求將面臨一個下滑周期,。同時,有半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標(biāo)之稱的存儲芯片,,在2022年上半年開始就在不斷下滑,。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,四季度DRAM價格跌幅將擴(kuò)大至13-18%,。
鑒于此,,美光表示:“我們大幅削減了資本支出,現(xiàn)在預(yù)計2023財年的資本支出將在80億美元左右,,同比下降逾30%,。”美光準(zhǔn)備利用庫存而非增產(chǎn)以滿足訂單需求,,并將減少對新廠和設(shè)備的支出,。
近日,AMD和三星也紛紛發(fā)布今年三季度預(yù)測業(yè)績,,兩家大廠深受消費(fèi)市場疲軟影響,,AMD預(yù)測今年三季度比之前的預(yù)測降低約11億美元;三星Q3營業(yè)利潤則同比大降31.7%,,為近三年來首次下滑,。由于三星電子主力產(chǎn)品DRAM價格進(jìn)一步下跌,業(yè)界預(yù)測三星電子第四季度前景也并不樂觀,。
不難看出,,在高通脹影響下,沖擊消費(fèi)類電子產(chǎn)品需求,,致使消費(fèi)類芯片,、存儲芯片等價格不斷下跌、訂單銳減,。
緊接著晶圓代工持續(xù)吹著降價風(fēng),,半導(dǎo)體市場進(jìn)入去庫存調(diào)整期,晶圓代工成熟制程報價也持續(xù)下跌,。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)周期規(guī)律來看,,市場預(yù)期這波庫存修正將延續(xù)到2023年。
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)統(tǒng)計:“近幾個月來,,全球半導(dǎo)體銷售增長停滯不前,,8月份的月度銷售額環(huán)比下降幅度為2019年2月以來的最大百分比”。
相比之下,,功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體市場卻頻頻傳來擴(kuò)廠,、擴(kuò)建、加大投資的消息,這股持續(xù)的“暖流”好像沒有被“寒氣”擊退,,反而愈演愈烈,。
功率半導(dǎo)體的“底氣”
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,,實現(xiàn)電路變換和控制的核心電子器件,,其作用主要分為功率轉(zhuǎn)換、功率放大,、功率開關(guān),、線路保護(hù)和整流等。
從產(chǎn)品形態(tài)分類,,功率半導(dǎo)體大致可分為分立器件(Power Discrete)(包括功率模塊)和功率 IC兩大類,。
據(jù)Omdia統(tǒng)計數(shù)據(jù),2017-2021年功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中功率芯片占比超過50%,,是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主要細(xì)分產(chǎn)品,,其次為功率半導(dǎo)體分立器件,2021年全球功率芯片和功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品占比分別為55.78%和32.03%,。預(yù)計到2024年,,功率半導(dǎo)體全球市場規(guī)模將達(dá)到538億美元,市場前景廣闊,。
圖源:騰訊科技
功率半導(dǎo)體行業(yè)“逆風(fēng)”而起,,緣起何處?
