這是新能源大爆炸的第505篇原創(chuàng)文章,。

文章僅記錄《新能源大爆炸》思想，不構(gòu)成投資建議,，作者沒(méi)有群,、不收費(fèi)薦股、不代客理財(cái),。

此前新能源大爆炸跟大家分享了幾個(gè)未來(lái)2～3年最有機(jī)會(huì)涌出較多10倍股的板塊,，其中有一個(gè)是軍工里面的無(wú)人機(jī)，還有一個(gè)是半導(dǎo)體板塊,。這兩個(gè)板塊最近都走的很不錯(cuò),，尤其是無(wú)人機(jī)板塊，今天來(lái)說(shuō)一下半導(dǎo)體板塊里面的細(xì)分板塊半導(dǎo)體設(shè)備,。

01  半導(dǎo)體設(shè)備的邏輯

如果說(shuō)半導(dǎo)體行業(yè)將是未來(lái)5～10年都需要重點(diǎn)關(guān)注的領(lǐng)域,，那么在這兩到三年內(nèi)，最應(yīng)該關(guān)注的就是半導(dǎo)體里的材料和設(shè)備領(lǐng)域,。 背后的邏輯非常清楚：當(dāng)下,，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化程度依然非常低，但長(zhǎng)期而言,，半導(dǎo)體領(lǐng)域,，中國(guó)是一定要實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自主化的,，而要實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)自主化，尤其是高端芯片的國(guó)產(chǎn)自主化,，必須先實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)自主化,，這就決定了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料和設(shè)備的景氣度是領(lǐng)先于芯片等下游應(yīng)用領(lǐng)域的。

中短期,，由于半導(dǎo)體的下游應(yīng)用方向,，尤其是消費(fèi)電子領(lǐng)域，景氣度持續(xù)低迷,，導(dǎo)致整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度承壓,，很多晶圓大廠都在削減資本開(kāi)支，整個(gè)半導(dǎo)體板塊過(guò)去一年都是跌跌不休的狀態(tài),，中間即使有反彈,，也很難持續(xù)。 但在半導(dǎo)體領(lǐng)域里,，半導(dǎo)體材料和設(shè)備在國(guó)產(chǎn)替代化加速的背景之下,，卻有望率先擺脫行業(yè)低密度 景氣度，甚至不受行業(yè)景氣度低迷的影響,，這就是它最有可能在這兩三年里跑出一些十倍股的原因,。 

最關(guān)鍵的是這個(gè)邏輯可以從今年一些半導(dǎo)體設(shè)備上市公司的業(yè)績(jī)上得到驗(yàn)證。 今年前三季度,，國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體設(shè)備上市公司（北方華創(chuàng),、中微、長(zhǎng)川,、拓荊,、 華海清科、芯源微,、盛美,、華峰測(cè)控、聯(lián)動(dòng)科技,，下同）總收入 209 億元,，超 過(guò) 2021 年全年行業(yè)收入 195 億元，同比增長(zhǎng) 64％,。 第三季度主要半導(dǎo)體設(shè)備上市公司總收入 87 億元,，同比增長(zhǎng) 64．9％，相比一季度增速 62．5％,、二季度增速 62．6％來(lái)說(shuō)繼續(xù)提速。  

隨著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)自主化持續(xù)推進(jìn),，這個(gè)邏輯有望持續(xù)得到驗(yàn)證,。

02  半導(dǎo)體設(shè)備簡(jiǎn)介

今天就跟大家分享一下半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的概況,，便于大家在這個(gè)方向里挖掘機(jī)會(huì)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈跟其他行業(yè)一樣,，同樣可以分為上游中游下游,，上游主要是半導(dǎo)體材料跟設(shè)備，中游是集成電路生產(chǎn),，下游則是各種應(yīng)用領(lǐng)域,，包括通信、航空航天,、汽車(chē),、人工智能等。

