臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲，9月份就說(shuō)量產(chǎn)了,，又說(shuō)年底量產(chǎn),，不過(guò)這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了,。

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根據(jù)臺(tái)積電之前的消息,，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3,、N3P,、N3S、N3X及N3E,，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,，但是這版工藝遭到客戶(hù)棄用，很大可能就放棄了,，明年直接上N3E工藝,。

對(duì)比N5工藝,，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％,，晶體管密度提升約70％,。

N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗,、擴(kuò)大應(yīng)用范圍,，對(duì)比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％,，或者可以將晶體管密度提升60％,，密度上甚至更低了一些。

考慮到近年來(lái)摩爾定律一直在放緩,，70%左右的密度提升看起來(lái)還不錯(cuò),，但這是臺(tái)積電公布的最好水平，指的是純邏輯芯片,，SRAM緩存的密度就只有20%了,，N3E還會(huì)更低。

然而20%的提升依然是理論上的美好,，臺(tái)積電之前在IEDM會(huì)議上公布了更真實(shí)的數(shù)據(jù),，3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上只比5nm高出5%，指標(biāo)大幅縮水,。

盡管3nm工藝還有10-15%的性能或者25-30%的功耗改進(jìn),，但是這些指標(biāo)顯然也是非常理想的情況，實(shí)際提升也會(huì)跟密度一樣存在縮水,。

但是3nm晶圓的代工價(jià)格上漲是實(shí)實(shí)在在的,，傳聞是2萬(wàn)美元一片，約合人民幣14萬(wàn)元,，比5nm工藝漲價(jià)至少25%以上,。

而且14萬(wàn)元的價(jià)格還是基準(zhǔn)價(jià)，如果廠商的訂單量達(dá)不到臺(tái)積電的要求,，價(jià)格還會(huì)大漲,，超過(guò)10萬(wàn)美元也很正常，也就是70萬(wàn)人民幣了,，這樣的價(jià)格下芯片設(shè)計(jì)廠商的成本根本撐不住,。

也難怪臺(tái)積電在需求下降的時(shí)候依然想逆勢(shì)漲價(jià)，但蘋(píng)果強(qiáng)硬拒絕,，反擊臺(tái)積電的理由就是蘋(píng)果這幾年的利潤(rùn)率一直沒(méi)提升,，臺(tái)積電自己的利潤(rùn)率已經(jīng)從50%提升到60%了。

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