汽車功率半導(dǎo)體的增量時代
功率半導(dǎo)體發(fā)揮電能轉(zhuǎn)換的作用,,是新能源車最重要的芯片部件之一,。
隨著新能源汽車井噴式上量,功率半導(dǎo)體的價值量和市場規(guī)模隨之快速提升,。
根據(jù)Strategy Analytics的統(tǒng)計數(shù)據(jù),,2019年傳統(tǒng)燃油車中功率半導(dǎo)體的價值量僅為71美元,價值量較低,;而混合動力汽車中功率半導(dǎo)體的價值量提升至425美元,,是傳統(tǒng)燃油車的6倍;純電動汽車中的功率半導(dǎo)體價值量提升至387美元,,是傳統(tǒng)燃油車的5.5倍,。
在全球功率分立器件的下游需求中,汽車市場占比最高,,達(dá)到35%左右,。以MOSFET為代表的中低壓分立器件廣泛應(yīng)用于汽車的電動天窗、雨刮器,、安全氣囊,、后視鏡等領(lǐng)域,電動汽車的車載充電機(jī)(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器對于MOSFET的需求進(jìn)一步增加,。
另外,,汽車車燈轉(zhuǎn)為LED大燈以后,MOSFET的需求量從原來每個車燈需要1顆增加至18顆,,很多造車新勢力熱衷的車頂和側(cè)邊漸變玻璃對于MOSFET的需求也在增長,。
從全球競爭格局來看,,MOSFET市場基本被歐美日企業(yè)壟斷,英飛凌以24.6%的市占率位居第一,,CR5約59.8%,,安世半導(dǎo)體和華潤微電子分別以4.1%和3%的市占率位列第八和第九。
今年中旬,,全球功率半導(dǎo)體的巨頭英飛凌稱由于市場供需平衡及上游材料漲價,,暗示將漲價?;谟w凌在MOSFET領(lǐng)域的龍頭地位,,其漲價預(yù)警或?qū)φ麄€行業(yè)有重要意義。
據(jù)英飛凌統(tǒng)計數(shù)據(jù),,傳統(tǒng)燃油乘用車單車半導(dǎo)體價值量約500美元,,功率半導(dǎo)體價值量約占20%,即約100美元,,然而純電,、插混新能源汽車單車半導(dǎo)體價值量則陡增至約1000美元,在價值增量中,,用于實現(xiàn)開關(guān),、整流基礎(chǔ)功能的功率半導(dǎo)體占據(jù)絕大部分份額。
雖然當(dāng)前以手機(jī),、PC為代表的消費(fèi)電子市場需求疲軟給功率半導(dǎo)體帶來一定影響,,但汽車領(lǐng)域的應(yīng)用增量成為支撐其市場空間和走勢的關(guān)鍵因素,力保功率半導(dǎo)體“逆勢而上”,。
IGBT方興未艾
再往細(xì)看,,相較于MOSFET,IGBT適用于較低開關(guān)頻率和大電流的應(yīng)用,。
IGBT功率半導(dǎo)體是眾多電力電子應(yīng)用的關(guān)鍵,,具有導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快,、工作頻率高等特點,,可以在各種電路中提高功率轉(zhuǎn)換、傳送和控制的效率,實現(xiàn)節(jié)約能源,、提高工業(yè)控制水平的目的,。
依據(jù)電壓等級不同,IGBT可劃分為低壓,、中壓和高壓IGBT,,分別廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、新能源汽車,、新能源發(fā)電,、軌交以及電網(wǎng)等領(lǐng)域。600V以下的低壓IGBT主要應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域,,600V-1200V的中壓IGBT主要應(yīng)用于新能源車,、光伏、家電,、工業(yè)領(lǐng)域,,1700V以上的超高壓IGBT主要應(yīng)用于軌交、風(fēng)電,、智能電網(wǎng)領(lǐng)域,。
據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院,新能源車IGBT在2020年就已成為中國IGBT第一大應(yīng)用領(lǐng)域,,占比約 30%,。此外,工業(yè)控制,、消費(fèi)電子與新能源發(fā)電市場分別占比27%,、22%、11%,,為中國新能源汽車外前三大應(yīng)用領(lǐng)域,。
Yole預(yù)計,在新能源車逐漸普及的推動趨勢下,,在2020年至2026年間,,IGBT的復(fù)合年增長率為7.5%,屆時將達(dá)到84億美元,??梢姡嚦蔀轵?qū)動IGBT需求的主要動力,。據(jù)比亞迪半導(dǎo)招股書,,汽車電動化、智能化推動車規(guī)級IGBT成為增長最快的細(xì)分領(lǐng)域,,遠(yuǎn)超行業(yè)平均增速,。
