去年底臺積電宣布3nm量產(chǎn),，預(yù)計今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應(yīng)用,。
隨后有業(yè)內(nèi)專家透露,，臺積電3nm的良率可達(dá)80%，非?？捎^。 然而,，提前半年投產(chǎn)3nm的三星,，則有些尷尬，據(jù)說良率僅20%,。這個表現(xiàn),，難怪沒有大廠敢下單。
雖說三星上馬了GAA晶體管,，技術(shù)難度高算是情有可原,，然而和臺積電差距這么大顯然不是長久之計。
據(jù)DT報道,，三星正在調(diào)整的一個優(yōu)化方案是,，在3nm EUV光刻中引進(jìn)穿透率達(dá)90%的掩模保護(hù)膜，供應(yīng)商是本土公司S&S Tech,。 EUV光刻與此案的ArF（氟化氬）曝光設(shè)備不同,，光反射到鏡子后，再到晶片,，因此光源損失很大,。要想使光源損失降到最低，必須使用穿透率超過90%的EUV用保護(hù)膜,，從而保護(hù)光罩,。
三星這一調(diào)整，能否有效提高3nm GAA芯片的良率，還有待檢驗,。
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