·       雙方同意對Soitec技術(shù)進行產(chǎn)前驗證,， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造

·       提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),，支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo)

2022年12月8日,，中國---- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,，簡稱ST,；紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導(dǎo)體在今后18 個月內(nèi)完成對Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認證測試,。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底,，促進公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，并在中期實現(xiàn)量產(chǎn),。

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti表示：“汽車和工業(yè)客戶正在加快推進系統(tǒng)和產(chǎn)品的電動化,，升級到8寸 SiC 晶圓將為他們帶來巨大好處，因為產(chǎn)品產(chǎn)量提高對于推動規(guī)模經(jīng)濟非常重要,。ST選擇了一種垂直整合的制造模式,，從高質(zhì)量的襯底，到大規(guī)模的前工序制造和后工序封測,，在整個制造鏈中充分利用我們多年積累的專業(yè)技術(shù)專長,。我們希望通過與Soitec 技術(shù)的合作，不斷提高良率和質(zhì)量,?！?span style="text-indent: 2em;"> 

“隨著電動汽車的到來，汽車行業(yè)正面臨巨變,。Soitec通過尖端的 SmartSiC? 技術(shù),，將獨特的 SmartCut? 工藝用于碳化硅半導(dǎo)體材料，將在推進電動汽車普及方面發(fā)揮關(guān)鍵作用,?！?Soitec 首席運營官 Bernard Aspar 表示：“將Soitec 的 SmartSiC? 襯底與ST行業(yè)率先的碳化硅技術(shù)和專長整合，將改變汽車芯片制造的游戲規(guī)則,，并樹立新的標(biāo)準(zhǔn),。”

碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體材料,，在電動汽車和工業(yè)制程領(lǐng)域重要的高增長功率應(yīng)用中,，碳化硅材料的固有性質(zhì)令碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導(dǎo)體。碳化硅可以實現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換,、更緊湊的輕量化設(shè)計,，并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計成本——所有這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和要素。從 6寸 晶圓升級到 8寸 晶圓,，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍,，每個晶圓上的有效出片量達到升級前的1.8-1.9 倍，因此大幅增加產(chǎn)能,。

SmartSiC? 是 Soitec 的專有技術(shù),，基于Soitec 專有的 SmartCut? 技術(shù),，從高質(zhì)量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層，將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面,。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率,。此外，優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可以多次重復(fù)使用,，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。

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