從市場供需情況來看,,英飛凌表示,包括尚未確認(rèn)的訂單在內(nèi),,2022年1-3月積壓的訂單金額從去年四季度的310億歐元增長了19.4%至370億歐元,,這些訂單當(dāng)中超過五成是汽車相關(guān)產(chǎn)品,75%的訂單在未來12個月內(nèi)才能交貨,,積壓訂單顯然遠(yuǎn)超出英飛凌的交付能力,。
天風(fēng)證券近日在對國內(nèi)25家IGBT企業(yè)的調(diào)查顯示,在車規(guī)領(lǐng)域,,55%的企業(yè)訂單完成率不足75%,;在光伏領(lǐng)域,65%的廠商訂單完成率不足75%,。IGBT行業(yè)內(nèi)普遍存在訂單積壓問題,,現(xiàn)有產(chǎn)能仍無法滿足市場整體需求。
在此行業(yè)現(xiàn)狀下,,各公司競相布局,產(chǎn)能逐漸成為功率半導(dǎo)體搶灘市場的關(guān)鍵點,。
富士通半導(dǎo)體業(yè)務(wù)前負(fù)責(zé)人Masao Taguchi表示,,隨著電動汽車的大規(guī)模起量,功率半導(dǎo)體可能會變得更加標(biāo)準(zhǔn)化,,從而使能夠擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的公司主導(dǎo)市場,。
對此,IGBT頭部企業(yè)相繼宣布投建新產(chǎn)能,,以應(yīng)對訂單積壓,,而訂單飽滿也反映在國內(nèi)IGBT公司上半年業(yè)績中,已披露業(yè)績預(yù)告的IGBT公司盈利均大幅增長,。其中,,功率半導(dǎo)體海外頭部廠商(英飛凌、安森美,、ST,、三菱電機(jī)、富士電機(jī))Q2季度營收同比平均增速達(dá)21.67%,,較一季度19.14%的增速出現(xiàn)進(jìn)一步加速,。
據(jù)IHS統(tǒng)計數(shù)據(jù),中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐洲,、美國和日本地區(qū),。其中英飛凌無論在MOSFET、IGBT器件還是IGBT模塊上,,都是市占率排名第一,,2020年其市場份額占比達(dá)到19.7%,。據(jù)初步統(tǒng)計,2021年英飛凌市場份額超20%,。
不過,,供應(yīng)格局在本輪缺芯潮中悄然改變。全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈陷入短缺,,上述大廠產(chǎn)能有限,,而且價格高昂,于是國產(chǎn)公司一把被推上了臺面,,技術(shù)好,、價格低、定義準(zhǔn),、迭代快的企業(yè)更受歡迎,。國內(nèi)百舸爭流,國產(chǎn)IGBT替代加速,。
國產(chǎn)車載IGBT拐點已至,,市占率正在快速上升。據(jù)統(tǒng)計,,2022年一季度國內(nèi)出貨量前五的功率器件供應(yīng)商中,,已經(jīng)有三家中國本土企業(yè)入列,分別為斯達(dá)半導(dǎo),、比亞迪半導(dǎo)體,、時代電氣,三家合計裝機(jī)量占比約40%,。
比亞迪半導(dǎo)體具備產(chǎn)業(yè)下游的支持,,隨著比亞迪新能源車的銷量增長,比亞迪半導(dǎo)體的IGBT高速發(fā)展,;斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級IGBT 模塊持續(xù)放量,,2021年合計配套超過60萬輛新能源汽車;時代電氣具備高壓IGBT的豐富經(jīng)驗,,并且擁有中車集團(tuán)的下游支持,,2022年新能源車IGBT預(yù)計年內(nèi)交付的在手訂單70萬臺。
9月22日,,時代電氣公告稱對外投資中低壓功率器件建設(shè)項目,,子公司中車時代半導(dǎo)體獲得法雷奧集團(tuán)某電驅(qū)動系統(tǒng)項目定點,成為其IGBT模塊供應(yīng)商,。除此之外,,9月23日,時代電氣再次擴(kuò)產(chǎn),,擬投資111.19億元投資兩個中低壓功率器件項目,,年三期規(guī)劃產(chǎn)能合計為二期產(chǎn)能3倍,。
此外,還有士蘭微,、華潤微,、江蘇宏微科技等一批有代表性的國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展迅速??梢?,在近年來產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程顯著加速的趨勢下,本土功率廠商正在快速布局,。
第三代半導(dǎo)體“蜂擁而至”
除了硅基功率半導(dǎo)體,,當(dāng)前第三代半導(dǎo)體市場正煥發(fā)著別樣生機(jī)。尤其是在后摩爾定律時代,,第三代半導(dǎo)體的出現(xiàn)仿佛是賭桌上潛力無限的新賭注,。