科技和信息時(shí)代,，半導(dǎo)體的下游幾乎涵蓋所有行業(yè),，所以半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究，主要覆蓋上游設(shè)備和材料,，以及中游的集成電路生產(chǎn)制造,。 半導(dǎo)體，尤其是里面的高端芯片,，作為人類(lèi)工業(yè)皇冠上面的明珠,，生產(chǎn)工藝極其復(fù)雜，一條生產(chǎn)線大約涉及50多個(gè)行業(yè),、2000－5000道工序,。總的流程上可以分為三大部分：?jiǎn)尉Ч杵闹圃?，前道工藝和后道工藝,。前道工藝又分幾大模塊——光刻、薄膜,、刻蝕,、清洗、注入,；后道工藝主要是封裝——互聯(lián),、打線、密封,。其中,，光刻是制造和設(shè)計(jì)的紐帶。

其中尤以前道工藝技術(shù)含量最高,，工序最繁雜,，投入最高。

越是精密儀器的制造，越是離不開(kāi)生產(chǎn)設(shè)備,，中游的芯片代工晶圓廠采購(gòu)芯片加工設(shè)備,， 將制備好的晶圓襯底進(jìn)行多個(gè)步驟數(shù)百道上千道工藝的加工，配合相關(guān)設(shè)備,，通過(guò)氧化沉積,，光刻，刻蝕,，沉積,，離子注入，退火,，電鍍,，研磨等步驟完成前道加工， 再交由封測(cè)廠進(jìn)行封裝測(cè)試,，出產(chǎn)芯片成品,。  其中又以光刻、蝕刻和薄膜沉積三個(gè)步驟最為關(guān)鍵,，相應(yīng)的光刻設(shè)備,、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的價(jià)值占比也是最高的，也是投資半導(dǎo)體設(shè)備要重點(diǎn)關(guān)注的,。

03  3大半導(dǎo)體設(shè)備機(jī)會(huì)剖析

光刻設(shè)備,，也就是光刻機(jī)，是制造芯片的核心裝備之一,，用于將掩模版上的電路圖形通過(guò)曝光的方式轉(zhuǎn)移到晶圓上,，類(lèi)似于相片的沖印。

由于技術(shù)含量極高,，光刻機(jī)也就成為了成本極高,，單臺(tái)價(jià)值含量超高的半導(dǎo)體設(shè)備，而且制程越先進(jìn),，價(jià)格越高,，關(guān)鍵是全球能生產(chǎn)7nm以下先進(jìn)制程光刻機(jī)，只有荷蘭的阿斯麥公司,，獨(dú)此一家,，別無(wú)分店，想買(mǎi)人家還不一定賣(mài),。 結(jié)果就是中國(guó)光刻機(jī)層面的國(guó)產(chǎn)替代需求非常大,，但限于技術(shù)差距，國(guó)產(chǎn)替代率又比較低,，現(xiàn)在即使想買(mǎi),，也因?yàn)檎卧蛸I(mǎi)不了,。 好在國(guó)內(nèi)企業(yè)也在努力的做突破，中科院光電所研發(fā)出 365nm 波長(zhǎng)的近紫外光 DUV 光刻機(jī)設(shè)備,。上海微電子已有生產(chǎn)前道90nm制程的光刻機(jī),，后道先進(jìn)封裝光刻機(jī)也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)出貨,。 當(dāng)然了,，就不說(shuō)要相比阿斯麥了，相比 AMAT,，泛林半導(dǎo)體,，東京電子等巨頭都還要遙遠(yuǎn)的距離，路漫漫兮,。 只是換個(gè)角度思考：自主化程度越低,，意味著后續(xù)自主化替代空間越大，在未來(lái)很多年,，光刻機(jī)設(shè)備都有足夠大的國(guó)產(chǎn)替代空間,。

