根據(jù)WikiChip的一份報(bào)告,，臺(tái)積電的SRAM微縮速度已經(jīng)大大放緩。當(dāng)涉及到全新的制造節(jié)點(diǎn)時(shí),，我們希望它們能夠提高性能,、降低功耗并增加晶體管密度。但是,，盡管邏輯電路在最近的工藝技術(shù)中得到了很好的擴(kuò)展,，但SRAM單元一直落后，顯然在臺(tái)積電的3nm級(jí)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)上幾乎停止了微縮,。對(duì)于未來的CPU,、GPU和SoC來說，這是一個(gè)主要問題,，由于SRAM單元區(qū)域微縮緩慢,，它們可能會(huì)變得更加昂貴。
SRAM 微縮速度放緩
當(dāng)臺(tái)積電今年早些時(shí)候正式推出其N3制造技術(shù)時(shí),，它表示,，與其N5（5nm級(jí)）工藝相比，新節(jié)點(diǎn)將在邏輯密度方面提供1.6倍和1.7倍的改進(jìn),。它沒有透露的是,，與N5相比，新技術(shù)的SRAM單元幾乎無法微縮,，根據(jù)WikiChip的說法,，WikiChip從國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上發(fā)表的臺(tái)積電論文中獲得了信息。
臺(tái)積電的N3具有0.0199μm2的SRAM位單元大小,，與N5的0.021μm2 SRAM位單元相比僅縮小了~5%,。改進(jìn)后的N3E變得更糟，因?yàn)樗鋫淞?.021 μm2 SRAM位單元（大致轉(zhuǎn)換為31.8 Mib / mm2）,，這意味著與N5相比根本沒有縮放。
同時(shí),，英特爾的intel 4（最初稱為7nm EUV）將SRAM位單元尺寸從Intel 7（以前稱為10nm Enhanced SuperFin）的0.0312μm2減小到0.024μm2（大致轉(zhuǎn)換為27.8 Mib / mm2），這有點(diǎn)落后于臺(tái)積電的HD SRAM密度,。
此外，WikiChip還回顧了Imec的一次演示,，該演示文稿顯示在帶有叉形晶體管的“超過2nm節(jié)點(diǎn)”上SRAM密度約為60 Mib / mm2,。不過這種工藝技術(shù)還需要數(shù)年時(shí)間，從現(xiàn)在到那時(shí),，芯片設(shè)計(jì)人員將不得不開發(fā)英特爾和臺(tái)積電宣傳的SRAM密度處理器（盡管英特爾4不太可能被英特爾以外的任何人使用）。
后果很嚴(yán)重,！
這是個(gè)嚴(yán)重的壞消息,！從這個(gè)角度來看，雖然N3B和N3E據(jù)說都提供了1.6倍和1.7倍的芯片級(jí)晶體管縮放,，但SRAM的1.0倍和1.05倍縮放是災(zāi)難性的?，F(xiàn)在,，我們?nèi)匀活A(yù)計(jì)臺(tái)積電會(huì)在某個(gè)時(shí)候?yàn)镹3推出更密集的SRAM位單元變體,，我們確實(shí)希望將來看到SRAM的某種程度的微縮，但舊的SRAM微縮似乎已經(jīng)死了,。
假設(shè)在TSMC N16上有一個(gè)100億個(gè)晶體管芯片,，其中40%是SRAM, 60%是邏輯晶體管。忽略實(shí)際限制和模擬/物理/等等,，這樣一個(gè)假設(shè)的芯片的芯片面積約為255毫米2,，其中45毫米2(或17.6%)為SRAM。將完全相同的芯片縮小到N5將產(chǎn)生一個(gè)56毫米2的芯片,，其中12.58毫米2或占22.5%的芯片面積的SRAM,。將芯片進(jìn)一步縮小到N3將產(chǎn)生一個(gè)44毫米2的芯片，SRAM的面積依然是12.58毫米2，這將占據(jù)芯片面積的近30%,。
當(dāng)然,，影響不會(huì)全面感受到。芯片上的SRAM和緩存百分比因目標(biāo)市場(chǎng)和整體能力而異,。然而,，對(duì)于一些人工智能硬件初創(chuàng)公司來說，其架構(gòu)要求SRAM覆蓋芯片的很大一部分,，這些工程師將比其他工程師更快地遇到更多的挑戰(zhàn),。
現(xiàn)代芯片中的SRAM
現(xiàn)代 CPU、GPU 和 SoC 在處理數(shù)據(jù)時(shí)將 SRAM用于各種緩存,，并且從內(nèi)存中獲取數(shù)據(jù)的效率極低,，尤其是對(duì)于各種人工智能 （AI） 和機(jī)器學(xué)習(xí) （ML） 工作負(fù)載。但如今,，即使是智能手機(jī)的通用處理器,、圖形芯片和應(yīng)用處理器也攜帶著巨大的緩存：AMD的Ryzen 9 7950X總共攜帶81MB的緩存，而英偉達(dá)的AD102至少使用123MB的SRAM用于英偉達(dá)公開披露的各種緩存,。
展望未來,，對(duì)緩存 SRAM的需求只會(huì)增加，但對(duì)于N3（設(shè)置為僅用于少數(shù)產(chǎn)品）和N3E,，這就無法減少SRAM占用的芯片面積,，也無法降低與N5相比的新節(jié)點(diǎn)的更高成本。從本質(zhì)上講,，這意味著高性能處理器的芯片尺寸將會(huì)增加,，因此它們的成本也會(huì)增加。同時(shí),，與邏輯單元一樣,，SRAM單元也容易出現(xiàn)缺陷。在某種程度上,，芯片設(shè)計(jì)人員將能夠通過N3的FinFlex創(chuàng)新（在一個(gè)模塊中混合和匹配不同類型的FinFET,，以優(yōu)化其性能，功率或面積）來緩解較大的SRAM單元,，但在這一點(diǎn)上,，我們只能猜測(cè)這將帶來什么樣的成果。臺(tái)積電計(jì)劃推出其密度優(yōu)化的N3S工藝技術(shù),，與N5相比,，該技術(shù)有望縮小SRAM位單元的尺寸，但這將在2024年左右發(fā)生,，我們想知道這是否會(huì)為AMD,、Apple,、Nvidia和高通設(shè)計(jì)的芯片提供足夠的邏輯性能。
緩解措施,？
從成本角度來看,，減緩SRAM面積微縮速度的方法之一是采用多芯片設(shè)計(jì)，并將較大的緩存分解到更便宜的節(jié)點(diǎn)上的獨(dú)立芯片中,。這是AMD在其3D V-Cache中所做的事情，盡管原因略有不同,。另一種方法是使用替代內(nèi)存技術(shù),，如eDRAM或FeRAM作為緩存，盡管后者有自己的特點(diǎn),。
無論如何,，在3nm及以上使用基于FinFET的節(jié)點(diǎn)減緩SRAM縮放速度似乎是未來幾年芯片設(shè)計(jì)人員面臨的主要挑戰(zhàn)。
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