與硅相比,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體具有高效率,、低能耗,、散熱快等特性,當(dāng)用于半導(dǎo)體器件中時,,第三代半導(dǎo)體器件可以提供高耐壓,、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻。鑒于該特性,,其將成為有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸的下一代低損耗器件,。
據(jù)TrendForce指出,,目前,,第三代半導(dǎo)體已經(jīng)成為高性能器件廠商的最佳選擇,且SiC,、GaN作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,,已經(jīng)在電動汽車、充電樁和基站功放場景中率先得到應(yīng)用,。
根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),,2021年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為10.90億美元,其中應(yīng)用于汽車市場的碳化硅功率器件市場規(guī)模為6.85億美元,,占比約為63%,;其次分別是能源、工業(yè)等領(lǐng)域,,2021 年市場規(guī)模分別為 1.54 億,、1.26 億美元,占比分別為 14.1%,、11.6%,。
汽車是碳化硅功率器件最大的下游應(yīng)用市場,,主要用于主驅(qū)逆變器、車載充電系統(tǒng)(OBC),、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和非車載充電樁,。全球碳化硅領(lǐng)域龍頭廠商Wolfspeed公司預(yù)測,到2026年汽車中逆變器所占據(jù)的碳化硅價值量約為83%,,是電動汽車中價值量最大的部分,。其次為OBC,價值量占比約為15%,;DC-DC轉(zhuǎn)換器中SiC價值量占比在2%左右,。
特斯拉和比亞迪在其電機(jī)控制器的逆變器中已經(jīng)采用了SiC MOSFET的芯片作為核心的功率器件。豐田,、大眾,、本田、寶馬,、奧迪等汽車企業(yè)也都將SiC功率器件作為未來新能源汽車電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的首選解決方案,。此外,電動汽車充電樁也是SiC器件的一大應(yīng)用領(lǐng)域,。
據(jù)TrendForce研究,,為進(jìn)一步提升電動汽車動力性能,全球各大車企已將目光鎖定在碳化硅功率元件,,并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型,。隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入碳化硅技術(shù),預(yù)計2026年車用碳化硅功率元件市場規(guī)模將達(dá)到39.4億美元,。
隨著越來越多新能源車型采用碳化硅器件,,碳化硅對傳統(tǒng)車用硅基IGBT的替代已經(jīng)逐漸展開。需求高漲之下,,給第三代半導(dǎo)體廠商帶來巨大利益的同時,,也在加劇賽道玩家的布局力度。
在此前文章《SiC/GaN,,海外巨頭瘋狂擴(kuò)產(chǎn),!》中,筆者梳理了英飛凌,、安森美,、羅姆、意法半導(dǎo)體,、瑞薩電子,、東芝等國外廠商的規(guī)劃布局,釋放出強(qiáng)化競爭優(yōu)勢以搶奪日漸增長的市場份額的信號,。以及,,如今處于汽車領(lǐng)域的SiC應(yīng)用的關(guān)鍵市場窗口期,,上下游企業(yè)紛紛開始擴(kuò)充、綁定產(chǎn)能,,以應(yīng)對未來的市場爆發(fā),。
在這之后,行業(yè)廠商仍在持續(xù)布局:
意法半導(dǎo)體近日又宣布擴(kuò)產(chǎn)計劃,,將在意大利建造一座價值7.3億歐元的碳化硅晶圓廠,;
安森美在未來兩年內(nèi),擴(kuò)建將使 Roznov基地的SiC生產(chǎn)能力提高16倍,;此外,,預(yù)計到2022年底,安森美的哈德遜碳化硅 (SiC) 工廠將使安森美的SiC晶錠產(chǎn)能同比增加五倍,。安森美還計劃在2025年前將把公司的碳化硅前道工藝產(chǎn)能擴(kuò)大到目前的10倍以上,;
博世再投資30億歐元,擴(kuò)產(chǎn)SiC和MEMS,;
日本羅姆為了應(yīng)對功率半導(dǎo)體競爭的日益激烈,,計劃在2022年內(nèi)將在福岡縣啟用新工廠廠房,在2025財年之前把相當(dāng)于此前計劃的3倍,;
