目前網(wǎng)絡(luò)有一種聲音,，那就是我們必須自研出EUV光刻機(jī),，只要自研出EUV光刻機(jī)，ASML和美國(guó)就卡不住我們的脖子了,，芯片就再也不用愁了,。

但真的自研出EUV光刻機(jī)，我們就能夠制造出7nm芯片了么,？在我看來(lái),，僅靠EUV光刻機(jī)，是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,，還差得遠(yuǎn)呢,。

芯片制造是一個(gè)非常復(fù)雜的流程，涉及到幾十種設(shè)備,，上百道工序,，主要可以分為單晶硅片制造、前道工序,、后道工序這三部分,。

單晶硅片涉及到各種半導(dǎo)體材料，目前國(guó)內(nèi)整體半導(dǎo)體材料的自給率不足20％,，特別是14nm以下的半導(dǎo)體材料自給率就更低,，高度依賴國(guó)外進(jìn)口。

而前道工序更是重點(diǎn),，有至少8個(gè)工序,，分別是擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻,、刻蝕,、離子注入、CMP拋光,、金屬化,、測(cè)試。

而這里也要用到各種設(shè)備,，眾多的材料,，光刻機(jī)只是其中的一種設(shè)備，這些設(shè)備大多和光刻機(jī)一樣,，是有精度要求的,，分別要求達(dá)到7nm。

還有一些材料,，也需要達(dá)到7nm,，比如光刻膠，7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻膠,，但我們自給率為0,。

后道工序，這里主要涉及到的是封測(cè),，相對(duì)要求會(huì)低一些,，但也是有工藝精度要求的。

綜合起來(lái)看,，要想芯片制造水平達(dá)到7nm,，需要EDA支持7nm，半導(dǎo)體材料也是支持7nm,，半導(dǎo)體設(shè)備也支持7nm……

而EUV光刻機(jī)只是其中的一種設(shè)備,，就算我們突破了，美國(guó)或其它國(guó)家一樣能夠在其它設(shè)備,、材料上卡住我們,，因?yàn)槟壳皣?guó)產(chǎn)的半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備,，很多在28nm甚至更成熟的工藝,，達(dá)到7nm的少之又少。

目前僅是EUV光刻機(jī)卡得最為明顯,，卡得最為關(guān)鍵,，最為大家所知而已，并不意味著其它設(shè)備或材料不卡了,，一旦EUV光刻機(jī)我們有了,，美國(guó)在其它設(shè)備或材料上就會(huì)卡住我們的,。

要想真正不受限的制造出7nm芯片，我們需要的是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈崛起,，達(dá)到7nm才行的,，所以現(xiàn)在真不必急著進(jìn)入7nm，并且也進(jìn)入不了,。

按照機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù),，2022年28nm及以下的芯片占全球所有芯片的比例還高達(dá)75％＋，所以我們現(xiàn)在的重點(diǎn)不是先進(jìn)工藝,，而是全產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化率，同時(shí)提升產(chǎn)能,，先滿足國(guó)內(nèi)成熟工藝的需求,，先解決了這些問(wèn)題，再向先進(jìn)工藝前進(jìn),，這樣才走得穩(wěn)健,。

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