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三星:3nm 代工市場(chǎng) 2026 年將達(dá) 242 億美元規(guī)模

2022-12-12
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 3nm

12 月 11 日消息,,三星電子 Foundry 代工部門高級(jí)研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導(dǎo)體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202212/441513.htm

他表示,,到 2026 年,,全球 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到 242 億美元規(guī)模,,較今年的 12 億美元增長(zhǎng)將超 20 倍。

目前,,三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司,,隨著三星電子、臺(tái)積電,、英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進(jìn) EUV 設(shè)備,,工藝技術(shù)不斷發(fā)展,預(yù)計(jì) 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn),。

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù),,截至今年年底,在晶圓代工市場(chǎng)中占據(jù)最大份額的是 5 納米和 7 納米工藝,,市場(chǎng)規(guī)模 369 億美元,,未來其份額將逐步由 3 納米所取代。他表示,,“隨著 14 納米 FinFET 工藝的推出,,三星電子已經(jīng)上升到代工市場(chǎng)的第二位?!?/p>

據(jù)稱,,3 納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能,率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 3nm 工藝的三星使用了環(huán)柵(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)的 MBCFET 技術(shù),,較 FinFET 性能功耗有明顯改善,。

“就 FinFET 而言,性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高,,但功耗的增加超出了性能的提高幅度”,,他表示,“另一方面,,MBCFET 的效率要高得多,,因?yàn)樗鼈冊(cè)谙嗨频乃缴咸岣吡诵阅芎凸β省,!?/p>

具體來說,,在 FinFET 技術(shù)中性能提升 1.3 倍但功耗也會(huì)隨著上漲2.2 倍,而在 MBCFET 中,,性能提高 1.7 倍時(shí),,功耗只會(huì)增加 1.6 倍,相對(duì)來說效率更高。



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