英飛凌預(yù)計斥資逾20億歐元,,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū),用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,;
Wolfspeed將在美國新建全球最大碳化硅材料工廠,。
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第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略意義重大,世界各個國家和地區(qū)均在努力推進(jìn)發(fā)展工作,。歐洲的SPEED計劃,、MANGA計劃,美國的SWITCHES計劃,、NEXT計劃,,日本的新一代功率電子項目都是意在通過政府資助和企業(yè)加強(qiáng)投資的方式推動新一代化合物半導(dǎo)體落地的計劃,,背后都具有明顯的戰(zhàn)略意圖,。
可見,行業(yè)巨頭爭相擴(kuò)產(chǎn)和投資,,第三代半導(dǎo)體在內(nèi)的功率半導(dǎo)體正在成為新的競爭高地,。不僅僅是擴(kuò)產(chǎn),對優(yōu)質(zhì)標(biāo)的的并購也成為巨頭廠商之間的主旋律,。其中,,ASM收購LPE的所有流通股;安森美對GT Advanced Technologies,、Qorvo對UnitedSiC的并購均已完成,。
TrendForce強(qiáng)調(diào),,隨著碳化硅材料技術(shù)和市場不斷取得突破,以及芯片結(jié)構(gòu)及模組封裝工藝趨于成熟,,SiC功率元件于車用市場滲透率持續(xù)攀升,,并由目前的高階車型應(yīng)用逐步延伸至中、低階車型中,,從而加速汽車電動化進(jìn)程,。隨著越來越多車廠開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù),市場規(guī)模將呈現(xiàn)每2年翻1倍的急速成長態(tài)勢,。
拋開如火如荼的擴(kuò)產(chǎn)投資,,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局逐漸迎來空前重構(gòu)和變化,產(chǎn)業(yè)鏈布局正在加速,。
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢給諸多供應(yīng)鏈廠商帶來了極大的吸引力,,不僅臺積電、聯(lián)電,、世界先進(jìn)等在內(nèi)的各大代工廠陸續(xù)加入,,硅晶圓企業(yè)環(huán)球晶也開始布局SiC晶片。
面對差距以及行業(yè)巨頭的大舉進(jìn)攻,,本土芯片供應(yīng)商應(yīng)該以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動,,更加注重推動第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)和應(yīng)用,同時聚焦下游市場,,通過綁定家電龍頭,,聯(lián)手新能源汽車企業(yè),加速科研成果轉(zhuǎn)化和技術(shù)應(yīng)用落地,。
國內(nèi)SiC供應(yīng)商中,,比亞迪半導(dǎo)體實現(xiàn)了SiC三相全橋模塊在新能源汽車電機(jī)驅(qū)動控制器中大批量裝車。天岳先進(jìn),、士蘭微,、派恩杰、晶盛機(jī)電,、芯導(dǎo)科技,、露笑科技等國內(nèi)廠商也相繼跟進(jìn)。
同時,,整車廠也在積極發(fā)力第三代功率半導(dǎo)體,,2022年,國內(nèi)造車新勢力蔚來ET7,、小鵬G9均采用了碳化硅器件,,理想汽車的功率半導(dǎo)體項目生產(chǎn)基地近日也落戶蘇州,由理想汽車與三安光電共同出資組建蘇州斯科半導(dǎo)體公司,主要專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅車規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn),。國內(nèi)車廠的SiC MOSFET滲透率有望加速提升,,隨著搭載高功率電機(jī)的新能源車銷量增長,車載SiC MOSFET需求將持續(xù)增長,。
不僅如此,,在國家政策和資金支持下,各地方政府掀起了第三代半導(dǎo)體投資熱潮,,目前已初步形成了京津冀魯,、長三角、珠三角,、閩三角,、中西部等五大重點發(fā)展區(qū)域,北京,、深圳,、濟(jì)南、保定等多個城市都有深入布局,,政府也“置身事內(nèi)”,,打造覆蓋襯底、外延,、芯片及器件,、模組、封裝檢測以及設(shè)備和材料研發(fā)的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),。
