臺積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm,，3nm工藝因為種種原因一直推遲,，9月份就說量產(chǎn)了,，又說年底量產(chǎn),，不過這個月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了,。

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根據(jù)臺積電之前的消息,，3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝，分別是N3,、N3P,、N3S、N3X及N3E,，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,，但是這版工藝遭到客戶棄用，很大可能就放棄了,，明年直接上N3E工藝,。

對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％,，性能可提升10-15％,，晶體管密度提升約70％。

N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能,、降低功耗,、擴大應(yīng)用范圍，對比N5同等性能和密度下功耗降低34％,、同等功耗和密度下性能提升18％,，或者可以將晶體管密度提升60％，密度上甚至更低了一些,。

考慮到近年來摩爾定律一直在放緩,，70%左右的密度提升看起來還不錯，但這是臺積電公布的最好水平,，指的是純邏輯芯片,，SRAM緩存的密度就只有20%了，N3E還會更低,。

然而20%的提升依然是理論上的美好,，臺積電之前在IEDM會議上公布了更真實的數(shù)據(jù)，3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上只比5nm高出5%,，指標(biāo)大幅縮水,。

盡管3nm工藝還有10-15%的性能或者25-30%的功耗改進(jìn)，但是這些指標(biāo)顯然也是非常理想的情況,，實際提升也會跟密度一樣存在縮水,。

但是3nm晶圓的代工價格上漲是實實在在的，傳聞是2萬美元一片,，約合人民幣14萬元,，比5nm工藝漲價至少25%以上。

而且14萬元的價格還是基準(zhǔn)價，如果廠商的訂單量達(dá)不到臺積電的要求,，價格還會大漲,，超過10萬美元也很正常，也就是70萬人民幣了,，這樣的價格下芯片設(shè)計廠商的成本根本撐不住,。

也難怪臺積電在需求下降的時候依然想逆勢漲價，但蘋果強硬拒絕,，反擊臺積電的理由就是蘋果這幾年的利潤率一直沒提升,，臺積電自己的利潤率已經(jīng)從50%提升到60%了。

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