IGBT是一種大功率電力電子器件，具備高頻率,、高電壓,、大電流等特征，易于開通和關(guān)斷,，主要起到將直流電源逆變?yōu)榻涣麟妷旱淖饔茫灰?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/新能源" target="_blank">新能源汽車為例，新能源汽車中升壓器（電控用）,、逆變器（空調(diào)和電池熱管理）和充電樁都需要IGBT。
IGBT,，可以說是新能源汽車電控系統(tǒng)的核心組成部分如果將發(fā)動機比作燃油車的“心臟”那么IGBT就是新能源車的“心臟”作為“心臟”它能直接控制全車的交直流轉(zhuǎn)換,、功率調(diào)控等核心指標簡單來說，IGBT就像一道橋梁將新能源車上的能源聯(lián)系在一起,。
新能源車的能源要么是純電,，要么是混合動力能源無論哪一種電，都是“不易駕馭”的能量這時,，IGBT就要發(fā)揮作用了,；它就好比一個開關(guān)將電流分為“開”和“關(guān)”兩種狀態(tài)分別對應(yīng)著數(shù)字世界里的“1”和“0”那么新能源車系統(tǒng)就可以通過處理這兩個數(shù)字來控制電的使用；當汽車的電能從電池出發(fā)一路小跑,，來到電控系統(tǒng)報到電控系統(tǒng)中的IGBT就立即根據(jù)駕駛者的需要開始思考是開閘放電,，還是關(guān)閘休息。
IGBT從1980年代商業(yè)化開始,，逐步取代了BJT和MOSFET,，目前其應(yīng)用領(lǐng)域開始向消費電子行業(yè)滲透，并逐步拓展到電壓超過650V的高功率場景,，比如家電行業(yè),、新能源汽車領(lǐng)域、軌道交通等,。由于下游應(yīng)用端增長良好,，因此IGBT也被稱為功率器件中的朝陽行業(yè)。
按照IGBT模塊工作時的電壓,，它的應(yīng)用領(lǐng)域大致分為五類：
650V——應(yīng)用于新能源汽車,、家電和工業(yè)變頻；
1200V——應(yīng)用于光伏,、電磁爐,、電焊機、新能源汽車行業(yè),；
1700V——應(yīng)用于太陽能,，風(fēng)電等領(lǐng)域；
3300V——應(yīng)用于動車,、高鐵,、國家電網(wǎng)等領(lǐng)域；
6500V——高鐵,、工業(yè)電機,、動車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,；
目前,，IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V~6500V的電壓范圍，廣泛應(yīng)用于光伏/風(fēng)電設(shè)備,、新能源汽車,、家電、儲能,、軌道交通,、電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域,。IGBT憑借其高工作頻率,、高電流性能、開關(guān)損耗小等優(yōu)點在龐大的功率器件世界中贏得了自己的一片領(lǐng)域,。
在新能源汽車領(lǐng)域
IGBT約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,，而電機驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件,，也決定了整車的能源效率,。此外直流充電樁的核心也是IGBT管，直流充電樁30%的原材料成本就是IGBT,。作為一種功率半導(dǎo)體,，IGBT應(yīng)用非常廣泛，小到家電,、大到飛機,、艦船、交通,、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。此外,，IGBT還是國家“02專項”的重點扶持項目,，已經(jīng)全面取代了傳統(tǒng)的Power MOSFET，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”,。
在電動汽車的“三電”方面,，Model S使用的三相異步驅(qū)動電機，其中每一相的驅(qū)動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片,，三相共需要使用84顆IGBT芯片,。算算總量，就可知需求的龐大,。此外,，充電樁的核心部件也要用到IGBT芯片。
臺灣茂矽電子降低晶圓導(dǎo)通電阻,，通過六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率,，并改善電動車關(guān)鍵零組件多得向英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（ST）等國外大廠購買的情形,。
目前市面上出現(xiàn)的晶圓直徑主要是150mm,、200mm、300mm,，分別對應(yīng)6英寸,、8英寸、12英寸的晶圓,；國產(chǎn)芯片在晶圓的產(chǎn)能上,，也就是在6寸上有優(yōu)勢；
全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺灣15座,中國8座)在2019-2021產(chǎn)能僅擴廠5%,仍不足以滿足后續(xù)電動車與工業(yè)控制市場,導(dǎo)致IGBT持續(xù)漲價,。
由工采網(wǎng)代理的臺灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V,、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù),；低開關(guān)損耗,；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù),。
芯片圖：
茂矽電子成立于1987年,，晶圓制造長期聚焦在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域，以MOS管,、IGBT,，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主,，打破國外壟斷現(xiàn)象,。
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