雖然目前國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在襯底材料,、外延、設(shè)計制造等各個環(huán)節(jié),,均有對標(biāo)海外巨頭的企業(yè),。但中國第三代半導(dǎo)體在技術(shù)成熟度、穩(wěn)定量產(chǎn)能力,、產(chǎn)業(yè)鏈配套等方面與海外還存在較大差距,,例如電動汽車主驅(qū)、特高壓電網(wǎng)用碳化硅功率器件現(xiàn)階段完全依賴進(jìn)口,,另外5G基站用的氮化鎵射頻器件仍缺少穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品供貨能力,。
另外,我國的第三代半導(dǎo)體材料上面還存在短板,。例如對材料研究方面,,不如美日歐,,行業(yè)高端產(chǎn)品應(yīng)用不足,,難以形成產(chǎn)業(yè)循環(huán)。同時還存在無序競爭嚴(yán)重的問題。
近年來,,第三代半導(dǎo)體在多個領(lǐng)域嶄露頭角,。以碳化硅、氮化鎵為主的第三代化合物半導(dǎo)體已然成為產(chǎn)業(yè)端和投資界的寵兒,。
綜合來看,,各類型的半導(dǎo)體有其適合應(yīng)用之處,未來不論是硅基的IGBT,、MOSFET或是以SiC為基底的IGBT,、MOSFET,都會根據(jù)所需效能及材料特性,,找到適合的應(yīng)用場域,。
從全球擴(kuò)產(chǎn)情況來看,國外供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)項目以12英寸功率半導(dǎo)體產(chǎn)線,,以及6英寸,、8英寸碳化硅產(chǎn)線為主。產(chǎn)能釋放時間在2023年之后,,因此短期內(nèi),,全球功率半導(dǎo)體仍將呈現(xiàn)供需緊張的局面。
國內(nèi)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商中,,華潤微,、士蘭微、聞泰科技,、燕東微電子均有12英寸線的在建產(chǎn)能,。華潤微、士蘭微,、斯達(dá)半導(dǎo),、時代電氣等正在建設(shè)、規(guī)劃碳化硅6至8英寸的產(chǎn)線,。比亞迪,、上汽、蔚小理等主機(jī)廠也在積極布局IGBT和碳化硅模塊,、芯片產(chǎn)線,。
對本土功率半導(dǎo)體企業(yè)而言,想要保住乃至攫取更多“勝利果實”,,需要在產(chǎn)能這一單一維度的比拼之外,,拓展更豐富的競爭工具。另外,,如何把握住此輪第三代半導(dǎo)體市場機(jī)遇,,把握從6英寸向8英寸過渡的技術(shù)趨勢,對于國產(chǎn)碳化硅企業(yè)來說也至關(guān)重要。
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站在今天的時間節(jié)點回顧,,“天時地利”交織,,為本土功率半導(dǎo)體行業(yè)打開了前所未有的市場空間。
本土功率半導(dǎo)體行業(yè)之所以發(fā)展迅速,,與其他半導(dǎo)體大類賽道有著共通驅(qū)動因素,,即國產(chǎn)替代與芯片短缺。
2020年以來的“芯片荒”中,,海外老牌原廠面對突然爆發(fā)的超額訂單,,不得不將產(chǎn)能優(yōu)先用于保障核心大客戶,分銷渠道流通價格也隨之飆升,,甚至出現(xiàn)“有價無市”的情況,,如果說此前國內(nèi)外政策的“推”和“拉”確立了國產(chǎn)替代進(jìn)程,使扶持本土廠商發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)鏈共識,,那么現(xiàn)實的芯片短缺,,則使下游中小用戶,特別是技術(shù),、標(biāo)準(zhǔn)壁壘較低的消費(fèi)類細(xì)分市場用戶“不得不”大批量換用國產(chǎn)器件,,從而大大加速了這一進(jìn)程。
除了共性因素之外,,對功率半導(dǎo)體而言,,上文提到的諸多要素,新能源汽車增量市場,、IGBT方興未艾,、第三代半導(dǎo)體迅猛發(fā)展之勢等,都給功率半導(dǎo)體器件帶來了巨大的增量需求,。
長期來看,,下游的供需關(guān)系將會沿著產(chǎn)業(yè)鏈向上游市場傳導(dǎo)。這或許也是如今半導(dǎo)體下行周期肆虐,,大部分細(xì)分市場需求疲軟,,功率半導(dǎo)體仍舊“逆勢而上”的原因所在。