04  刻蝕設(shè)備

刻蝕跟光刻環(huán)節(jié)類(lèi)似，主要作用也是轉(zhuǎn)移掩模版上的圖形到晶圓上,，很多人搞不清楚差別,。 簡(jiǎn)單說(shuō)，光刻機(jī)就是把電路圖描繪至覆蓋有光刻膠的硅片上,，而蝕刻機(jī)的作用就是按照光刻機(jī)描繪的電路圖把硅片上其它不需要的光刻膠腐蝕去除,，完成電路圖的雕刻轉(zhuǎn)移至硅片表面。 可以簡(jiǎn)單粗暴理解為光刻機(jī)是設(shè)計(jì)者,，蝕刻機(jī)是執(zhí)行者,，兩者相互配合，最終將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上,。 相比光刻機(jī),，蝕刻機(jī)的技術(shù)難度低一些，但同樣具有非常高的技術(shù)含量,，而且在整個(gè)半導(dǎo)體體系中,，它的價(jià)值含量不比光刻機(jī)低，尤其是隨著 3D NAND 的大發(fā)展,，蝕刻機(jī)的設(shè)備的價(jià)值含量越來(lái)越大,。

相比光刻機(jī)被死死卡住脖子，蝕刻機(jī)國(guó)內(nèi)已經(jīng)有非常大的突破了,，中微公司,，北方華創(chuàng)，嘉芯 半導(dǎo)體等企業(yè),，都在行業(yè)里占有一席之地,，整體國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到了 20％,，未來(lái)國(guó)產(chǎn)化率有望達(dá)到70％以上！未來(lái)的成長(zhǎng)空間依然足夠?qū)拸V,。

05  薄膜設(shè)備

薄膜沉積,，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是在半導(dǎo)體的主要襯底材料“硅”上鍍一層膜,，當(dāng)然,，實(shí)際上不是鍍上去了，反而是從里面生長(zhǎng)出來(lái)的,，具體比較復(fù)雜就不展開(kāi)了,，總之這也是非常關(guān)鍵的一道工序就對(duì)了。 目前薄膜沉積工藝主要有分三種技術(shù)路線：原子層沉積（ALD）,、物理式真空鍍膜（PVD）,、化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD又屬于CVD的一種,，是目前最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù),。 

薄膜沉積的價(jià)值含量?jī)H次于刻蝕設(shè)備，比光刻設(shè)備還高,，國(guó)內(nèi)做這塊的公司主要是北方華創(chuàng)和拓荊科技,，其中拓荊科技在 CVD 領(lǐng)域，北方華創(chuàng)在 PVD 領(lǐng)域都已經(jīng)有了一定的市場(chǎng)份額,。此外,，中微公司，盛美上海,，萬(wàn)業(yè)企業(yè)等公司的產(chǎn)品也正在薄膜沉積領(lǐng)域布局,，但薄膜設(shè)備整體的國(guó)產(chǎn)化率依然較低，2021 年在 10％左右,。 

長(zhǎng)期來(lái)看,，薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的成長(zhǎng)空間也足夠廣闊。 除了這幾個(gè)重要的環(huán)節(jié),，其實(shí)國(guó)產(chǎn)的設(shè)備廠商,，目前已經(jīng)幾乎覆蓋所有的前道環(huán)節(jié)了，這自然要感謝川寶了,，是他生生加速了中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的,，也給了市場(chǎng)一個(gè)十年級(jí)別的投資方向。 當(dāng)然了,，要說(shuō)明的是,，半導(dǎo)體設(shè)備，乃至整個(gè)半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替代化空間毫無(wú)疑問(wèn)是巨大的,，但同時(shí),，受限于半導(dǎo)體設(shè)備,，以及再上游的半導(dǎo)體材料及零部件的國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題和技術(shù)含量，國(guó)產(chǎn)替代化過(guò)程注定是一個(gè)比較漫長(zhǎng)的過(guò)程,，很難一蹴而就,。 加上當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度比較低密的情況下，相關(guān)公司的業(yè)績(jī)釋放可能不會(huì)很順利,，在投資半導(dǎo)體行業(yè)的時(shí)候,，走勢(shì)難免反復(fù)，大家要有點(diǎn)心理預(yù)期,。

更多信息可以來(lái)這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<