去年底臺(tái)積電宣布3nm量產(chǎn),，預(yù)計(jì)今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應(yīng)用。

 隨后有業(yè)內(nèi)專家透露,，臺(tái)積電3nm的良率可達(dá)80%,，非?？捎^,。 然而，提前半年投產(chǎn)3nm的三星,，則有些尷尬,，據(jù)說(shuō)良率僅20%。這個(gè)表現(xiàn),，難怪沒有大廠敢下單,。

 雖說(shuō)三星上馬了GAA晶體管，技術(shù)難度高算是情有可原,，然而和臺(tái)積電差距這么大顯然不是長(zhǎng)久之計(jì),。

 據(jù)DT報(bào)道，三星正在調(diào)整的一個(gè)優(yōu)化方案是，在3nm EUV光刻中引進(jìn)穿透率達(dá)90%的掩模保護(hù)膜,，供應(yīng)商是本土公司S&S Tech,。 EUV光刻與此案的ArF（氟化氬）曝光設(shè)備不同，光反射到鏡子后,，再到晶片,，因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低,，必須使用穿透率超過(guò)90%的EUV用保護(hù)膜,，從而保護(hù)光罩。 

三星這一調(diào)整,，能否有效提高3nm GAA芯片的良率,，還有待檢驗(yàn)。

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